WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

поля вблизи границ структуры с ростом интенсивно[9] В.Н. Астратов, А.В. Ильинский, В.А. Киселев. ФТТ, 26, сти и независимости времени установления распределе2843 (1984).

ния поля от туннельной прозрачности границы раздела [10] В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.К. Кузьмин. ФТТ, 28, (1986).

полностью согласуются с результатами эксперимента.

[11] А.С. Фурман. ФТП, 22, 2138 (1988).

Монотонность изменения распределения поля от вре[12] В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. Препринт № 1091 (Л., мени свидетельствует о слабом влиянии рекомбинации ФТИ, 1986).

и захвата на примеси на объемный заряд в обсуждае[13] А.И. Руденко. ФТП, 5, 2383 (1971).

мом эксперименте. Это также подтверждается тем, что [14] Н.В. Климова. Микроэлектроника, 10, № 5, 457 (1981).

основные изменения поля и тока происходят в течение [15] Н.А. Кудряшов, С.С. Кучеренко, Ю.И. Сыцько. Мат. модепервых 5 10 мкс, что близко к величине (1 2)tdr.

лирование, 1, № 12, 1 (1989).

Независимость распределения поля и временной зависи[16] A.E. Iverson, D.L. Smith. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, мости полного тока от туннельной прозрачности границ 2098 (1987).

раздела при включении указывает на слабое влияние про- [17] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводцессов в приэлектродных слоях и граничных условий для ников (М., Наука, 1977).

8 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1010 Б.И. Резников [18] Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991).

[19] J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986).

[20] D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-16, 64 (1969).

[21] А.А. Самарский. Введение в теорию разностных схем (М., Наука, 1971).

[22] И.Т. Овчинников, Э.В. Яншин. Письма ЖТФ, 8, 355 (1982).

Редактор Т.А. Полянская Nonstationary photoeffect in a high–resistivity pure highly biased metal–semiconductor and metal–insulator–semiconductor structures B.I. Reznikov A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Electric field and photocurrent relaxation in a pure strongly biased high–resistivity MISIM structure during illumination with monochromatic intrinsic light was investigated.

Transport equations in diffusion–drift approximation and the Poisson equation were numerically solved. Emission of electrons and holes across the metal–semiconductor interface and surface recombination were taken into account at boundaries. It was shown that under illumination switching on (off) an electric field in the structure monotonically tends to its stationary distribution.

Electric field and photocurrent relaxation time under switching on approximately equals to the hole drift time tdr, determinated with field Ee = V /d, and does not depend on illumination intensity Ii, absorption coefficient and tunnel transparency of the interface Tn, p. Restoration time of dark current and field distribution after illumination is switched off increases with increasing Ii and decreasing Tn, p, but remains of the order of tdr. With strongly absorption and intensity higher than characteristic intensity scale, determining the weak field shielding region, photocurrent time dependence is nonmonotonic. When surface traps is filled carrier accumulation near the electrodes starts and with sufficiently high Ii and low Tn, p it causes a field jump near the anode.

E-mail: reznikov@numer.ioffe.rssi.ru (Reznikov) Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.