WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

норов линейчатый спектр пропадает, что объясняетИзлучение этого центра появилось лишь после отжига ся случайным характером кулоновского взаимодействия высокочистого материала в парах Zn при T = 680C в в результате разброса по расстояниям между какимтечение 72 h (рис. 2). Две линии (1.702 и 1.688 eV) стали либо донором и рекомбинирующей донорно-акцепторной наиболее заметной особенностью в области излучения парой.

глубоких центров (FWHM 4meV). В результате такого По мере очистки соединения и распада комплексов, отжига происходит сильное перераспределение примеобразованных уже при участии мелких акцепторных сей, что видно как по трансформации спектров низкотемпримесей, в спектрах фотолюминесценции появляются пературной фотолюминесценции и ИК-поглощения, так новые линии с их участием. Все переходы и энергии их и по изменению сопротивления материала. Последнее, активации приведены в табл. 3.

по-видимому, связано с изменением положения химиСопоставляя данные, приведенные в табл. 3, с данческого потенциала. Если материал до отжига имел ными, опубликованными ранее для энергии активации сопротивление 103 · cm (p-тип), то после отжига мелких акцепторов в ZnTe, мы обнаружили целую сесопротивление возросло на несколько порядков, однако рию новых линий, которые появляются на последних инверсии типа проводимости не наблюдается. Мы связыстадиях очистки. Если форма и характер излучения ваем этот эффект с пиннингом уровня Ферми Z-центром.

мелких акцепторов достаточно типичны для ZnTe, то Следовательно, в отличие от CdTe и ZnSe в ZnTe уровни новые относительно глубокие акцепторы имеют очень Z-центра находятся в нижней половине запрещенной малый фактор Хуанга–Риса (табл. 3). Пожалуй, лишь зоны.

для одного акцептора, 146 meV, характерно сильное Сопоставив спектры фотолюминесценции с различным электрон-фононное взаимодействие (S 0.8). Мы уровнем накачки, мы идентифицировали линию 1.702 eV полагаем, что появление линий мелких акцепторов в как e-Z0/-, а 1.688 eV — как D0/+-Z0/-, т. е. Z-центр спектрах низкотемпературной фотолюминесценции так- проявляется в спектрах фотолюминесценции теллуриже является следствием распада глубоких межпримес- да цинка как очень глубокий акцептор (с энергией ных комплексов. В частности, мы интерпретируем из- связи 692 meV). Зная положение уровней Z-центра в вестный кислородный комплекс 1.9eV как OTe-A, где CdTe, излучение второго зарядового состояния (Z0/+) A— мелкий акцептор. Гашение излучения этой полосы в ZnTe по аналогии мы ожидали в области среднего должно приводить к появлению линий, связанных с или дальнего ИК-диапазонов. На рис. 4 показан спектр изолированными мелкими акцепторами, что и наблюда- ИК-пропускания ZnTe, снятый при 80 K до и после ется (рис. 3). Таким же образом может появиться и отжига в парах Zn. Если до отжига, как мы это излучение изолированного OTe. Эффект тонкой очистки уже отмечали, нет никаких особенностей в спектрах ZnTe от кислорода мы оценивали как по гашению полосы пропускания, то после отжига появляется новая мощная кислородного комплекса, так и по содержанию кислорода полоса поглощения 0.41 eV (3300 cm-1). Появление в остатках шихты по данным масс-спектрометрического этой полосы поглощения лишь после отжига в парах Zn Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1016 А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев...

и ее энергетическое положение, относительная узость этой полосы и отсутствие фононных реплик в спектрах пропускания дали нам основание полагать, что мы видим проявление второго зарядового состояния Z-центра.

Почему излучение и поглощение Z-центра нам удалось наблюдать лишь после отжига в парах Zn Чтобы ответить на поставленный вопрос, необходимо проанализировать изменения в оптических спектрах в результате отжига. Отжиг в парах цинка привел к сильной перестройке электронного спектра примесных состояний. Вопервых, по спектрам низкотемпературной фотолюминесРис. 5. Основные переходы, связанные с Z-центром. Сплошценции видно, что излучение, связанное с присутствием ными линиями показаны переходы, которые видны в спектрах мелкого акцептора NaZn, после отжига практически не низкотемпературной фотолюминесценции и пропускания. Волнаблюдается (рис. 1, e). Линия 2.3318 eV (e-NaZn), нистой линией показаны кулоновский захват на заряженные сокоторая прекрасно наблюдалась во всех образцах до стояния и захват свободного экситона на нейтральный Z-центр.

