WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 34 мкм © Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 20 января 1997 г. Принята к печати 28 января 1997 г.) Исследованы диодные лазеры на основе InAsSb/InAsSbP с раздельным электрическим и оптическим ограничением, излучающие в области 34 мкм. Более высокая рабочая температура лазеров достигается в том случае, если электрическое ограничение осуществляется с помощью гетеропереходов II типа. В лазерах этого типа интерфейсная оже-рекомбинация подавляется, экспериментальная плотность тока близка к теоретически рассчитанной для случая преобладания объемной оже-рекомбинации при температуре 180220 K.

1. Лазеры, излучающие в средней инфракрасной обла- в плоскости (100). На рис. 1 представлены схемы сти, привлекают к себе значительное внимание из-за расположения слоев в лазерной структуре и энергетивозможности их практического использования, в част- ческие диаграммы в лазерном режиме для структур с ности, в оптической связи, основанной на флюоритных гетеропереходом I типа (a) и с гетеропереходом II типа стеклах, и в молекулярной спектроскопии, позволяю- в качестве электрического ограничения (b), которые в щей осуществлять прецизионный контроль в высоких дальнейшем будем называть структурами I и II типа технологиях индустрии, а также в медицине. Главной соответственно.

проблемой лазеров на основе AIIIBV, излучающих в Активная область одинакова для структур обоих тиобласти 35 мкм, является их низкая рабочая тем- пов, имеет состав InAs0.95Sb0.05 и ширину запрещенной пература. К настоящему времени имеются сообщения зоны Eg 0.376 эВ, что соответствует длине волны изтолько о работе квантово-каскадных лазеров на основе лучения 3.3 мкм. Широкозонные слои оптического GaInAs/AlInAs при температуре 320 K, излучающих на ограничения также одинаковы для структур обоих типов, длине волны 5мкм [1], и лазеров с квантовыми имеют состав InAs0.5Sb0.16P0.34 и Eg 0.593 эВ. Слои ямами II типа с четырьмя составляющими в каждом электрического ограничения в лазерной структуре с периоде (InAs–Ga0.7In0.3Sb–InAs–AlSb), работающих до гетеропереходом II типа состоят из InAs с Eg 0.413 эВ 350 K с импульсной оптической накачкой, излучающих и на границе с активной областью имеют разрывы на длине волны 3 мкм при 300 K [2]. Этой же валентной зоны Ev 0.052 эВ и зоны проводимости группой авторов (см. [2]) были созданы лазеры на осно- Ec 0.015 эВ, отношение Ev/Ec 3.4. Слои ве InAs–Ga1-xInxSb–InAs–AlSb, излучающие в области электрического ограничения в лазерной структуре I типа 3.94.1 мкм, работающие с импульсной оптической на- имеют состав InAs0.85Sb0.05P0.1 с Eg 0.464 эВ и разрыкачкой до 285 K [3]. В диодных гетеролазерах, излучаю- вы зон на границе с активной областью Ev 0.038 эВ щих на длине волны более 3 мкм, рабочая температура на и Ec 0.050 эВ. Приведенные значения ширин уровне комнатной не достигнута. Для диодных гетерола- запрещенных зон и разрывов зон — расчетные для зеров с несколькими квантовыми ямами в активной обла- температуры 77 K.

сти на основе InAsSb/InAlAsSb, излучающих на длине Активная область специально не легировалась и быволны 3.23.55 мкм, достигнута максимальная рабочая ла n-типа проводимости с концентрацией электронов температура 225 K в импульсном режиме [4]. В наших 1016 см-3. Широкозонные слои p-InAsSbP легипредыдущих работах исследовались диодные двойные ла- ровались Zn до концентрации дырок 2 · 1018 см-3, зерные гетероструктуры на основе InAsSb/InAsSbP [5–9], n-InAsSbP легировался Sn до концентрации электронов у которых достигалась рабочая температура 180 K в 1018 см-3. Уровень легирования слоев электрического импульсном режиме. В настоящей работе поставлена ограничения был примерно в 2 раза ниже. Толщины задача исследовать диодные лазерные структуры с раз- слоев активной области и областей электрического оградельным электрическим и оптическим ограничением, с ничения находились в интервале значений 0.650.8мкм, активной областью на основе InAsSb. С этой целью толщины слоев оптического ограничения составляли были изготовлены лазеры с гетеропереходами I и II ти- 2.53 мкм. Лазеры имели меза-полосковую конструкцию пов между активной областью и слоями электрического с шириной полоска 1555 мкм и длиной резонатора ограничения. Гетеропереходы II типа имели оптимальное 255350 мкм.

отношение величин разрывов в валентной зоне и зоне Лазеры исследовались в импульсном режиме при проводимости, определенное теоретически в работе [10]. длительности импульса 100 нс и частотой следования 2. Лазерные структуры изготавливались методом жид- 105 Гц в интервале температур от 77 K до максимальной кофазной эпитаксии на подложке InAs, ориентированной рабочей температуры.

Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением... Рис. 1. Схема расположения слоев и энергетическая диаграмма в рабочем режиме лазера в лазерной структуре I типа (a) и II типа (b).

3. Рассмотрим экспериментальные результаты. 0.55 Ом. С увеличением температуры вольт-амперные характеристики изменяются мало.

На рис. 2 приведены вольт-амперные характеристики Пороговые плотности тока исследованных лазеров лазерных структур I типа (лазер S221-2 № 2) (кривая 1) при температуре 77 K имеют величины для лучших и II типа (лазер V1133-3) (кривая 2) при температуре образцов I типа jth 800 А/см2 и для лазеров II типа 77 K. Обе вольт-амперные характеристики имеют отсечjth 1000 А/см2. Температурные зависимости jth ку на оси напряжений при 0.36 В. При токах J > 0.5А приведены на рис. 3: кривая 1 —лазер I типа (S286), вольт-амперная характеристика структур II типа выходит кривая 2 —лазер II типа (V1133-3 № 1). Для лазеров II на прямолинейный участок с последовательным сопрои I типа характеристическая температура равна T0 тивлением 0.45 Ом. Вольт-амперная характеристика и 22 K, максимальная рабочая температура 203 и структур I типа выходит на прямолинейный участок при 145 K соответственно. На этом же рисунке приведены токах J > 1 А с последовательным сопротивлением расчетные температурные зависимости jth при преобладании объемной рекомбинации, с учетом только излучательной рекомбинации (кривая 3), с учетом только оже-рекомбинации за счет CHCC- и CHHS-переходов (см. [11]) (кривая 4) и суммарная (кривая 5). Расчет производился в соответствии с теорией, изложенной в работе [11].

Поскольку максимальная рабочая температура определяется не только температурной зависимостью пороговой плотности тока лазера, но и оптическими потерями, увеличивающимися с повышением температуры, сравнивались температурные зависимости дифференциальных квантовых эффективностей лазеров I и II типа (рис. 4).

Как видно, дифференциальная квантовая эффективность лазеров I типа (лазер S286, кривая1) и II типа (лазер V1133-3, кривая 2) уменьшается с повышением температуры, причем при некоторой температуре 120 K для лазеров I типа и 150 K для лазеров II типа крутизна зависимости увеличивается.

Для того чтобы сравнить влияние гетерограницы I и II типа на когерентное излучение лазеров, исследовались зависимости от тока степени поляризации излучения Рис. 2. Вольт-амперные характеристики лазера I типа лазеров =(FTM - FTE)/(FTM + FTE), где FTM и FTE — S221-2 № 2 (1) и лазера II типа V1133-3 (2). T = 77 K.

6 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 978 Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов...

CHHS-переходов jth T7 (рис. 3, кривая 4). Расчетные скорости излучательной и безызлучательной объемной рекомбинации одинаковы при температуре около 100 K.

Суммарная плотность тока (рис. 3, кривая 5) выража2.ется зависимостью jth T при T = 7790 K и jth T7 при T = 180200 K. Отметим, что в лазерах с узкозонным слоем InGaAsSb (Eg = 0.62 эВ) большой толщины (2мкм) и ограничительными слоями GaAlAsSb рассчитанная по этой теории плотность тока совпадает с экспериментальной [11].

В исследованных в данной работе лазерах пороговая плотность тока почти на порядок больше расчетного значения при T = 7790 K, но возрастает с температурой с тем же наклоном. Малый наклон говорит о преобладании излучательной рекомбинации, но эта излучательная рекомбинация, по-видимому, является интерфейсной. В лазерах II типа она больше, чем в лазерах I типа. Интерфейсная оже-рекомбинация в лазерах II типа, вероятно, подавляется [10], так как экспериментальная плотность тока близка к теоретически рассчитанной для случая преобладания объемной оже-рекомбинации при темпеРис. 3. Зависимости пороговой плотности тока ( jth) от ратуре 180220 K. В лазерах I типа интерфейсная ожетемпературы (T ): 1 — лазер I типа S286, 2 —лазер II типа рекомбинация, по-видимому, существенна, так как экспеV1133-3 № 1, 3 — расчет при преобладании излучательриментальная плотность тока превышает теоретическую, ной рекомбинации в объеме, 4 — расчет при преобладарассчитанную с учетом объемной оже-рекомбинации, нии оже-рекомбинации за счет CHCC- и CHHS-переходов, почти на порядок во всем интервале температур.

5 — суммарная теоретическая зависимость.

Поскольку максимальная рабочая температура определяется не только повышением порогового тока, но и резким падением дифференциальной квантовой эфинтенсивности излучения TM- и TE-поляризованного фективности с температурой (рис. 4), это означает, света соответственно. Лазеры I и II типа имеют вычто с увеличением температуры возрастают потери изсокую степень TM-поляризации, при которой вектор E лучения за счет поглощения на свободных носителях.

