WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

решетки кремния. При этом, если донорные атомы пары для TDD3 находятся в двух ближайших элементарных Автор выражает благодарность Я.И. Латушко за мноячейках (m = 1), то при трансформации TDD3 в гочисленные полезные обсуждения.

TDD4 один из этих атомов перемещается в следующую ячейку, т. е. TDD4 занимает уже не две, а три соседние в направлении [110] элементарные ячейки (m = 2). В Список литературы результате такой трансформации резко изменяется не [1] F.K. Ramdas, S. Rodriguez. Rep. Progr. Phys. 44, 1297 (1981).

только величина EEMT, n, но и ELFC, n, поскольку другими [2] W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev., 98, 915 (1955); W. Kohn.

будут и координаты rn обоих доноров пары в своих In: Solid State Physics, ed. by F. Seitz and D. Turnbull элементарных ячейках. Таким образом рассматриваемые (Academic, N.Y., 1957) v. 5.

дефекты можно разделить на две группы. К первой [3] R.A. Faulkner. Phys. Rev., 184, 713 (1969).

группе можно отнести TDD1–TDD3 и, по-видимому, [4] P. Wagner. J. Hage. Appl. Phys. A, 49, 123 (1989).

ненаблюдаемый методами инфракрасной спектроскопии [5] G.D. Watkins. Revs. Sol. St. Phys., 4, 279 (1990).

TDD0. Ко второй группе относятся следующие четыре [6] M. Stavola, K.M. Lee, J.C. Nabity, P.E. Freeland, L.C. Kimerдефекта: TDD4–TDD7. ling. Phys. Rev. Lett., 54, 2639 (1985).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Расчет уровней 2p-состояний термодоноров в кремнии [7] P. Wagner, H. Gottschalk, J.M. Trombetta, G.D. Watkins. J.

Appl. Phys., 61, 346 (1987).

[8] Л.Ф. Макаренко. ФТП, 28, 1434 (1994) [L.F. Makarenko.

Semicond., 28, 835 (1994)].

[9] Л.Ф. Макаренко. Докл. АНБ, 39, 44 (1995).

[10] P. Clauws, F. Callens, F. Maes, Y. Vennik, E. Boesmaa. Phys.

Rev. B, 44, 3665 (1991).

[11] A. Dolgarno, G. Poots. Proc. Phys. Soc. A, 67, 343 (1954).

[12] B.L. Moiseiwitsch, A.L. Stewart. Proc. Phys. Soc. A, 67, (1954).

[13] J.C. Slater. Electronic Structure of Molecules (McGraw-Hill, N.Y. etc., 1963).

[14] A. Thilderkvist, M. Kleverman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev.

B, 49, 16 338 (1994).

[15] Я.И. Латушко. Автореф. канд. дис. (Белорус. гос. ун-т, Минск, 1988).

[16] P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11 (1992).

Редактор Л.В. Шаронова Calculation of 2p-levels for thermal double donors in silicon L.F. Makarenko Belarus State University, 220050 Minsk, Belarus

Abstract

A model of two center structure is developed for thermal double donors (TDD) in silicon. Calculations of 2plevels of singly ionized TDD’s are performed in the effective mass approximation. From the comparison of the calculation results with experimental data, the internuclear distance between the two electrically active atoms is evaluated to be of 0.750.95 nm for the TDD1–TDD3 and of 1.351.75 nm for the next four species:

TDD4–TDD7.

Fax: 0172/265-E-mail: root@fpm.bsu.minsk.by Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.