WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

[16] A. Reznitsky, S.D. Baranovskii, A. Tsekoun, C. Klingshirn.

2(R) в широких пределах. Например, в нашем случае Phys. Status Solidi B, 184, 159 (1994).

2(R) могло изменяться в пределах 150–350 мэВ, причем [17] С.А. Гуревич, А.И. Екимов, А.И. Кудрявцев, О.Г. Люблинне только в зависимости от величины концентрации ская, А.В. Осинский, А.С. Усиков, Н.Н. Фалеев. ФТП, 28, поверхностных ЛС в образце с x1, но и еще в зависи830 (1994).

мости от интенсивности возбуждения (рис. 2, кривая 3).

[18] Н.В. Бондарь, В.Л. Возный, Г.М. Тельбиз, А.В. Швец. Опт.

Таким образом, если положение максимума поглощения и спектр., 97, 611 (2004).

изменяется, как R-2, то при наличии стоксова смещения [19] Н.Р. Кулиш, В.П. Кунец, М.П. Лисица. ФТТ, 39, факторами, которые влияют на положение полосы ФЛ, (1997).

могут быть наличие поверхностных ЛС, интенсивность [20] А.И. Екимов, И.А. Кудрявцев, М.Г. Иванов, Ал.Л. Эфрос.

возбуждения и температура.

ФТТ, 31, 192 (1989).

В [12] показано, что форма полосы ФЛ практически [21] J. Perez-Conde, A.K. Bhattacharjee, M. Chamarro, P. Laлюбых разупорядоченных твердых тел должна иметь vallard, V.D. Petrikov, A.A. Lipovskii. Phys. Rev. B, 64, универсальный вид с бысто нарастающим коротковолно113 303 (2001); A.A. Lipovskii, E.V. Kolobkova, V.D. Petвым и затянутым длинноволновым участками, что было rikov. J. Cryst. Growth, 184/185, 365 (1998).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 968 Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, Г.М. Тельбиз [22] A.I. Ekimov, Al.L. Efros, M.G. Ivanov, A.A. Onushchenko, S.K. Shumilov. Sol. St. Commun., 69, 565 (1989).

[23] P. Maly, T. Miyoshi. J. Luminesc., 90, 129 (2000).

[24] R.W. Meulenberg, T. Jennings, G.F. Strouse. Phys. Rev. B, 70, 235 311 (2004).

Редактор Л.В. Шаронова Contribution interior and surface states carrier in spectra emission of CdS quantum dots, by grown in borosilicate glass N.V. Bondar, M.S. Brodyn, G.M. Tel’biz Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine Pisarzhevskii Institute of Physical Chemistry, National Academy of Sciences of Ukraine, 03039 Kiev, Ukraine Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.