WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex.

Получение и структурные характеристики © Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 262650 Киев, Украина Институт химии поверхности Национальной академии наук Украины, Украина (Получена 3 апреля 1996 г. Принята к печати 25 декабря 1996 г.) Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с ориентацией (100) и (111) получены эпитаксиальные слои Si, Ge, Si1-xGex и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Изучены процессы роста указанных структур и методами рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии исследованы их структурные характеристики и химический состав. В частности показано, что при рассмотренных режимах получения сверхрешеток Si/Si1-xGex могут быть получены структурно совершенные напряженные сверхрешетки с числом сателлитов вплоть до ±5 порядка.

Современные эпитаксиальные методы выращивания Одной из основных проблем при выращивании соверполупроводниковых слоев позволяют осуществлять кон- шенных квантово-размерных структур и гетероструктур троль процессов роста на атомарном уровне. Комбини- на основе Si и Ge является обеспечение послойного рование типов полупроводников и толщин их эпитакси- двумерного ступенчатого роста при относительно низких альных слоев дает возможность создавать структуры (ге- температурах эпитаксии (T 550C) во избежание протеропереходы, квантовые ямы, сверхрешетки) с управля- цесса трехмерного роста при повышенном содержании емыми характеристиками для целей микро- и оптоэлек- Ge в слоях, так как в противном случае нарушается троники. К настоящему времени наиболее изученными морфология поверхности слоев Si1-xGex и возникает являются структуры на основе полупроводников III и V большая концентрация дефектов в них.

групп, наиболее важные из которых кристаллизуются в При гетероэпитаксии полупроводников с различными структуре цинковой обманки. В некоторых случаях для постоянными кристаллических решеток существуют криструктур могут быть выбраны компоненты с одинаковы- тические толщины эпитаксиальных слоев, до которых ми периодами решетки, что позволяет осуществлять кон- рассогласование решеток компенсируется напряжениятрольную гетероэпитаксию и получать высококачествен- ми в слоях. В рассматриваемом случае это приводит к теные структуры. Однако наиболее важными в прикладном трагональному искажению элементарной ячейки. Типичотношении остаются структуры на основе элементарных ные значения критических толщин для слоев Si1-xGex на полупроводников, в особенности Si как основного мате- подложках при температурах выращивания T 500C риала полупроводниковой микроэлектроники. составляют 1000 для слоев с a = 1% ( 20%Ge) Свойства объемных кристаллов Si1-xGex исследуются и только 10 для a = 4.2% (чистый Ge). При уже много лет (см., например, [1]). В зависимости от превышении критических толщин происходит релаксахимического состава ширина запрещенной зоны этих со- ция механических напряжений в слоях и образуются единений может изменяться от 1.1 до 0.7 эВ и, например, дислокации несоответствия.

фотоприемники на основе Si1-xGex могут работать в Выращивание эпитаксиальных слоев Si и Si1-xGex на спектральном диапазоне 0.51.8 мкм, что позволяет их кремниевых подложках с ориентацией (100) и (111) использовать в волоконно-оптических линиях связи. Од- проводилось методом молекулярно-лучевой эпитаксии в нако значительное рассогласование постоянных решеток установке типа ”Катунь” при температурах подложки (a = 4.2% при температуре T = 300 K) при выращива- T = 400 830C в вакууме при остаточном давлении нии слоев Si1-xGex на кремниевых подложках приводит к не более 5 · 10-8 Па. Встроенный в ростовую камезначительной концентрации дислокаций несоответствия ру дифрактометр быстрых электронов позволял осуна границе раздела. ществлять контроль толщины выращиваемых слоев и Достижения в разработке и исследовании напряжен- степени их структурного совершенства по перестройкам ных квантово-размерных структур и гетероструктур на сверхструктуры ростовой поверхности непосредственно основе кремния (см., например, [2,3]) дают основа- в процессе выращивания с точностью до 3.

ния рассчитывать на создание принципиально новых Предэпитаксиальная подготовка кремниевых подлоприборов для микро- и оптоэлектроники в системе жек состояла в химическом стравливании естественного Si/Si1-xGex [4,5]. окисла и нанесении пассивирующей окисной пленки толВ данной работе исследованы структурные характери- щиной 1 мкм с целью дальнейшего ее контролируемостики слоев Si, Ge, Si1-xGex и сверхрешеток в системе го удаления в ростовой камере. При нагреве кремниевых Si/Si1-xGex, полученных методом молекулярно-лучевой подложек в ростовой камере до температур T 850C эпитаксии (МЛЭ) на подложках кремния с ориентацией и давлении остаточных паров 10-7 Па взаимодействие (100) и (111). слабого потока паров Si (FSi 1015 см2/с) с поверхноЭпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики Рис. 1. a — осцилляции центрально-отраженного рефлекса дифрактограммы быстрых электронов во времени t в процессе выращивания эпитаксиальных пленок Si (вверху) и их изменение при включении источника Ge (внизу, стрелка) для выращивания эпитаксиальных слоев Si1-xGex; b — распределение химического состава в плоскости эпитаксиального слоя Si1-xGex толщиной d 1 мкм, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на пластине Si (100); указаны значения x.

