WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

поверхностной акустической волной [17].

до приложения импульса ПАВ, наблюдается увеличение Перейдем теперь к рассмотрению поведения кривых интенсивности ФЛ и ”перегиб”, после которого затухазатухания интенсивности переходов донор–акцептор при ние ускоряется. Аналогичное поведение кривых затухаприложении ПАВ и покажем, что оно также находится ния ранее наблюдалось нами при повышении температув согласии с рассматриваемой моделью. В соответствии ры образца [6]. В нашем случае, однако, при больших с моделью, для наличия эффекта длительного затухания временах задержки вновь наблюдается длительное затузаполнение ловушек электронами должно быть близко хание ФЛ, отсутствующее при измерении в условиях пок 100%, а концентрация свободных электронов к моменвышенной температуры решетки. При смещении частоты ту приложения ПАВ много меньше концентрации элекк минимуму АЧХ перегиб кривой исчезает, и остается тронов, захваченных на ловушки, и составлять 0.1% только эффект ионизации доноров при приложении ПАВ, от их количества. Предположим теперь, что в роли соответствующий по амплитуде напряженности электриловушек выступают мелкие доноры. Тогда ионизация при ческого поля ПАВ 40 В/см. Поскольку длительное приложении ПАВ малой части доноров, порядка 1% затухание ФЛ при повышенной температуре решетки не от их концентрации, вызовет повышение интенсивности наблюдается, можно предположить, что перегиб в начале переходов зона–акцептор в несколько раз. При этом кривой затухания при напряженности электрического малое изменение концентрации электронов, захваченных поля ПАВ 400 В/см вызван не тепловыделением на ВШП на доноры, не приведет к заметному уменьшению интенво время импульса, а кратковременным повышением сивности переходов донор–акцептор, что и наблюдается температуры решетки из-за нагрева электронного газа.

на рис. 3.

Этот нагрев обусловлен взаимодействием плотного газа Отсутствие возгорания экситонной ФЛ под действием носителей, генерируемого лазерным импульсом, с акуПАВ указывает на то, что ионизация мелких акцепторов стической волной, находящейся в течение длительного (EA 30 мэВ) не происходит. Это означает, что глубина времени в резонаторе, образованном ВШП и торцом залегания ловушек, обусловливающих длительное зату- кристалла ниобата лития.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 936 К.С. Журавлев, А.М. Гилинский, А.В. Царев, А.Е. Николаенко Заключение [11] В.В. Антонов-Рамановский. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966).

[12] G.M. Martin, A. Mittonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, Таким образом, в данной работе было впервые ис191 (1977).

следовано влияние электрического поля поверхностной [13] K.S. Zhuravlev, D.V. Petrov, Yu.B. Bolkhovityanov, N.S. Ruакустической волны на кинетику краевой ФЛ в GaAs. Обdaja. Appl. Phys. Lett., 70, 3389 (1997).

наружено, что при подаче импульсов ПАВ с напряженно[14] C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Bohm, G. Weimann.

стью электрического поля более 10 В/см интенсивность Phys. Rev. B, 57, 6850 (1998).

переходов зона проводимости –акцептор возрастает, в [15] Ю.М. Гальперин, И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, Д.А. Прито время как кинетика затухания переходов донор– стинский, И.Ю. Смирнов, А.И. Торопов. Тез. докл. 4-й акцептор существенно не изменяется при напряженности Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, поля до 50 В/см. При напряженности поля вплоть до мак- 1999) с. 109.

симальной использованной в 400 В/см возгорание экси- [16] A. Wixforth, J. Scriba, M. Wassermeier, J.P. Kotthaus, G. Weimann, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 40, 7874 (1989).

тонной ФЛ под действием ПАВ не наблюдается. Опи[17] C. Rocke, S. Zimmermann, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, санное поведение кинетики краевой ФЛ свидетельствует G. Bohm. Phys. Rev. Lett., 78, 4099 (1997).

об ионизации мелких доноров под действием электрического поля ПАВ и подтверждает предложенную модель Редактор Т.А. Полянская механизма рекомбинации в чистом GaAs, объясняющую длительное затухание ФЛ мелких акцепторов влиянием Influence of a surface acoustic wave многократного захвата свободных электронов мелкими on kinetics of GaAs photoluminescence донорами. Показано, что эффект ионизации доноров в K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.V. Tsarev, электрическом поле определяет вид кинетики ФЛ при A.E. Nickolaenko напряженности электрического поля ПАВ до 100 В/см, а при большей напряженности значительным становится Institute of Semiconductor Physics, влияние разогрева электронного газа.

Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia Авторы благодарны А.И. Торопову (ИФП СО РАН) за предоставление образцов эпитаксиального GaAs и

Abstract

An experimental investigation of kinetics of lowИ.Л. Дричко (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петерtemperature photoluminescence of undoped GaAs under the influбург) за ознакомление с методической стороной рабоence of the electric field of a surface acoustic wave has been carried ты [15].

out. It is shown that the application of a surface acoustic wave pulse Работа была поддержана Российским фондом фундаwith a field amplitude up to 50 V/cm, delayed by 20-30 µs ментальных исследований (грант № 98-17896).

with respect to the laser excitaiton pulse, results in a considerable (10-20 times) increase of the band-to-acceptor transition intensity, while the intensity of the donor-to-acceptor transitions changes only Список литературы slightly and no excitonic luminescence build-up is observed. The experimental data evidenced the ionization of shallow donors under [1] D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen. Phys.

the influence of the electric field of the surface acoustic wave, and Rev. B, 31, 7788 (1985).

confirmed the model of the recombinations mechanism that we [2] Я.Ю. Аавиксоо, И.Я. Рейманд, В.В. Россин, В.В. Травников.

Письма ЖЭТФ, 53 (7), 377 (1991). had proposed to explain the long nonexponential decay behavior [3] Д.З. Гарбузов, В.Б. Халфин, М.К. Трукан, В.Г. Агафонов, of free–electron luminescence peculiar to pure GaAs. The model А. Абдуллаев. ФТП, 12, 1368 (1978).

in question considers multiply repeated trappings and detrappings [4] R. Dingle. Phys. Rev., 184, 788 (1969).

of free electrons by shallow donors as the reason for occurrence of [5] A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 68, long decays.

(1996).

[6] К.С. Журавлев, А.М. Гилинский. Письма ЖЭТФ, 65 (1), (1997).

[7] А.М. Гилинский, К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.Т. Мошегов, А.И. Торопов. Тез. докл. 3-й Росс. конф. по физике полупроводников (М., 1997) с. 207.

[8] A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. Collected Abstracts of the International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (Osaka, Japan, Aug. 23– 27, 1999) p. 172.

[9] А.М. Гилинский, К.С. Журавлев. Тез. докл. 4-й Росс. конф.

по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 102.

[10] Э.И. Адирович. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов (М., Гос. изд-во / Техн.-теорет. лит., 1956).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.