WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

менте сразу после облучения сдвиг полосы в Si1-xGex по [8] L.J. Cheng, J. Lori. Phys. Rev., 171, 856 (1968).

сравнению с Si можно, очевидно, объяснить наложением [9] H.J. Stein. J. Appl. Phys., 45, 1954 (1974).

двух факторов — сдвигом, связанным с изменением [10] E.V. Monakov, A.N. Larsen, P. Kringhf. J. Appl. Phys., 81, ширины запрещенной зоны с составом, и вкладом от по1180 (1996).

лосы поглощения, соответствующей V2. С увеличением [11] A.N. Larsen. Sol. St. Phenom., 69–70, 43 (1999).

содержания германия вклад в полосу поглощения от V[12] N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex, A. Gerhardt, увеличивается, чем и объясняется, вероятно, отклонение W. Schrder. J. Cryst. Growth, 166, 657 (1996).

[13] N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, зависимости величины сдвига полосы от аналогичной W. Schrder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997).

зависимости для изменения Eg.

[14] E.R. Johnson, S.M. Christian. Phys. Rev., 95, 560 (1954).

Таким образом, полученные в работе эксперименталь[15] Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник, ные данные позволяют сделать вывод, что в монокристалН.В. Абросимов, В. Шрёдер, М. Нёне. ФТП, 34, лах Si1-xGex при облучении образуются V2, характерные (2000).

для кремния, и комплексы V2 с атомами германия — [16] Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. Lett., 60 A, V2Ge, а полоса поглощения вблизи 5560 см-1 является (1977).

суперпозицией двух полос поглощения, соответствую[17] J. Lennart Lindstrm, Bengt G. Svensson. Mater. Res. Soc.

щих поглощению этими двумя центрами. Отсутствие Symp. Proc., 59, 45 (1986).

влияния германия на накопление дивакансий, оцененное [18] G. Davies, E.C. Lightowlers, R.C. Newman, A.S. Oates.

по полосе поглощения вблизи 5560 см-1, объясняется Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987).

[19] P. Stallinga, P. Johannesen, S. Herstrom, K. Bonde Nielsen, тем фактом, что мы в нашем эксперименте измеряем B. Bech Nielsen, J.R. Byberg. Phys. Rev. B, 58, 3842 (1998).

суммарную концентрацию дивакансий и обнаружнных [20] M. Fanciulli, J.R. Byberg. Phys. Rev. B, 61, 2657 (2000).

центров V2. Таким образом, интенсивность в максимуме [21] A. Brelot, J. Charlemagne. Proc. Int. Conf. Rad. Effects in полосы поглощения в области 5560 см-1 в твердых расSemicond. (London–N.Y.–Paris, 1971) p. 161.

творах Si1-xGex не может быть использована для оценки [22] Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, концентрации вводимых при облучении дивакансий.

Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987).

Следует подчеркнуть, что все описанные выше осо[23] М.Г. Соснин, В.И. Шаховцов, В.Л. Шиндич. ФТП, 15, бенности спектров поглощения в области дивакансий (1981).

проявляются при высоких концентрациях германия. Это [24] B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindstrm, G. Davies, означает, что при исследовании процессов дефектообраJ.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 51, 2257 (1987).

зования в Si1-xGex, по всей вероятности, необходимо разРедактор Л.В. Шаронова личать область низких и высоких концентраций германия в кремнии. Влияние германия на процессы образования Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. О природе полосы поглощения дивакансии 5560 см-1 в Si1-xGex On the nature of the 5560 cm-1 divacancy absorption band in Si1-xGex L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, N.V. Abrosimov+, W. Schrder Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03039 Kiev, Ukraine, Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia + Institute of Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany

Abstract

It has been shown that in Si1-xGex single crystals two type centers are formed during irradiation: divacancies V2, that are characteristic of silicon, and V2, which are complexes of V2 with Ge atoms (V2Ge). As a result, the absorption band near 5560 cm-1 is a superposition of two absorption bands corresponding to these centres. During an isothermal annealing, an interaction of the diffusing V2 with Ge atoms takes place and the additional formation of the V2 is observed. The V2 centres are more thermally stable than the V2 ones and their annealing temperature rises with the increase in the Ge content.

3 Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.