WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

или метастабильными экситонами, за исключением са[12] Y. Mi, H. Odaka, Sh. Iwata. Jap. J. Appl. Phys., 38, мых длинноволновых из них, связанных со свободными (1999).

экситонами. [13] J.E. Jaffe, R. Pandey, A.B. Kunz. J. Phys. Chem. Sol., 52, (1991).

Теоретические расчеты зон ZnO [9–14] сильно разли[14] D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 54, чаются по дисперсии и взаимному расположению. Это (1996).

затрудняет предложить схему конкретной однозначной [15] В.В. Соболев. Журн. прикл. спектроскопии, 63, 143 (1996).

связи установленных компонент с переходами между [16] Д. Пайнс. Элементарные возбуждения в твердых телах парами зон. Общепринято, что наиболее интенсивные (М., Мир, 1965). [D. Pines. Elementary Excitations in Solids переходы ожидаются между теми парами зон, которые (N.Y.–Amsterdam, W.A. Benjamin, 1963)].

ковариантны в наибольшей области зоны Бриллюэна [4].

Редактор Л.В. Шаронова По этой упрощенной модели нами были оценены энергии таких переходов в окрестности точки и в точках направлений, U, S для зон работы [11] (последний The spectra of the dielectric function столбец табл. 2). Эти результаты не противоречат наand the characteristic electron energy шим расчетам энергий компонент.

loss of ZnO at 100 K V.Val. Sobolev, V.V. Sobolev, E.I. Terukov 5. Заключение Udmurt State University, Итак, впервые получены полные комплексы поляризо- 426034 Izhevsk, Russia Ioffe Physicotechnical Institute, ванных спектров оптических функций гексагонального кристалла оксида цинка в области 0-30 эВ, опреде- Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia лены параметры поперечных и продольных компонент переходов, установлены основные особенности спектров оптических функций и параметров переходов. Эти результаты впервые позволяют рассматривать электронную структуру и оптические свойства кристалла ZnO на основе принципиально более глубокой и детальной информации, чем это было известно до сих пор по интегральным спектрам отражения, создают новую базу для теоретических расчетов свойств оксида цинка.

Работа выполнена при финансовой поддержке Конкурсного центра фундаментального естествознания (Санкт-Петербургский государственный университет).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.