WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Большая площадь контакта оказывается более выгодной [4] B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, и при работе светодиода в непрерывном режиме, что N.D. Il’inskaya, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, G.N. Talalakin.

видно из заметного отклонения „непрерывной“ мощIEE Proc. Optoelectron, 150, 356 (2003).

ности от „импульсной“ для светодиода с диаметром [5] Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременанода 150 мкм и связано, очевидно, с разогревом в ный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, В.В. Шустов, ФТП, 35, области протекания тока, и гораздо меньшего откло371 (2001).

нения при Da = 240 мкм. Понятно, что в светодиоде с [6] R.L. Petritz. Phys. Rev., 100, 1254 (1958).

большим контактом тепло отводится более эффективно, [7] А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993).

чем в светодиоде с малым анодом, и различия между [8] О. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуйнепрерывным и импульсным режимом стираются. Отмина. ФТП, 4, 1939 (1970).

метим, что равенство мощности в непрерывном и им[9] Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матпульсном режимах сохраняется вплоть до токов 200 мА, веев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов. ФТП, 38, что является показателем эффективного теплоотвода 1270 (2004).

в наших светодиодах. Вместе с тем описанные кон[10] H. Benistry, H. De Neve, C. Weibuch. IEEE J. Quant.

струкции светодиодов не являются оптимальными и их Electron., 34, 1612 (1998).

эффективность может быть повышена, например, за счет [11] V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kuуглубления мезы и (или) создания антиотражающего cheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’. Appl.

рельефа на поверхности [13], что будет являться пред- Phys. Lett., 79, 4228 (2001).

[12] Ж.И. Алферов, А.Т. Гореленок, И.Г. Груздов, А.Г. Джига метом наших дальнейших исследований.

сов, Н.Д. Ильинская, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. Письма ЖТФ, 8 (5), 257 (1982).

[13] Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Мат4. Заключение веев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 40 (6), 717 (2006).

В работе проанализированы оптическое пропускание Редактор Л.В. Шаронова и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев n+InGaAsSb с различной степенью легирования донорной InAs flip-chip LEDs with InGaAsSb buffer примесью Te и получены образцы с концентрацией носиlayers телей до 4 · 1018 см-3 и подвижностью 2 · 103 см2/В · c, прозрачные для излучения в диапазоне 3-3.3мкм благоN.V. Zotova, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, даря эффекту Мосса–Бурштейна. Указанные слои были B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, V.V. Shustov, использованы в качестве буферных в светодиодах с вы- N.G. Tarakanova водом излучения в направлении от анода (конструкции Ioffe Physicotechnical Institute, типа флип-чип), имевших мощность излучения 160 мкВт 194021 St. Petersburg, Russia при импульсном токе 1 А и 100 мкВт в непрерывном Ioffe-LED“ Ltd., режиме при токе 500 мА. Показано сужение площади ” 194021 St. Petersburg, Russia свечения при увеличении тока через светодиод, связанное с локализацией тока в областях, примыкающих к

Abstract

We present electrical and optical properties of heavily аноду.

doped n+-InGaAsSb(Te) layers grown from Te containing melts Работа частично поддержана Фондом содействия разby the LPE method, that are transparent for the radiation in the витию МП НТС РФ (№ 3828р/5982 и 06-2-Н4.2-0201).

3 µm region due to Moss-Burstein effect. Described also are I–V and L–I characteristics as well the near-field measurements in Двое из авторов (Н.В. Зотова и М.А. Ременный) выраthe InAs-based flip-chip LEDs with radiation extraction through жают благодарность Совету по грантам Президента Росn+-InGaAsSb(Te) buffer layers.

сийской Федерации для поддержки молодых российских ученых и ведущих научных школ Российской Федерации Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.