электрического поля световой волны перпендикулярен Так как активные области у двух сравниваемых типов плоскости p-n-перехода. Максимальная величина налазеров одинаковые, то, вероятно, большие потери на блюдается при токе j 1.5 jth и составляет для лазеров поглощение в лазерах I типа происходят либо в слоях II типа 80%, а для лазеров I типа 73%.

электрического ограничения, либо на их гетерограницах.

4. Обсудим полученные результаты.

О том, что гетерограницы оказывают существенное Из сравнения энергетических диаграмм лазеров I влияние на генерацию излучения, свидетельствует хараки II типа (рис. 1) видно, что вольт-амперные характеристики лазерных диодов не должны существенно различиться, что и подтверждают измерения. Отсечки на вольт-амперной характеристике V1, соответствующие минимальной ширине запрещенной зоны, т. е. Eg в активной области, говорят о том, что в лазерах и того и другого типа основной вклад в сопротивление дает p-n-переход, а не изотипные переходы. Изгиб вольтамперных характеристик означает, что сопротивление изотипных переходов изменяется с увеличением тока.

Для анализа температурной зависимости пороговой плотности тока учитывалась только объемная рекомбинация, так как разрывы энергетических зон на гетерограницах активной области соизмеримы с kT и для таких малых разрывов теория [10] дает только качественные закономерности.

Пороговая плотность тока jth при преобладании излучательной рекомбинации в объеме должна увеличиваться Рис. 4. Зависимости дифференциальной квантовой эффектив3/с температурой T по закону jth T (рис. 3, кривая 3).

ности () от температуры (T ) лазера I типа S286 (1) и лазера При преобладании оже-рекомбинации за счет CHCC- и II типа V1133-3 (2).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением... [3] J.I. Malin, J.R. Meyer, C.L. Felix, J.R. Lindle, L. Goldberg, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, C.-H. Lin, P.C. Chang, S.J. Murry, R.Q. Yang, S.-S. Pai. Appl. Phys. Lett., 68, 2976 (1996).

[4] H.K. Choi, G.W. Turner, M.J. Manfra, M.K. Cannors. Appl.

Phys. Lett., 68, 2936 (1996).

[5] А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 6 (1992).

[6] А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 19, 30(1993).

[7] A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev.

Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994).

[8] Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 1604 (1995).

[9] Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 1265 (1996).

[10] Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 109, 615 (1996).

[11] А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, Б.Л. Гельмонт, Б.Б. Джуртанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. ЯстреРис. 5. Зависимости степени поляризации излучения () бов. ФТП, 25, 394 (1991).

от отношения тока к пороговому току (J/Jth) лазера I типа Редактор Л.В. Шаронова S286 (1) и лазера II типа V1133-3 (2).

InAsSb/InAsSbP diode lasers with separate electrical and optical тер поляризации излучения (рис. 5). Излучение лазеров confinement emitting at 34 µm I и II типа имеет преимущественно TM-поляризацию.

Как показано в [8], преимущественно TM-поляризацию T.N. Danilova, A.P. Danilova, O.G. Ershov, имеют непрямые излучательные переходы, связанные A.N. Imenkov, N.M. Kolchanova, M.V. Stepanov, с взаимодействием носителей заряда с гетерограницей. V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev Поскольку степень TM-поляризации у лазеров II типа A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, выше, у них взаимодействие носителей заряда с гетеRussian Academy of Sciences, рограницей сильнее. Напомним, что преимущественная 194021 St.Petersburg, Russia генерация излучения на гетерограницах следует также из превышения пороговой плотности тока над теоретиче

Abstract

InAsSb/InAsSbP diode lasers with separate electrical ской при T = 7790 K, когда преобладает излучательная and optical confinement emitting at 34 µm have been investiрекомбинация.

gated. A higher maximum working temperature was obtained Таким образом, исследование лазеров на основе for lasers with electrical confinement by type II heterojunction.

InAsSb с раздельным оптическим и электрическим огра- The interface Auger-recombination process in such lasers is supничением показало, что у таких лазерных конструкций pressed. Experimental threshold current density is close to the theoretical one calculated for main contribution of the bulk Augerможет быть достигнута более высокая максимальная recombination processes at temperature 180220 K.

рабочая температура в том случае, если электрическое ограничение осуществляется с помощью гетерограницы Phone: (812)II типа.

Fax: (812)E-mail: yak@iropt1.ioffe.rssi.ru Работа частично поддержана Европейским отделением аэрокосмических исследований и разработок США (US EOARD), контракт F 6170894C0011 и проектом Министерства науки Российской Федерации ”Лазерная физика и оптика”, № 4.14.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.