WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Проведенные численные расчеты при различных па[9] В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводраметрах задачи показывают, что основная трудность ников (М., Наука, 1965).

применения предлагаемых формул (15) и (16) связана [10] L.H. Holway. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-37, 1104 (1990).

с необходимостью вычисления производных высокого [11] И.В. Ирин. А.В. Мурель. ПТЭ, 6, 150 (1993).

порядка. Это накладывает достаточно жесткие требоРедактор Л.В. Шаронова вания на точность исходных данных. В частности, при 3 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 930 В.И. Шашкин, И.Р. Каретникова, А.В. Мурель, И.М. Нефедов, И.А. Шерешевский Simple method for extraction of detailed structure of dopant distribution in semiconductors at electrochemical C-V profiling V.I. Shashkin, I.R. Karetnikova, A.V. Murel, I.M. Nefedov, I.A. Shereshevskii Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603600 Nyzhny Novgorod, Russia

Abstract

The simple method for the extraction of a detailed structure of a dopant distribution in semiconductors based on the data of an electrochemical C-V profiling is suggested. The method gives a possibility to determine a dopant distribution directly from a semiconductor surface and provides a sub-debye-legth resolution.

The results of a numerical simulation confirm a possibility of semiconductor dopant profile extraction with nanometer depth resolution.

E-mail: sha@ipm.sci-nnov.ru Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.