WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The luminescence and Raman spectra of thin gerобусловленное конкуренцией излучения от квантовых manium layers on silicon grown at a low temperature (250C) точек и квантовых ям, происходит вплоть до толщин have been investigated. In contrast to structures grown at high германия 15 МС. В отличие от структур, выращенtemperatures the quantum well luminescence has been observed ных при высоких температурах (600-700C), в которых when germanium thickness exceeds 9 monolayers. The misfit люминесценция КЯ преобладает при толщинах 4МС, dislocation development shift, the quantum well luminescence в этих структурах люминесценция КЯ наблюдается при lines to the high energy region, while TO phonons, participating толщинах 9 МС. С развитием дислокаций несоответin luminescence, are confined within the quasi-two-dimensional ствия линии люминесценции КЯ сдвигаются в область layer of germanium. It has been shown that the introduction больших энергий. Отметим, что при этом поперечные of an additional relaxed Si0.95Ge0.05 sublayer in the multilayer оптические фононы, участвующие в люминесценции, Ge / Si structure leads to a substantial rise in the intensity and the распространяются в квазидвумерном слое германия.

narrowing of the quantum dot luminescence line (to 24 meV), that Показано также, что введение дополнительного реis an evidence in favour of their noticeable ordering.

лаксированного SiGe-подслоя в многослойную структуру Ge / Si приводит к значительному увеличению интенсивности излучения КТ и сужению линии излучения.

Авторы выражают признательность Н.Н. Сибельдину за обсуждение результатов работы.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты № 99-02-16675 и № 00-02-17864), программы государственной поддержки ведущих научных школ РФ (грант № 00-15-96568) и научно-технических программ ”Физика твердотельных наноструктур” (проект № 2000-2Ф) и ”Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники” (проект № 1).

Список литературы [1] P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac. Sci. Technol. B, 16 (3), 1575 (1998).

[2] А.Б. Талочкин, А.В. Ефанов, В.А. Марков, А.И. Никифоров.

Изв. РАН. Сер. физ., 63, 290 (1999).

[3] О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, Б. Фойхтлендер. Изв. РАН. Сер. физ., 64, (2000).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.