WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe © А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев, А.В. Цикунов, А.В. Пересторонин, М.В. Якимов Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия (Поступила в Редакцию 17 сентября 1997 г.

В окончательной редакции 25 ноября 1997 г.) Методами низкотемпературной фотолюминесценции и ИК Фурье-спектроскопии исследовалась динамика изменения спектра глубоких состояний стехиометрического ZnTe на разных этапах очистки и при отжиге его в насыщенных парах Zn. Анализируется взаимосвязь концентрации основных остаточных примесей с вероятностью комплексообразования. Впервые в ZnTe, так же как и ранее в CdTe и ZnSe, удалось наблюдать излучение Z-центра. Показано, что в ZnTe этот центр является многозарядной примесью. Определены энергии активации этих уровней. При сопоставлении данных химического анализа с оптическими спектрами сделан вывод о том, что этот центр обусловлен изолированным кислородом на подрешетке металлоида.

Это излучение имеет одинаковые специфические особенности в ряде соединений II–VI (высокий темп рекомбинации, узкие линии излучения, чрезвычайно слабое электрон-фононное взаимодействие), однако положение уровней в запрещенной зоне и характерное зарядовое состояние существенно отличают ZnTe от CdTe и ZnSe. Как правило, Z-центр возникает в материалах после распада различных комплексов (например, комплекса, ответственного за излучение 1.65 eV в ZnTe) и исчезает при легировании материала с образованием тех же самых комплексов. Сделано предположение, что этот центр создает основные компенсирующие глубокие уровни и является очень важной составляющей легко образующихся комплексов с примесями. Его положение в нижней половине запрещенной зоны ZnTe (в отличие от ZnSe и CdTe) создает трудности в получении материала n-типа.

Несмотря на некоторые различия фундаментальных этого центра. Интенсивные исследования, проведенные в характеристик ряда широкозонных полупроводников 60-е годы, достаточно четко указывают на то, что данный II–VI (CdTe, ZnTe, ZnSe, CdSe, ZnS), наблюдается излучательный центр связан с кислородным комплекопределенное сходство в энергетическом положении сом [1,2].

примесных уровней этого ряда соединений. В первую Считается, что ZnTe в отличие от других соединений очередь такие общие тенденции легко прослеживаются II–VI имеет лишь p-тип проводимости. Хотя этот эфдля мелких примесей (акцепторов и доноров), энерге- фект связан с общей проблемой ”самокомпенсации” или тическое положение которых хорошо описывается за- примесной компенсации, до сих пор никаких точных укаконом эффективных масс. Сопоставляя спектральные заний на источник компенсации нет. Однако, анализируя положения и параметры излучения глубоких состояний, положение с проблемой получения p-типа проводимости характерных для этого ряда соединений, также можно в ZnSe, который долгое время считался материалом видеть много общего. Действительно, во всех соединени- электронного типа проводимости, можно надеяться на ях наблюдаются: 1) так называемые самоактивационные получение p-n-переходов и на основе ZnTe.

полосы, обусловленные комплексами, в их состав входят Мы решили искать ответ на этот вопрос с помопримеси, которые в изолированном состоянии являются щью анализа оптических спектров высокочистых сомелкими донорами; 2) полосы, которые исторически единений II–VI, состав которых близок к стехиомеприписывают излучению комплекса меди; 3) некоторые трии (так называемый состав точки минимального данеидентифицированные центры, которые, по-видимому, вления паров — Pmin). В этом случае концентрацией также обусловлены комплексами. Для глубоких ценсобственных дефектов при температуре кристаллизации тров, обусловленных комплексами, характерно сильное материала можно пренебречь. Свойства высокочистых электрон-фононное взаимодействие, которое, как прависоединений такого состава определяются примесями.

ло, усиливается с увеличением энергии связи. С опреСпектры высокочистых соединений II–VI в значительной деленной глубины залегания таких центров становятся степени зависят от метода и условий их приготовления.

практически неразличимыми отдельные реплики фононСчитается, что общим признаком их чистоты является ных повторений (LO).

доминирование излучения экситонной области спектра.

Пожалуй, наиболее яркой особенностью в спектрах Однако при наличии преципитатов, центров сегрегации фотолюминесценции и поглощения ZnTe является поло- примесей или центров комплексообразования примесей, са вблизи 630 nm с очень богатым спектром, где наряду с где примеси становятся оптически неактивными, вывод о узкой бесфононной полосой наблюдается излучение при высокой чистоте такого материала может оказаться ошиучастии различного типа фононов. Эти линии прекрас- бочным. Это становится ясным лишь после легирования но разрешаются, несмотря на большую энергию связи соединений II–VI мелкими примесями. Поэтому для Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe Рис. 1. Спектр фотолюминесценции поликристаллического ZnTe, синтезированного из высокочистых компонентов Zn и Te.

a —ZTS1, b —ZTO2, c —ZTO3H, d —ZTO3C, e —ZTO3Zn.

изучения основных свойств этого ряда соединений мы большинства остаточных примесей, можно проследить использовали разработанные нами низкотемпературные его поведение в динамике спектров на каждой стадии методы синтеза и очистки, когда присутствие второй очистки и установить его роль в образовании комплексов с другими примесями.