отжига (рис. 1, a–d), исчезает. Мы связываем такой эффект с вытеснением щелочных металлов с подрешетки Zn в междоузлие в силу меньшей энтальпии образования NaZn (LiZn, KZn), чем ZnZn. В области излучения мел- основным дефектом является дефект Френкеля. Однако ких акцепторов появляется полоса 2.3308 eV, связанная едва ли возможно говорить о существенной концентрации собственных дефектов в материалах, близких к с PTe. Ее интенсивность в 20 раз меньше. Она не наблюдалась в исходных образцах на фоне излучения стехиометрии в условиях низкотемпературного равноNa. Наряду с увеличением интенсивности излучения весного роста. Сильная взаимосвязь с эффектом очистки, свободных экситонов вблизи края поглощения наблю- скорее, указывает на то, что этот центр обусловлен дается появление связанного экситона на нейтральных основной неконтролируемой остаточной примесью. В донорах 2.3772 eV (рис. 1, e). Заметим, что до отжига наших экспериментах только две примеси (OиC) имели излучение с участием мелких доноров было едва замет- заметную концентрацию.

ным. Видны только чрезвычайно слабые полосы межпри- На рис. 5 показаны основные переходы, связанные месной DA-рекомбинации. Возникновению излучения с Z-центром. Сплошными линиями показаны переходы, доноров, по-видимому, способствовал распад комплекса которые видны в спектрах низкотемпературной фото1.65 eV, в состав которого они входили, в результате люминесценции и пропускания. Заметим, что в спекотжига в парах Zn. Мы считаем, что последнее и трах пропускания нет никаких особенностей вблизи 0.было причиной появления изолированного Z-центра, т. е. и 1.7 eV. Это соответствовало бы забросу электрона Z-центр являлся составной частью комплекса, ответ- из валентной зоны на нейтральный Z-центр и забросу ственного за излучение 1.65 eV. Наши эксперименты по электрона с Z- в зону проводимости соответственно.

легированию ZnTe различными донорами показали, что Кроме того, как в спектрах фотолюминесценции, так и полоса 1.65 eV разгорается при легировании донорами в спектрах пропускания нет никаких линий в диапазоне III группы. Поэтому мы интерпретируем этот комплекс 2.0 eV, что в первом случае соответствовало бы захвакак Z-D(III)Zn. Распад комплекса может быть связан с ту электрона на заряженный Z+-центр, а в последнем — усилением диффузии доноров III группы или Z-центра забросу электрона с нейтрального Z0-центра в зону и увеличением расстояния между ними при отжиге в проводимости.

парах Zn, когда создается градиент концентрации ге- Тот факт, что при измерении спектров пропускания нерируемых вакансий (VZn, VTe). Заметим одну очень (в равновесных условиях) нет переходов, связанных с важную особенность: воспроизвести появление Z-центра начальным нейтральным состоянием Z0, является укана недостаточно чистых или легированных материалах, занием на его положительное зарядовое состояние. А а также при высоких температурах отжига не удается. переходы с рекомбинацией электронов на нейтральном Такая взаимосвязь между появлением Z-центра в со- Z0-центре возможны лишь при неравновесных условиях единениях II–VI и распадом комплексов [8,9] является при измерении спектров фотолюминесценции.

сильным аргументом против доминирующего в научной Кроме того, измерения температурной зависимости литературе мнения, что полоса 1.65 eV обусловлена гашения люминесценции этого центра, по-видимому, собственными дефектами (A-центр: VZn-D). Безусловно, указывают на необходимость захвата свободных экситоотжиг в насыщенных парах Zn должен был бы приводить нов на Z-центр для наблюдения излучения 1.7eV. Для к исчезновниюA-центра. Но ничего, кроме уже отмечен- нас было полной неожиданностью, что эта линия гаснет ного усиления излучения мелких доноров, наблюдаться чрезвычайно быстро с ростом температуры. Энергия не должно. С другой стороны, в результате отжига в термической активации составила всего лишь 10 meV.

парах Zn следует ожидать рост концентрации междо- Такое значение весьма близко к энергии активации своузельного цинка, если исходить из предположения, что бодного экситона в ZnTe.

