WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

го слоя, приводящими к существенному разрушению [3] C.N. Afonso, M. Alonso, J.L.N. Neira, A.D. Sequeira, M.F. da поверхности. Этот вывод подтверждается тем, что при Silva, J.C.Soares. J. Vac. Sci. Technol. A., 7, 3258 (1989).

[4] G. Bahir, R. Kalish. Appl. Phys. Lett., 39, 730 (1981).

электронно-микроскопических исследованиях образцов [5] Л.А. Головань, А. Перес Наварро, П.К. Кашкаров, В.С. КуCdHgTe, подвергнутых ИЛО с W = 100 150 мДж/см2, ликаускас, В.Ю. Тимошенко, Н.Г. Чеченин. Поверхность.

наблюдается заметное изменение морфологии поверхноФизика, химия, механика (в печати).

сти [2,8].

[6] Г.Г. Громов, С.В. Серегин, С.В. Жук, В.Б. Уфимцев. Физика Обсудим данные по влиянию надпорогового ИЛО на и химия обраб. материалов, № 4, 19 (1990).

ФП. Величина лазерно-индуцированного гашения ФП [7] И.С. Вирт, А.С. Любченко, П.Е. Мозоль, В.А. Гнатюк. ФТП, не может быть объяснена изменением коэффициента 23, 1386 (1986).

отражения ввиду малых вариаций и неизменности формы [8] P.E. Mozol, V.V. Borsch, V.A. Gnatyuk, E.P. Kopishynskaya, спектра последнего после ИЛО. Стало быть, можно A.I. Vlasenko. Semicond. Sci. Technol., 10, 61 (1995).

сделать вывод об уменьшении времени жизни неоснов- [9] П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, ных носителей заряда в результате дефектообразования. химия, механика, № 6, 5 (1995).

Большая степень гашения ФП, возбуждаемой более ко- [10] M.M. Jevti, M.J. epanovi. Appl. Phys. A, 53, 332 (1991).

[11] L. Via, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev.

ротковолновым излучением, объясняется поверхностной B, 29, 6752 (1984).

локализацией возникающих дефектов. Выход на стаци[12] R.O. Bell, M. Toulemonde, P. Siffert. Appl. Phys., 9, онарное значение ФП, вероятно, связан с вкладом но(1979).

сителей заряда, продифференцировавших в объем. Дей[13] J.C. Brice, P. Capper, C.L. Jones. J. Cryst. Growth, 75, ствительно, длина диффузии носителей заряда в CdHgTe (1986).

составляет 10 мкм [19], тогда как толщина расплавленно[14] D. Long, J.L. Schmidt. Semiconductors and Semimetals го слоя при W = 70 мДж/см2 не превышает 100 нм (см.

(1970) v. 5, p. 185.

рис. 1, b), а толщина дефектного слоя образовавшегося в [15] K.C. Demiduk, W.G. Opyd, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon, результате лазерного воздействия с той же плотностью T.J. Magee, R.D. Ormond. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, энергии, определенная методом резерфордовского обрат- (1983).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость... [16] Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖТФ, 21, вып. 23, 26 (1995).

[17] P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, N.G. Chechenin, A.N. Obraztsov. Laser Physics, 2, 790 (1992).

[18] M. epanovi, M. Jevti. Phys. St. Sol. (a), 147, 379 (1995).

[19] Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990).

Редактор Л.В. Шаронова Influence of pulsed laser irradiation on optical properties and photoconductivity of CdHgTe L.A. Golovan, P.K. Kashkarov, V.M. Lakeenkov, V.Yu. Timoshenko M.V. Lomonosov Moskow State University, 119899 Moskow, Russia State Scientific Research Institute of Rare Metals, Moskow, Russia

Abstract

The melting thresholds Wm = 4050 mJ/cm2 at initial temperature T0 = 100 K and Wm = 3040 mJ/cm2 at T0 = 300 K were determined by a numerical simulation of the process of nanosecond ruby laser pulsed irradiation of Cd0.2Hg0.8Te. Laserinduced modification of the sample surface under irradiation with energy W < Wm that resulted in a stationary photoconductivity quenching and a rise of the reflection coefficient was found. Laser treatment with W above the melting threshols caused the additional increase of the reflection coefficient at Wm < 100 mJ/cm2 and its drop at Wm > 110 mJ/cm2. Above-threshold irradiation resulted in a monotone decrease of the photoconductivity that can be explained by the defect formation in the near-surface region due to the composition variations.

E-mail: vtim@ofme.phys.msu.su (Timoshenko) Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.