фазы исключено, а концентрация собственных дефектов заведомо ниже концентрации примесей.

С другой стороны, низкие концентрации остаточных 1. Эксперимент примесей в целом ряде важных элементов I, III, V и VII групп таблицы Менделеева, согласно данным химичеИзмерения низкотемпературной фотолюминесценции ского анализа, не исключают присутствия значительной ZnTe проводились на сколах монокристаллических зерен концентрации некоторых специфических примесей (H, размером до 0.3 cm2, которые выбирались из поликриC и O). Анализ этих примесей затруднен, и, как прависталлических слитков непосредственно после синтеза соло, при сертификации материалов они не учитываются.

единения и каждого процесса очистки. В качестве источВ первую очередь это касается изовалентной примеси ника возбуждения использовался непрерывный ионный кислорода. Кислород, как и углерод, является основной Ar-лазер ( 487.8nm). Характерная интенсивность остаточной примесью даже в очень чистых соединениях возбуждения 5 W/cm2. Измерения ИК-пропускания II–VI и присутствует в них в концентрациях > 1017 cm-3.

были проведены на ИК Фурье-спектрометре IFS-113v Поскольку кислород, кроме того, оптически активный фирмы ”Bruker”. Температуры измерения спектров элемент, который начинает проявлять себя в спектрах пропускания составляют 77 и 300 K, а спектров фотоизлучения и поглощения на фоне малых концентраций люминесценции — 5 K.

Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1012 А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев...

Рис. 2. Спектр фотолюминесценции глубоких излучательных переходов на разных стадиях очистки и после отжига в парах Zn.

a —ZTS1, b —ZTO1, c —ZTO3H, d —ZTO3C, e —ZTO3Zn.

Низкотемпературный синтез прямой реакцией из пред- ном этапе экситонная область доминирует в спектре.

варительно очищенных компонентов и трехкратный про- Отношение интенсивности линии связанного экситона на цесс очистки соединений по несколько модифицирован- акцепторе A0X к интенсивности основной линии мелкого ной технологии по сравнению с [3] проводились для акцептора 2.3318 eV (eA, где A — акцептор с энергией изучения динамики спектров низкотемпературной фо- активации 62.5 meV) равно 10, а к интенсивности излутолюминесценции. Мы полагаем, что состав соедине- чения кислородного комплекса 1.985 eV больше ния ZnTe заметно не меняется, так как температуры (рис. 2, a). Кроме кислородного комплекса наблюдаются испарения и кристаллизации от процесса к процессу еще два глубоких перехода меньшей интенсивности: 1.очистки оставались постоянными. Скорость осаждения и 1.08 eV (рис. 2).

конгруэнтно сублимирующего соединения при темпераВ экситонной части спектр типичен для достаточно читуре испарения 780C соответствовала 12–15 g / h во стого ZnTe (рис. 3). Кроме линии связанного экситона и всех процессах очистки.

ее фононных повторений виды также две линии 2.3812 и 2.3827 eV, соответствующие двум поляритонным ветвям свободного экситона.

2. Результаты и обсуждение Отношения интенсивностей различных линий к инСпектр фотолюминесценции поликристаллического тенсивности связанного экситона на нейтральном мелZnTe, синтезированного из высокочистых компонентов ком акцепторе для различных образцов ZnTe сведены Zn и Te, показан на рис. 1, a. Уже на этом началь- в табл. 1.

Физика твердого тела, 1998, том 40, № Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe Таблица 1. Отношение интенсивности различных полос к интенсивности основной линии связанного экситона на акцепторе (по спектрам низкотемпературной фотолюминесценции) Образец Примечание I(A0X1LO) / I(A0X) I(FE) / I(A0X) [I(Ocomp) / I(A0X)] · 104 I(e-Na) / I(A0X) ZTS1 После синтеза 0.13 0.029 7.7 0.ZTO1 1 очистка 0.13 0.031 5.9 0.ZTO2 2 очистка 0.24 0.008 0.ZTO3H 3 очистка, горячая зона 0.11 0.005 3.6 0.ZTO3C 3 очистка, холодная зона 0.025 0.055 0.9 0.ZTO3Zn ZTO3C, отожженный 0.023 0.205 3.2 в парах Zn, 72 h Отношение к интенсивности бесструктурной полосы с максимумом 1.87 eV, а излучение кислородного комплекса 1.9 eV практически не наблюдается.

