WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

электронными состояниями, а широкие плато соответ[10] Q. Ye, R. Tsu, E.H. Nicollian. Phys. Rev. B, 44 (4), ствуют разности энергии между уровнями размерного (1991).

квантования. Исходя из сказанного выше можно сделать [11] R. Tsu, X.-L. Li, E.H. Nicollian. Appl. Phys. Lett., 65 (7), (1994).

вывод, что в эксперименте наблюдается резонансное [12] R. Tsu. Appl. Phys. A, 71, 391 (2000).

туннелирование через основной и первый возбужденный [13] Y. Inoue, A. Tanaka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto.

уровни размерного квантования в нанокристалле, а такJ. Appl. Phys., 86 (6), 3199 (1999).

же наблюдается тонкая структура, связанная с расщеп[14] И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк. ЖТФ, 68 (12), 93 (1998).

лением уровней квантования за счет одноэлектронной [15] D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B, зарядки нанокристалла.

44 (12), 6199 (1991).

[16] В.А. Бурдов. ФТП, 36 (10), 1233 (2002).

[17] Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Теоретическая физика, т. 3.

4. Заключение Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1974).

Таким образом, в работе при азотной температуре экспериментально обнаружена ступенеобразная вольт- Редактор Л.В. Шаронова амперная характеристика МОП структуры с нанокристаллами кремния в окисном слое. Степенеобразная ВАХ количественно описана в рамках модели, предполагающей осуществление транспорта заряда по цепочке локальных состояний, содержащей нанокристалл кремФизика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 952 М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев, В.А. Володин, С.А. Аржанникова, Г.А. Качурин, С.Г. Черкова...

Coulomb blockade of conductivity in SiOx film due to single electron charging of silicon dot within a chain of electronic states M.D. Efremov, G.N. Kamaev, V.A. Volodin, S.A. Arzhannikova, G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, A.V. Kretinin, V.V. Malutina-Bronskaya, D.V. Marin Institute of Semiconductor Physics Russian Academy of Sciences, Siberiam Branch, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

The studies of electrical characteristics of metal– oxide–semiconductor (MOS) structures with silicon nanoparticles embedded in silicon oxide were carried out. The silicon nanocrystals were formed under thermal annealing at temperature 1000C of SiO2 films implanted by Si+ ions. A staircase current–voltage characteristic of a MOS structure with Si nanocrystals in SiO2 film was observed at temperature 77 K. The staircase current–voltage characteristic was well approximated in the frame of model, in which the charge transport take place via a chain of local states, including a Si nanocrystal. The staircase-like characteristic is supposed to induced by Coulomb blockade of conducting chain of local states due to single-electron charging of the Si nanocrystal.

Local states in silicon dioxide is supposed to be connected with surplus of silicon atoms. The availability of local states (charge traps) was verified by measurements of the differential capacitance and conductance in implanted MOS structures as compared to the non-implanted ones. For the implanted MOS structures the differential capacitance and conductance was higher in the range of biases above of 0.2 V. In the same bias range the UV-irradiation of the implanted MOS structures leaded to decrease of conductance, caused, admittedly, by changing of the local states population within conductivity chains.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.