WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

обеспечивающим максимально возможное выстраивание Поэтому в качестве первого шага для выделения комдисторсий — r [5]:

понент полосы, соответствующей P, можно предположить, что положение максимума компоненты 2 совпаr - 1 1 1 + µA =. (6) дает с max(), а его величина при P такова, что r + 2 (a + b)b 1 - 2µсамая высокоэнергетическая часть полного экспериментального спектра при указанной поляризации целиком Поскольку определяется компонентой 2. Разница между полным I1 max( ) +I2 max( ) спектром и этой компонентой должна представлять r =, (7) I1 max() +I2 max() компоненту 1, спектр которой по форме также должен совпадать с нулевым спектром. Если после первого шага из результатов разд. 3 следует, что r = 1.91. Тогда, этого не происходит, то улучшение согласия спектра разсогласно (6), для исследованного образца A = 0.56, ницы и нулевого спектра можно добиваться, уменьшая что практически совпадает с величиной, полученной на величину компоненты 2 и сдвигая ее в сторону больших основании (3) или (4).

энергий фотонов.

Следовательно, пренебрежение отклонением оси диПроверкой достаточно точного определения компополя от направления 111 не приводит к существенным нент и применимости принятой модели может слупогрешностям при определении параметров модели.

жить возможность описания экспериментального спекПолученная величина µ2 заметно ниже значения 0.2, тра c P двумя такими же компонентами. При которое соответствует диполям, характеризующим излуэтом величины максимумов определенных составляючение при рекомбинации электрона из c-зоны с дыркой, щих должны удовлетворять соотношениям (1)–(4), солокализованной на акцепторе в состоянии с полным держащим всего два параметра (µ2 и A).

моментом 3/2 и его проекцией ±1/2. Такое состоРезультаты такого выделения компонент показаны на яние образуется в результате спин-орбитального взарис. 2. Расщепление составляющих при P = 10 кбар со- имодействия и воздействия внутрицентровой дисторставляет 38 мэВ, а положения их максимумов соответ- сии (или внешнего одноосного давления), если спинствуют 1 1.192 эВ и 2 1.230 эВ. Относитель- орбитальное взаимодействие является доминирующим.

ные величины максимумов составляли I1 max( ) 0.85, Случаю, когда µ2 меньше 0.2, но существенно отличаетI2 max( ) 0.19, I1 max() 0.15, I2 max() 0.385. ся от 0, отвечает ситуация, в которой дисторсионное и Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 912 А.А. Гуткин, А.В. Ермакова спин-орбитальное расщепления исходного вакансионно- симметрии, поскольку при соответствующих направлего t2-состояния комплекса имеют один порядок, т. е. роли ниях деформации их полосы излучения расщепляются спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий только на две компоненты [9].

в формировании основного состояния локализованной дырки сравнимы. Согласно оценкам [12], в излучающем Список литературы состоянии комплекса ян-теллеровское расщепление достигает нескольких десятых эВ. Следовательно, и спин[1] E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968).

орбитальное расщепление имеет тот же порядок.

[2] Ф.Н. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 7, В [5] из анализа данных по поляризации полосы 1.2 эВ 896 (1973).

при поляризованном резонансном возбуждении было [3] H.G. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978).

получено эмпирическое соотношение, связывающее от[4] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, носительные вклады ротатора в поглощение и излучение В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992).

света комплексами VGaTeAs:

[5] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34, (2000).

0.91 - 3.5µµ1 =. (8) [6] A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovski. Proc.

3.5 - 5.32µEstonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995).

[7] A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov.

Используя это соотношение и µ2 = 0.15, получим Proc. 18 Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, µ1 = 0.14.

July 23–28, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida.

Укажем также, что определенная в разд. 3 величина [Mater. Sci. Forum, 196–201, pt 1, 231 (1995)].

расщепления компонент полосы излучения согласуется [8] N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, E.B. Osipov, M.A. Reshchikov, с диапазоном возможных значений разницы энергий V.R. Sosnovski. Proc. 1 Nat. Conf. on Defects in Semiактивации термической эмиссии дырок комплексами cond. (St. Petersburg, Russia, Apr. 26–30, 1992), ed. by разной ориентации при том же давлении [11]. N.T. Bagraev. [Def. Dif. Forum, 103–106, 31 (1993)].

Таким образом, приведенные результаты показыва- [9] A.A. Kaplyanskii. J. de Phys., 28, Suppl., N 8–9, 4 (1967).

[10] М.В. Фок. Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева, 59, 3 (1972).

ют, что модель совокупности переориентирующихся [11] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 37 (3), 287 (2003).

и непереориентирующихся комплексов с одинаковыми [12] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, значениями оптических параметров и направлениями (1997).

оси излучающего диполя, близкими к одной из осей 111 [5,11], хорошо описывает форму связанной с этими Редактор Л.В. Беляков центрами полосы фотолюминесценции в n-GaAs : Te при одноосном давлении и низкой температуре. При этом An analysis of a radiation band of VGaTeAs полоса излучения с достаточной точностью может быть complexes in n-GaAs under uniaxial представлена суммой двух компонент, форма спектра pressure которых совпадает с формой полосы при нулевом давлении, а интенсивности связаны соотношениями, спра- A.A. Gutkin, A.V. Yermakova ведливыми для излучающих диполей с тригональной Ioffe Physicotechnical Institute, осью. Это означает, что изменения энергий обоих разRussian Academy of Sciences, новидностей комплексов при давлении близки и зависят 194021 St. Petersburg, Russia только от направления диполя относительно оси давления, а небольшая „нетригональность“ дефектов, которая должна приводить к появлению третьей компоненты в излучении, несущественна.

Выявление компонент излучения, принадлежащих комплексам различной ориентации, вместе с результатами работы [5] позволило определить оптические параметры комплексов в дипольном приближении и оценить относительную роль спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий в формировании основного состояния дырки, связанной на комплексе VGaTeAs.

Представленный анализ также показывает возможность выявления компонент широкой полосы излучения анизотропных центров при одноосной деформации с помощью методики, использующей закономерности пьезоспектроскопического поведения таких дефектов.

Этот способ может быть применен для центров тетрагональной, тригональной ромбической и моноклинной Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.