Таблица 2. Отношение интенсивности полос глубоких ловушек к интенсивности основной линии связанного экситона на акцепторе Образец Примечание [I(1.65 eV) / I(A0X)] · 104 [I(1.08 eV) / I(A0X)] · ZTS1 После синтеза 1.4 1.ZTO1 1 очистка 6.8 4.ZTO3H 3 очистка, горячая зона 1.4 4.ZTO3C 3 очистка, холодная зона 4.5 4.ZTO3Zn ZTO3C, отожженный < 0.3 4.в насыщенных парах Zn, 72 h Таблица 3. Основные акцепторы в ZnTe и характерная величина электрон-фононного взаимодействия Энергия активации Линия излучения, eV Фактор Хуанга–Риса Интерпретация акцептора, meV (тип рекомбинации) S, arb.units 51 2.335 (DA) 0.04 Неизвестен 60.6 2.3335 (eA) 0.04 LiZn [5] 2.323 (DA) 62.5 2.3318 (eA) 0.04 NaZn [5] 2.322 (DA) 63.5 2.3308 (eA) <0.01 PTe [5] 96 2.230 (eA) 0.07 ATe — неизвестный 2.283 (DA) акцептор 146 2.248 (eA) 0.8 CuZn или самоакти2.236 (DA) вационная полоса [6] 177 2.217 (eA) <0.1 Y200 2.195 (eA) Y1 [7] 2.184 (DA) 220 2.174 (eA) <0.005 Y240 2.1545 (eA) <0.01 Y2 [7] 2.1465 (DA) 273 2.116 (DA) <0.01 Y692 1.702 (eA) <0.005 OTe, Z0/1.688 (DA) Данные настоящей работы.

Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1014 А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев...

Рис. 3. Экситонный спектр поликристаллических образцов на разных стадиях очистки и после отжига в парах Zn. a —ZTS1, b —ZTO1, c —ZTO2, d —ZTO3H, e —ZTO3C, f —ZTO3Zn.

Легко видеть, что последовательные стадии очистки быстрым распадом кислородного комплекса в результате ZnTe приводят к эффективному уменьшению излучения очистки ZnTe. Известно, что полоса 1.65 eV обусловлена как кислородного комплекса, так и мелкой примеси. комплексом с участием донора, поскольку ее интенсивОтметим, что на последней стадии очистки характер- ность заметно возрастает, так же как и интенсивность ного излучения кислородного комплекса с серией фо- самоактивационной полосы в легированных донорами нонных реплик практически не наблюдается. Однако материалах [4]. Перераспределение интенсивностей повозникает другая широкая бесструктурная полоса в этом лос вышеупомянутых комплексов, по-видимому, связано же диапазоне с максимумом 1.87 eV. По-видимому, эти с падением концентрации мелких акцепторов и относиполосы обусловлены различными по своему составу тельным увеличением доли донорых примесей.

комплексами.

Сам эффект появления изолированных донорных Несколько иначе, чем излучение кислородного ком- примесей легко прослеживается по появлению полос плекса, ведет себя излучение с глубоких ловушек 1.донорно-акцепторной рекомбинации с различными мели 1.08 eV (табл. 2).

кими акцепторами (например, полос 2.322 eV в ZTO3H Излучение этих глубоких ловушек слабое. На началь- или 2.335 eV в ZTO3C, рис. 1, c, d). Более того, ных этапах очистки их интегральная интенсивность в если исходные материалы ZTS1 и ZTO1 были весьма 5 раз слабее интенсивности излучения кислородного слабо компенсированы мелкими примесями (для них комплекса. На последующих этапах очистки это соот- NA > Ndeep ND), то на последующих стадиях ношение тем не менее изменяется в пользу полос 1.65 очистки компенсация мелкими примесями увеличиваи 1.08 eV. Этот эффект, по нашему мнению, связан с ется (NA ND > Ndeep). На чрезвычайно слабую Физика твердого тела, 1998, том 40, № Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe анализа (LAMMA). Шихта, как правило, на первых стадиях очистки была обогащена кислородом ( 1%).

На последней стадии очистки концентрация кислорода в шихте стала на уровне разрешения этого метода.

Z-центр является глубоким центром во всех соединениях II–VI. В CdTe и ZnSe он образует уровни в верхней половине запрещенной зоны. В CdTe Z-центр имеет несколько зарядовых состояний: +/0/-. В работах [8–10] было показано, что Z-центр склонен образовывать комплексы с окружающими его примесями. Появление этого центра в спектрах фотолюминесценции CdTe связано с распадом комплексов в результате понижения Рис. 4. Спектры пропускания в ИК-области поликристалличе- концентрации остаточных примесей в процессе очистки ских образцов ZnTe до (a) и после (b) отжига в парах Zn.

соединения. Отличительными признаками этого центра в соединениях II-VI являются: 1) чрезвычайно слабый характер электрон-фононного взаимодействия; 2) малые значения полуширины линий излучения (FWHM степень компенсации мелкими донорами на первых до 3 meV); 3) высокий темп излучательной рекомбиэтапах очистки указывает наличие в спектрах тонкой нации. В ZnTe мы также ожидали появление Z-центра структуры линейчатого спектра донорно-акцепторной на определенном этапе очистки материала. Однако при рекомбинации (наблюдается большая серия узких лиочистке Z-центр так и не был обнаружен ни по спектрам ний в диапазоне 2.29-2.32 eV на коротковолновом хвофотолюминесценции во всем диапазоне от 1.0 до 2.4 eV, сте полосы донорно-акцепторной рекомбинации 2.283 eV, ни по поглощению в области ближнего и дальнего EA = 96 meV). После появления дополнительных доИК-диапазонов (рис. 4, a).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.