WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

электронной релаксации Elow =(1600 ± 100) K [10] K.N. Shrivastava. Phys. St. Sol. (b), 117, 437 (1983).

(0.138 ± 0.009) эВ. Полученная величина совпадает [11] M.B. Walker. Canad. J. Phys., 46 (11), 1347 (1968).

со значением показателя экспоненты, описывающей [12] Н.П. Баран, В.Я. Братусь, В.М. Максименко, А.В. Марков, поведение 1 в диапазоне 80-105 K, равным Ю.Г. Семенов. Письма ЖЭТФ, 55 (2), 108 (1992).

Ehigh =(1520 ± 40) K (0.131 ± 0.003) эВ; при этом [13] M. Linnarsson, E. Janzen, B. Monemar, M. Kleverman, = 1. Формально характер зависимостей и равенство A. Thilderkvist. Phys. Rev. B, 55 (11), 6938 (1997).

показателей экспонент свидетельствуют о действии ме[14] T.H. Yeom, I.G. Kim, S.H. Choh, K.S. Hong, Y.J. Park, ханизма электронной релаксации подобного механизму S.-K. Min. Sol. St. Commun., 111, 229 (1999).

Орбаха–Аминова. Однако значение энергетического Редактор Л.В. Шаронова показателя E 1560 K 134 мэВ, во-первых, близко к величине энергии ионизации нейтрального центра Relaxation of neutral manganese state марганца в арсениде галлия и, более того, превышает in gallium arsenide ее, а во-вторых, существенно больше температуры Дебая арсенида галлия. Последняя в зависимости V.F. Masterov, K.F. Shtel’makh. V.P. Maslov, от температуры кристалла может принимать S.B. Mikhrin, B.E. Samorukov значения от 275 до 341 K. Отсюда следует, что St. Petersburg State Polytechnical University, механизм Орбаха–Аминова в его исходном понимании 195251 St. Petersburg, Russia в кристалле GaAs Mn не может быть реализован.

Поэтому большая величина E свидетельствует о существовании колебательного состояния центра,

Abstract

This paper represents a result of a research of the что подтверждает предположение, сделанное на основе longitudinal magnetic relaxation of the neutral manganese state анализа электронной релаксации. Можно сослаться in gallium arsenide. The relaxation was studied following a на результаты исследования оптического поглощения deviation of the EPR line width within a low temperature и фотопроводимости в кристаллах GaAs Mn, в ходе region (3.4-8.2K) and a nuclear magnetic relaxation at higher которых были зарегистрированы колебания с энергией temperatures (36-310 K). The latter shows that the relaxation 140 мэВ [13]. of the center is defined by its local vibrations. This allows to Таким образом, результаты исследований температур- consider the electronic relaxation process at low temperatures as a ной зависимости скорости СРР показывают, что в элек- result of a local vibration nonlinearity of the center electric dopole тронной релаксации даже при сравнительно низких momentum.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.