WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||
Режимы термообработки и данные по спектрам фотолюминесценции (ФЛ) при 2 K Особенности спектров (полосы ФЛ) T, t, Образцы Покрытие Краевая Примесная 1 Примесная C h Ied/Iimh, эВ Ied h, мэВ h, эВ Iim1 h, мэВ h, эВ IimPGA-1in - - - 1.512 2586.0 5.910 1.487 7771.2 9.110 0.333 1.450 581.SGA-8Y TSC Y 800 0.25 1.512 1837.4 5.913 1.490 2584.8 9.672 0.711 - SGA-6Y TSC Y 800 0.5 1.513 3296.5 6.648 1.490 3855.6 9.677 0.855 - SGA-4Y TSG Y 800 3 1.512 46419.6 6.283 1.489 17724.4 9.312 2.619 - PGA-4Y-370 TSC Y 800 3 1.512 10683.1 6.091 1.490 7715.0 8.241 1.385 - SGA-3Y TSC Y 800 28 1.514 1400.7 7.444 1.490 1235.8 9.679 1.133 - AGC-25in - - - 1.513 3765.5 6.463 1.489 7234.6 9.841 0.520 1.453 546.AGC-25Y TSC Y 800 0.5 1.512 6303.5 6.281 1.491 7223.0 10.417 0.873 - AGPin - - - - - - 1.488 925.8 10.199 - - AGP-1-Y TSC Y 800 0.5 1.513 2120.3 5.170 1.493 3905.0 10.084 0.543 - PGA1-10-3YNi TSC YNi 800 0.25 1.511 6279.9 6.488 1.487 3578.9 10.435 1.755 - PGA1-10-2YNi TSC YNi 800 0.5 1.511 7289.3 6.558 1.488 2616.3 9.249 2.786 - PGA1-6-1YNi TSC YNi 800 1 1.512 2594.4 6.450 1.489 963.7 9.448 2.692 - PGA1-6-2YNi TSC YNi 800 2 1.512 2467.7 6.193 1.488 860.3 9.009 2.868 - PGA1-SiO2 TSC SiO2 850 5 1.511 199.1 5.601 1.488 270.4 7.152 0.736 - PGA1-SiO2 TSC SiO2 850 38 1.511 1223.7 5.449 1.486 3830.1 8.772 0.320 1.444 737.PGA-800Y OSC Y 800 0.25 1.510 49.2 9.132 1.488 101.2 8.280 0.487 1.444 28.PGA-800 - 800 0.25 - - - 1.488 1368.3 10.863 - - PGA-700Y OSC Y 700 0.25 1.511 1121.5 5.889 1.490 352.2 10.034 3.184 - PGA-700 - 700 0.25 1.511 546.5 8.950 1.488 1091.6 11.160 0.501 - SGA-1Y (p-type) TSC Y 800 0.25 1.511 1070.4 7.225 1.489 1209.5 9.729 0.885 1.453 114.PGA1-6-2YNi (p-type) TSC YNi 800 2 1.512 4571.0 6.341 1.489 1346.3 9.163 3.395 - PGA1-10-2YNi (p-type) TSC YNi 800 0.5 1.512 222.1 5.756 1.489 159.1 10.900 1.396 1.444 53.PGA1-10-1YNi (p-type) TSC YNi 800 0.25 1.512 563.2 6.492 1.489 503.8 9.581 1.118 - высокими значениями времени жизни неосновных носи- Использование РЗЭ в технологии опто- и микротелей заряда ( 10 мкс), высокой дрейфовой скоростью электронных приборов на основе InGaAs/InP позволило электронов в InGaAs (2.8 · 107 м/с), чисто-зеленой лю- создать:

минесценцией в GaP ( = 555 нм). — структуры с двумерным электронным газом с поУстановлено, что по мере увеличения концентрации движностью электронов 1.23 · 104 см2 В-1 с-1 при 300 K изовалентных РЗЭ в жидкой фазе от 0.001 до 0.1 ат% и 7.3 · 104 см2 В-1 с-1 при 4.2 K, которые не чувв эпитаксиальных слоях InP и InGaAs происходит ствительны к освещению белым светом, что весьма инверсия типа проводимости при их концентрациях важно для полевых транзисторов с высокой подвиж0.001-0.008 ат% для различных РЗЭ в зависимости от ностью (HEMT);

