WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||
Зависимость концентрации A-центров в кристалле, зародышей, не являющихся еще фазой SiO2 и имеющих отожженном при 600C в течение 10 ч (1) и облученном элекбольшое отношение поверхности к объему. Еще одним тронами дозой 8·1014 см-2 (2), от длительности заполняющего косвенным подтверждением высказанного предположе- импульса.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1002 И.В. Антонова, А. Мисюк, В.П. Попов, С.С. Шаймеев увеличение Nt при одновременном уменьшении плотно- [16] P. Omling, E.R. Weber, Z. Montelius, H. Alexander, J. Michel.

Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985).

сти наблюдаемых ямок травления. Последний эффект [17] V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. St.

может быть связан с тем, что размеры формируемых КП Sol. (a), 72, 701 (1982).

стали еще меньше, что часть из них уже не видна методом селективного травления, и, возможно, равновесие Редактор Л.В. Шаронова сместилось в сторону устойчивости таких скоплений, в которых еще не достигается необходимая для перехода A study of process of formation oxygen в фазу SiO2 концентрация кислорода. Аналогичная ситуprecipitates in silicon ация имеет место при отжиге уже сформированных КП (рис. 4).

I.V. Antonova, A. Misyuk, V.P. Popov, S.S. Shaimeev Institute of Semiconductor Physics, Заключение Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Результаты, полученные в работе, показывают, что 630090 Novosibirsk, Russia формирование КП проходит стадию образования ско Institute of Electronic Technology, плений атомов межузельного кислорода, имеющих, поWarsaw, Poland видимому, структуру разветвленных цепочек, характеризующихся большим отношением поверхности к объему.

С ростом времени происходит накопление кислорода в этих локальных областях. Формирование фазы SiOначинается, по-видимому, при достижении некоторой критической концентрации кислорода. Гидростатическое давление, используемое на стадии формирования КП, стимулирует переход к фазе SiO2 и приводит к образованию более мелких КП.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 95-02-05082-a и Польского комитета научных исследований, грант № 8T11B04809.

Список литературы [1] A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995).

[2] J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys., 71, 1073 (1992).

[3] S.W. Hu. Mater. Res. Soc. Symp., 59, 249 (1986).

[4] N. Inoue, K. Wada, J. Osaka. J. Cryst. Crowth, 84, 21 (1987).

[5] G.S. Oehrlein, J.L. Lindstrom, J.M. Corbett. Appl. Phys. Lett., 40, 241 (1982).

[6] A.J.R. de Kock, W.M. Van de Wijgert. Appl. Phys. Lett., 38, 888 (1981).

[7] T.Y. Tan, C.Y. Kung. J. Appl. Phys., 59, 917 (1986).

[8] Defect control in semiconductors (Tokio, 1990) p. 239.

[9] H. Harada, T. Abe, J. Chikawa. Semiconductor Silicon, ed. by H.R. Huff, T. Abe, B.O. Kolsen (Electrochem. Soc., Pennington, 1986) p. 76.

[10] I.V. Antonova, A. Misiuk, V.P. Popov, S.S. Shaimeev, L.I. Fedina. Physica B (1996) (in press).

[11] И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев.

ФТП, 22, 630 (1988).

[12] И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 25, 847 (1991).

[13] S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995).

[14] P. Fraundorf, G.K. Fraundorf, R.A. Craven. In: VLSI Science and Technology 1985, ed. by W.M. Bullis and S. Broydo (Electrochem. Soc., Pennington, N.Y., 1985) p. 436.

[15] R. Bouchard, J.R. Schneider, S. Gupta, S. Messolaras, R.J. Stewart, H.Nadasawa, W. Zulehner. J. Appl. Phys., 77, 553 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.