Физика твердого тела, 1998, том 40, № Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe Таблица 4. Основные характеристики Z-центра в соединениях II–VI Фактор Хуанга–Риса Материал Z2+/+ Z0/+ Z-/0 FWHM, meV S, arb.units CdTe EC-1.2eV EC-0.246 eV EV + 1.4eV 0.001 или или или EV + 0.41 eV EV + 1.36 eV EC-0.206 eV ZnTe EC-1.98 eV EV + 0.692 eV < 0.005 или или EV + 0.41 eV EC-1.702 eV ZnSe EC-0.400 eV < 0.01 или EV + 2.38 eV Данные настоящей работы, спектры пропускания.

Данные настоящей работы, фотолюминесценция.

Наше предположение сводится к следующему: для ных комплексов и пропадает при легировании материала того чтобы в спектрах фотолюминесценции возникла примесями с образованием тех же самых комплексов.

полоса 1.7 eV, необходим захват двух электронов Мы полагаем, что этот центр создает основные комна Z2+-центр. Первый электрон захватывается из зоны пенсирующие глубокие уровни и является очень важной проводимости в условиях неравновесного возбуждения. примесью, участвующей в образовании комплексов. СоЗахват же второго неравновесного носителя и последую- поставляя данные химического анализа с оптическими щая рекомбинация происходят в результате связывания спектрами, мы сделали вывод, о том что этот центр и диссоциации свободных экситонов на положительно обусловлен присутствием на подрешетке металлоида заряженном Z-центре (Z+). Этот эффект достаточно изолированной изовалентной примеси — кислорода.

типичен для излучения Z-центра в вышеперечисленных Работа выполнена при поддержке Российского фонда соединениях II–VI. Характерно, что в спектрах возбуфундаментальных исследований (проекты 95-02-3586a и ждения Z-центра, например в CdTe, в области свободных 97-02-17747).

экситонов есть мощный максимум [3].

Еще одна интересная особенность наблюдается в экСписок литературы ситонной части спектра, когда после отжига ZnTe в парах цинка возникают сильные каналы рекомбинации на [1] J.L. Merz. Phys. Rev. 176, 3, 96 (1968).

Z-центре. Наблюдается мощное излучение лишь верхней [2] В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, Е.Е. Онищенко.

поляритонной ветви свободных экситонов. Хотя мехаФТТ 38, 6, 1728 (1996).

низм такого поведения к настоящему моменту нам не [3] S. Medvedieff, Yu. Klevkov, A. Kvit, A. Perestoronin, ясен, по-видимому, этот эффект также связан с захватом V. Bagaev, A. Plotnikov, A. Karuzskii. J. Cryst. Growth, in и диссоциацией свободных экситонов на Z-центре.

press.

Полученные результаты дают основание сделать вы[4] Y. Hishida, T. Toda, T. Yamaguchi. J. Cryst. Growth 117, 1–4, вод, о том что в ZnTe, так же как в CdTe и ZnSe, 396 (1992).

наблюдается излучение Z-центра. Обнаружение и ис- [5] P.J. Dean, H. Venghaus, J.C. Pfister, B. Schaub, J. Marine.

J. Lumin. 16, 363 (1978).

следование свойств этого центра в высокочистых кри[6] Y. Biao, M. Azoulay, M.A. George, A. Burger, W.E. Collins, сталлах ZnTe проводились впервые с помощью методов E. Silberman, C.-H.Su, M.E. Volz, F.R. Szofran, D.C. Gillies.

оптической спектроскопии. Его положение в нижней J. Cryst. Griwth 138, 219 (1994).

половине запрещенной зоны ZnTe создает трудности в [7] A. Naumov, K. Wolf, T. Reisinger, H. Stanzl, W. Gebhardt. J.

получении образцов этого материала электронного типа.

Appl. Phys. 73, 2581 (1993).

Z-центр наблюдается в спектрах фотолюминесценции и [8] A.V. Kvit, Y.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Mat.

ИК-пропускания только в высокочистых материалах при Sci. Eng. B26, 1 (1994).

низкотемпературном росте в условиях, близких к стехио[9] A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin.

метрии. Это излучение имеет одинаковые особенности Semicond. Sci. Technol. 9, 1805 (1994).

в ряде соединений II–VI (высокий темп рекомбинации, [10] A. Gukasyan, A. Kvit, Yu. Klevkov, S. Oktyabrsky. Solid State Commun. 97, 10, 897 (1996).

узкие линии излучения, чрезвычайно слабое электронфононное взаимодействие), однако положение уровней в запрещенной зоне и характерное зарядовое состояние сильно отличают ZnTe от CdTe и ZnSe. Данные по излучению Z-центра сведены в табл. 4. Как правило, Z-центр возникает в материалах после распада различ5 Физика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.