фона акцепторных примесей. — фотоприемники различных типов: планарные фоПоказано, что предельная растворимость РЗЭ в твер- торезисторы на основе InGaAS и InP для спектдой фазе не превышает 1015 см-3 при температуре рального диапазона 0.2-1.6мкм, pin-фотодиоды спектэпитаксии 645C, оценка коэффициента распределения рального диапазона 1.0-1.6 мкм с чувствительностью дает величину < 10-4. до 0.7 А/Вт, быстродействием 50 пс и темновыми Установлено, что РЗЭ, помимо взаимодействия с фо- токами 10-7 А/см2; лавинные фотодиоды с чувствиновыми примесями в жидкой фазе, вступают во взаимо- тельностью в диапазоне 0.9-1.35 мкм с умножением действие с основными компонентами раствора-распла- M = 200 и темновыми токами 10-5 А/см2 при 0.9Uf ;

ва, в том числе с фосфором, что приводит к уменьшению вертикальные полевые фототранзисторы спектрального пересыщения раствора-расплава по фосфору, и это диапазона 1.0-1.6 мкм со статическим коэффициентом необходимо учитывать при выращивании многослойных усиления 100;

структур. — барьеры Шоттки на основе n-InP и n-InGaAs с Показано, что совместное легирование растворов- токами утечки на несколько порядков ниже, чем у расплавов РЗЭ и Sn позволяет управлять кон- барьеров Шоттки Au-n-InP(InGaAs);

центрацией электронов в слоях в пределах — МДП структуры на основе InP с плотностью 1014-1017 см-3, при этом подвижность электронов поверхностных состояний на границе раздела диэлектв InGaAs при n =(1-2) · 1017 см-3 достигает рик-полупроводник < 1011 эВ-1 см-2, фиксированным 7000 см2 В-1 с-1 при 300 K. зарядом < 1011 см-2 и гистерезисом менее 0.2 В;

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Редкоземельные элементы в технологии соединений AIIIBV и приборов на их основе — полевые транзисторы с барьером Шоттки на основе [4] С.И. Пышкин, С.И. Радуцан, С.В. Слободчиков. ФТП, 1, 1013 (1967).

n-InGaAs (n 2 · 1017 см-3) с крутизной 180 мСм/мм при 300 K и коэффициентом усиления по мощ- [5] L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, A.T. Gorelenok, N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology. Processing ности 17 дБ на 4 ГГц при размере затвора 1.5 290 мкм;

and Novel Fabrication Techniques (N. Y-Chichester-Wein— светодиодные p-n-структуры на основе GaP heim-Brisbane-Singapore-Toronto, John Wiley & Sons, чисто-зеленого ( = 555 нм) излучения;

Inc., 1997) p. 91.

— диоды Ганна на основе n-InGaAs/n+-InP с эффектив[6] A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt. Microelectностью генерации 2.5% в 8-миллиметровом диапазоне ron. J., 26, 705 (1995).

длин волн.

[7] В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Г. Макаренко, Н.С. ЦеРезультаты по поверхностному геттерированию GaAs лищева. ФТП, 15, 1414 (1981).

пленками РЗЭ можно суммировать следующим образом.

[8] H. Ennen, J. Schneider. J. Electron. Mater., 13, 114 (1984).

— Поверхностное геттерирование пластин GaAs тол[9] В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24, 610 (1984).

щиной 1.6 мм с исходной концентрацией носителей [10] H. Nakagome, K. Takahei. Jap. J. Appl. Phys., 28, L2 · 1015 см-3 и подвижностью 1500-2000 см2 В-1 с-(1989).

позволило снизить концентрацию носителей до 108 см-3 [11] K. Thonke, H.U. Hermann, J. Schneider. J. Phys. C: Sol. St.

и увеличить их подвижность до 7000 см2 В-1 с-1.

Phys., 21, 5881 (1988).

— Поверхностное геттерирование пластин GaAs [12] D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, пленками Y при одно- и двухстороннем покрытии поJ.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, верхности пластин носит объемный характер. 2181 (1992).

— Показано, что эффект геттерирования начинает [13] M.M. Factor, J. Haigh. US Patent C30B29/40 N (1982).

работать с достаточно низких температур термообработ[14] К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, С.И. Карпенко, В.В. Мамутин, ки (700C).

Р.П. Сейсян. ФТП, 17, 2148 (1983).

— Однородное распределение концентрации носите[15] Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, лей ND-NA и эффективного времени жизни по толщине А.В. Каманин, В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, пластин является уникальным результатом.

Ю.П. Толпаров, А.Е. Шубин. ФТП, 18, 83 (1984).

— В процессе геттерирования происходит генерация [16] W. Krber, J. Weber, A. Hangleiter, K.W. Benz, H. Ennen, дефектов-антиподов: AsGa и GaAs, а также, возможH.D. Mller. J. Cryst. Growth, 79, 741 (1986).

