WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

как 312 мэВ и 2.56%. Пунктирная линия, показанная [2] J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, на рис. 3, a, получена при подстановке данных величин A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, в выражение (3). Как видно, наблюдается хорошее соZh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36 (16), гласие полученной зависимости с независимыми экспе(2000).

риментальными данными, что подтверждает правомоч[3] K.D. Choquette, J.F. Klem, A.J. Fischer, O. Blum, A.A. Alность предлагаемого нами эмпирического подхода.

lerman, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, Трехмерный график зависимости положения лиK.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett., 36 (16), нии ФЛ от состава квантовой ямы Inx Ga1-xAs1-y Ny, 1388 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 968 А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, L. Wei, J.-S. Wang, J.Y. Chi [4] G. Steinle, H. Riechert, A.Yu. Egorov. Electron. Lett., 37 (2), 93 (2001).

[5] F. Quochi, J.E. Cunningham, M. Dinu, J. Shah. Electron. Lett., 36 (25), 1469 (2000).

[6] T. Anan, M. Yamada, K. Nishi, K. Kurihara, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett., 37 (9), 405 (2001).

[7] W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev.

Lett., 82 (6), 1221 (1999).

[8] H. Riechert, A.Yu. Egorov, G. Dumitras, B. Borchert. Abstracts Int. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS 25, Osaka 2000) p. ca314UO4 (2000).

[9] H.P. Xin, K.L. Kavanagh, C.W. Tu. J. Cryst. Growth, 208, (2000).

[10] J.S. Wang, H.H. Lin, L.W. Sung, G.R. Chen. J. Vac. Sci.

Technol. B, 19 (1), 202 (2001).

[11] M.C. Larson, C.W. Coldren, S.G. Spruytte, H.E. Petersen, J.S. Harris. IEEE Photon. Tech. Lett., 12 (12), 1598 (2000).

Редактор Л.В. Беляков Emission wavelength of InGaAsN quantum well as a function of elemental composition A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, L. Wei, J.-S. Wang, J.Y. Chi Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Industrial Technology Research institute Chutung, Hsinchu 310, Taiwan, Republic of China

Abstract

Photoluminescence peak position of InGaAsN quantum wells as a function of elemental composition has been studied.

An empiric equation describing the experimental dependence with a good accuracy is proposed. This equation allows to predict a certain content of quantum well so that one could obtain the wavelength required.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.