стью подложек по реакции Состав эпитаксиальных слоев Si1-xGex контролировался по угловому расстоянию между положениSiO2 + Si SiO (1) ями пиков дифракционного рентгеновского отражения приводило к получению в течение 2 5мин свободной в предположении выполнения закона Вегарда, который от кислорода атомарно-чистой поверхности и появлению хорошо применим к Si1-xGex (постоянные решетки для четких рефлексов структур (7 7) и (2 1) для ориенSi a = 5.431 и для Ge a =5.657 при T =300 K), таций (111) и (100) соответственно.

с учетом поправки на степень релаксации напряженных Минимальная температура, при которой удавалось слоев. Ошибка в измерении составляет ±1 (незавиосуществить эпитаксиальный рост буферных слоев Si, симо от состава), что позволяет определять состав слоев составляла 400C при скорости роста 1.0 1.5 /с.

с абсолютной точностью ±0.3%. Существующие в гетеПри этом осцилляции центрально-отраженного рефлекса ропереходах упругие напряжения сказываются на резульдифрактограммы быстрых электронов (см. рис. 1, a), по татах определения химического состава слоев. Однако которым определялась скорость эпитаксиального роста, относительно большие радиусы кривизны кремниевых оставались четкими и ненарушенными, что свидетельпластин с эпитаксиальными слоями приводят к малым ствует о двумерном процессе роста эпитаксиальных слоев.

Были исследованы условия получения эпитаксиальных слоев Ge и Si1-xGex на подложках Si с ориентацией (111). В частности, в диапазоне температур T = 350 650C изучены и определены оптимальные параметры роста эпитаксиальных пленок германия на кремниевых подложках с перестройкой поверхностной структуры (7 7) (5 5) (2 8) (1 1).

Эпитаксиальные слои Si1-xGex имели толщину от до 1 мкм и содержание Ge x 0.07 0.70. Условия выращивания позволяли получать эпитаксиальные слои Si1-xGex на подложках Si диматром 60 76 мм с относительной однородностью по составу ±1%.

На рис. 1, b показано распределение содержания Ge в эпитаксиальных слоях Si1-xGex для заданных режимов получения слоев с x 0.35. Видна относительно высокая однородность распределения Ge и хорошее соответствие состава задаваемому условиями выращивания. На рис. 2 показаны кривые дифракционного отражения для Рис. 2. Кривые дифракционного отражения для гетерострукгетеросистем Si/Si1-xGex при различном химическом тур Si1-xGex на подложках Si (100). x: 1 — 0.39, 2 — 0.44.

составе эпитаксиальных слоев.

Масштаб по шкале интенсивности I — логарифмический.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 924 Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков Структурные характеристики как буферных слоев Si и Si1-xGex, так и периодических структур Si1-xGex с периодом d = 100300 исследованы методом дифракции рентгеновских лучей на дифрактометре ДРОН-по двукристальной схеме в геометрии (n, -n) с монохроматорами Si (100), (111) и линией излучения CuK1 ( = 1.54051 ). Метод рентгеновской дифракции позволяет одновременно определять распределение напряжений, химический состав и период сверхрешеток.

Механические напряжения, возникающие из-за рассогласования постоянных решеток между буферным слоем и подложкой, а также между буферным слоем и сверхрешеткой, приводят к изгибу кремниевых пластин, который может быть определен по изменению углового положения основного дифракционного пика. Среднее значение кривизны кремниевых пластин с буферными слоями Si1-yGey (y 0.5x) составляло R-1 0.2м-1.

Период d сверхрешеток Si1-xGex определялся по углоРис. 3. Изменение интенсивности оже-пика Ge E = 1146.8эВ вому расстоянию (2) между сателлитами спектров при послойном стравливании поверхности напряженной сверхрентгеновской дифрации решетки Si1-xGex ионами Ar. Энергия ионов 2.8 кэВ, ток 250 мкА/см2, диаметр ионного пучка 0.75 мкм. Период сверх -решетки 160. На вставке — оже-пик Ge.

d = cos s, (2) (2) где s — брэгговский угол отражения от подложки.

В сверхрешетках Si1-xGex, при выращивании которых поправкам в определении состава слоев, которые учитыобеспечивались условия для псевдоморфного роста эпивались в поправке на степень релаксации механических таксиальных слоев (напряженные свехрешетки), в реннапряжений в гетероструктуре.

геновских спектрах дифракционного отражения наблюИнтенсивность пиков дифракционного отражения от дались сателлиты до ±5 порядков. Наличие достаточно тонких эпитаксиальных слоев Si, Ge, Si1-xGex и сверхмногочисленных регулярно расположенных и хорошо решеток Si/Si1-xGex составляет доли процента по сраввыраженных рентгеновских сателлитов свидетельствует нению с интенсивностью пика отражения от подложки о структурном совершенстве сверхрешеток [6] —о сукремния. Однако эти пики оказываются все же достаточно интенсивными, чтобы можно было определять толщины эпитаксиальных слоев с относительной точностью ±3%.