но, собственных дефектов различного типа: VGa, VAs, [17] A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, IGa, IAs. Основную роль в процессе геттерирования, V.K. Eremin, E.M. Verbitskaya, V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, по-видимому, играет не прямая аннигиляция дефектовY.P. Veretenkin, T.J. Bowles. Nucl. Instrum. Meth. Phys.

антиподов, а их пространственное разделение и образоRes. A, 439, 651 (2000).

вание комплексов с их участием, результатом чего яв[18] В.Ф. Андриевский, А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, ляется снижение концентрации носителей и возрастание А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. ФТП, 36, 404 (2002).

их подвижности.

[19] F. Hulliger. In: Handbook on the Physics and Chemistry of — Геттерированный GaAs может быть перспективен Rare Earth, ed. by K.A. Schneider, L. Eyring (Amsterdam, для высоковольтных мощных силовых приборов, детекNorth-Holland, 1979) v. 4, p. 153.

торов рентгеновского, ядерного излучений и частиц, [20] H. Nakagome, K. Takanei, Y. Homma. J. Cryst. Growth, 85, включая нейтрино, а также для сверхбольших сверхбы- 345 (1987).

стродействующих интегральных микро- и оптоэлектрон- [21] O. Aina, M. Mattingly, S. Steinhauser, R. Mariella, Jr., A. Melas. J. Cryst. Growth, 21, 215 (1988).

ных схем. При этом технология получения такого ма[22] В.Н. Романенко, В.С. Хейфец. Изв. АН СССР. Неорг.

териала проста и вписывается в обычную технологию матер., 9, 190 (1973).

приготовления подложек с включением только двух [23] В.Х. Байрамов, Л.Ф. Захаренков, Г.В. Ильменков, дополнительных операций: нанесение геттерирующих В.Ф. Мастеров, В.В. Торопов. ФТП, 23, 1496 (1989).

покрытий и термообработки.

[24] А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, Р. Кумар, В.В. Мамутин, Таким образом, проведенные исследования показали Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22, эффективность и перспективность использования РЗЭ 35 (1988).

в технологии соединений AIIIBV и приборов опто- и [25] Ю.А. Карпов, В.В. Мазуренко, В.В. Петров, В.С. Просоломикроэлектроники на их основе.

вич, В.Д. Ткачев. ФТП, 18, 368 (1984).

[26] В.Г. Голубев, А.Т. Гореленок, В.И. Иванов-Омский, В.В. Мамутин, И.Г. Минервин, А.В. Осутин. Письма ЖТФ, Список литературы 11, 347 (1985).

[27] А.Т. Гореленок, В.В. Мамутин, Д.В. Пуляевский, Д.Н. Рех[1] J. Mandelkorn, L. Schwartz, J. Broder, H. Kautz. J. Appl.

виашвили, Н.М. Шмидт. ФТП, 21, 1514 (1987).

Phys., 35, 2258 (1964).

[28] А. Галаванаускас, А.Т. Гореленок, З. Добровольскис, [2] Н.Т. Баграев, Е.П. Бочкарев, Л.С. Власенко, В.П. Гришин, С. Кершулись, Ю. Пожела, А. Реклайтис, Н.М. Шмидт.

Р.А. Житников, Ю.А. Карпов. Изв. АН СССР. Неорг.

матер., 14, 614 (1978). ФТП, 22, 1672 (1988).

[3] Г.В. Лашкарев, А.И. Дмитриев, Г.А. Сукач, В.А. Шершель. [29] В. Балинас, А.Т. Гореленок, А. Кроткус, А. Сталненис, ФТП, 5, 2075 (1971). Н.М. Шмидт. ФТП, 24, 848 (1990).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 940 А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, Н.М. Шмидт [30] В.Г. Голубев, А.Т. Гореленок, В.И. Иванов-Омский, [55] В.Ф. Андриевский, А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, И.Г. Минервин, А.В. Осутин. Изв. АН СССР. Сер. физ., А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. ФТП, 36, 404 (2002).

50, 282 (1986). [56] В.Ф. Андриевский, А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, [31] C. Aldreich, R.L. Greene. Phys. St. Sol. (b), 93, 343 (1979). А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 27 (23), [32] Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.В. Ма- (2001).

мутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев, [57] L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994).

Ю.В. Шмарцев. ФТП, 18, 1230 (1984). [58] A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. Kokha[33] А.Т. Гореленок, Д.Н. Рехвиашвили, М.Ю. Надточий, novskii, M.M. Mezdrogina, N.M. Shmidt, V.I. Vasil’ev. J. Phys.

В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 16 (8), 47 (1990). Condens Matter., 14, 13 105 (2002).

[34] А.Т. Гореленок, Д.Н. Рехвиашвили, М.Ю. Надточий, [59] A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. KokhaВ.М. Устинов. ФТП, 25, 908 (1991). novskii, N.M. Shmidt. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 186, [35] А.Т. Гореленок, М.В. Шпаков. ФТП, 30, 488 (1996). 240 (2002).

[36] A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, M.V. Shpakov. Inst. Phys. [60] A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. KokhaConf. Ser., 155, 385 (1997). novskii, N.M. Shmidt. Proc-2001 European Microwave [37] В.И. Борисов, А.Т. Гореленок, С.Г. Дмитриев, В.Е. Любчен- Week: GaAs’2001 Conference (Sept. 24-25 2001, London, ко, Д.Н. Рехвиашвили, А.С. Роганков. ФТП, 26, 611 (1992). England) p. 13.

[38] Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, В.Г. Дальниченко, А.В. КаРедактор Т.А. Полянская манин, В.И. Корольков, В.В. Мамутин, Т.С. Табаров, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 9, 1516 (1983).

Rare-earth elements in technology [39] А.Т. Гореленок, В.Г. Данильченко, З.П. Добровольскис, В.И. Корольков, В.В. Мамутин, Т.С. Табаров, Н.М. Шмидт, of III-V compounds and devices based Д.В. Пуляевский. ФТП, 19, 1460 (1985).

on them [40] В.М. Андреев, М.С. Богданович, А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.Г. Дальниченко, М.З. Жингарев, Н.Д. Ильинская, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt Л.Б. Карлина, В.И. Корольков, В.В. Мамутин, И.А. МоIoffe Physicotechnical Institute, кина, Н.М. Сараджишвили, Л.М. Федоров, Н.М. Шмидт.

Russian Academy of Sciences, ЖТФ, 55, 1566 (1985).

194021 St. Petersburg, Russia [41] В.М. Андреев, А.Т. Гореленок, М.З. Жингарев, Л.Е. Клячкин, В.В. Мамутин, Н.М. Сараджишвили, В.И. Скопина, О.В. Сулима, Н.М. Шмидт. ФТП, 19, 668 (1985).

Abstract

The results of our investigation on applications of [42] В.А. Волков, А.Т. Гореленок, В.Н. Лукьянов, И.А. Рачков, rare-earth elements (REE) to liquid phase epitaxy of InP, InGaAsP, Д.Н. Рехвиашвили, Н.М. Шмидт, С.Д. Якубович. ПисьInGaAs, GaP, and on fabrication of various opto- and microма ЖТФ, 12, 1059 (1987).

electron devices based on them, as well as the results on surface [43] K. Nishida, K. Taguchi, Y. Matsumoto. Appl. Phys. Lett., 35, gettering GaAs by REE films in order to obtain high-resistivity 251 (1979).

materials for various purposes have been summarized.

[44] S.R. Forrest. IEEE J. Quant. Electron., 17, 217 (1981).

[45] O.K. Kim, S.R. Forrest, W.A. Bonner, R.G. Smith. Appl. Phys.

Lett., 39, 402 (1981).

[46] Ж.И. Алфёров, М.Г. Васильев, А.Т. Гореленок, Н.Д. Ильинская, Н.Г. Лозовая, В.В. Мамутин, Т.А. Маркова, А.А. Шелякин. Письма ЖТФ, 8, 722 (1982).

[47] М.С. Богданович, В.И. Корольков, Н. Рахимов, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 11, 89 (1985).

[48] А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.Г. Дальниченко, Н.Д. Ильинская, В.И. Корольков, В.В. Мамутин, И.А. Мокина, Н.М. Сараджишвили, Т.С. Табаров, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 10, 1294 (1984).

[49] S. Loualiche, H. L’Haridon, A. Le Corre, D. Lecrosnier, M. Salvi, P.N. Favennec. Appl. Phys. Lett., 52, 540 (1988).

[50] Ж.И. Алфёров, В.И. Босый, А.Т. Гореленок, А.В. Иващук, Н.Д. Ильинская, М.Н. Мизеров, И.А. Мокина, Д.Н. Рехвиашвили, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 14, 2001 (1988).

[51] А.Т. Гореленок, В.Л. Крюков, Г.П. Фурманов. Письма ЖТФ, 20 (13), 60 (1994).

[52] N. Shmidt, A. Gorelenok, V.V. Emtsev, A. Kamanin, A. Markov, M. Mezdrogina, D.S. Poloskin, L. Vlasenko. Sol. St. Phenomena, 69-70, 279 (1999).

[53] Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт. ФТП, 35, 184 (2001).

[54] Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин, С.И. Кохановский, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 21 (1), 19 (2001).

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.