Профили распределения химического состава в гетероструктурах и сверхрешетках Si/Si1-xGex, были также исследованы с помощью послойного анализа в ожеспектрометре 09 ИОС-005. Травление поверхности образцов проводилось ионами аргона с постоянной скоростью в диапазоне энергий 2.0 3.5 кэВ и плотностями тока в пучке 180 350 мкА/см2 при диаметре пучка потока ионов 0.75 мкм. При этом непрерывно измерялась интенсивность (число электронов N) ожепика Ge (энергия E = 1146.8эВ). Типичная зависимость изменения интенсивности оже-пика Ge по глубине образца (время накопления ta при постоянной скорости Рис. 4. Зависимость интенсивности рентгеновской дифракции от угла дифракции для пятипериодной сверхрешетки Si1-xGex травления пропорционально расстоянию от поверхности на подложке Si (111) с буферным слоем Si толщиной 0.2 мкм.

образца) показана на рис. 3. Как видно из рис. 3, периоРежим измерения: линия излучения CuK1 с длиной волны дичность и толщины отдельных слоев Si и Si1-xGex ( = 1.54051, монохроматор Si (100), отражение (400).

SiGe и 90 Si) в данной сверхрешетке выдерживаются Параметры сверхрешетки: период 181, толщиной слоя SiGe достаточно хорошо. Мольная доля Ge в слоях Si1-xGex, 72, Si — 109. Обозначены пики отрицательных (-i) и определенная по отношению интенсивностей оже-пиков положительных (+ j) сателлитов для сверхрешетки. ШтрихоGe и Si для гетероструктур и сверхрешеток Si/Si1-xGex, вой линией показаны осцилляции рентгеновской дифракции удовлетворительно соответствует заданным режимами сателлитов, скрытых интенсивным дифракционным пиком отэкспериментального выращивания структур.

ражения от подложки кремния.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex. Получение и структурные характеристики ществовании резких границ между слоями, однородности Si/Si1-xGex epitaxial layers and их химического состава и т. п.

superlattices. Growth and structucal Типичная рентгеновская дифрактограмма пятипериодcharacteristics ной сверхрешетки Si1-xGex (x 0.35, период d 181, F.F. Sizov, Yu.N. Kozyrev, V.P. Klad’ko, S.V. Plyatsko, толщина слоя SiGe — 72, Si — 109 ) на подложке V.M. Ogenko, A.P. Shevlyakov кремния (111) с буферным слоем Si толщиной 0.2 мкм представлена на рис. 4. Основной (широкий у основаInstitute of Semiconductor Physics, ния) пик при = 1413 обусловлен рефлексом (111) Ukrainian Academy of Sciences, от кремниевой подложки и является в данном случае ре252650 Kiev, Ukraine пером. Интенсивность пиков дифракционного отражения Institute of Surface Chemistry, от сверхрешетки Si/Si1-xGex составляет доли процента Ukrainian Academy of Sciences, Ukraine по сранению с интенсивностью пика отражения от подложки кремния. На рис. 4 видны несколько относительно

Abstract

By molecular beam epitaxy method Si, Ge, Si1-xGex широких, но хорошо разделенных отрицательных (-i) и epitaxial layers and Si/Si1-xGex superlattices were grown on положительных (+ j) сателлитов, что свидетельствует о (100) and (111) silicon substrates. The growth processes of the высокой степени однородности слоев по толщине.

structures were investigated and by X-ray and Auge spectroscopy В выращенных эпитаксиальных слоях Si, Ge, Si1-xGex methods their structural characteristics and chtmical composition концентрация свободных носителей находилась на уровwere studied. Particulary, it was shown that at the technological не 1015 1017 см-3. Для управления электрическими regimes used strained Si/Si1-xGex superlattices with the high характеристиками слоев сверхрешеток проводилось леstructural quality can be grown with the number of diffractional гирование слоев Si бором с реузультирующей концентраsatellites up to ±5 orders.

цией 1017 1019 см-3.

Таким образом, выполненные исследования процессов роста эпитаксиальных слоев Si, Ge, Si1-xGex и изучение их структурных характеристик показали возможность получения структурно-совершенных гетероструктур и сверхрешеток Si/Si1-xGex большой площади с заданным химическим составом.

Список литературы [1] S.C. Jain, J.R. Willis, R. Bullough. Adv. Phys., 39, 127 (1990).

[2] G. Abstreiter. Engineering the future of electronics (Physics World, 1992) p. 36.

[3] F.F. Sizov. In: Infrared Photon Detectors, ed. by A. Rogalski.

SPIE Optical Engineering Press (Bellingham, Washington, 1995) p. 561.

[4] R.A. Metzger. Compound Semicond., 1, N 3, 21 (1995).

[5] K.Eberl, W. Wegscheider, G. Abstreiter. J. Cryst. Growth, 111, 882 (1991).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.