WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[17] Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсонизованных ансамблей квантовых точек в гетероэпитакненко, Г.Э. Цырлин, А.Г. Филаретов. Письма ЖТФ, 19, сиальной системе InGaAs/GaAs. Полученные результаты вып. 18, 64 (1993).

однозначно указывают на влияние кинетических пара- [18] P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994).

метров на структурные свойства квантово-размерных [19] Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, образований. Разориентация поверхности также оказыГ.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995).

вает влияние на морфологию поверхности, в отдельных [20] Y. Gonzalez, L. Gonzalez, F. Briones. J. Cryst. Growth. 111, случаях приводящую к изменению механизмов роста.

120 (1991).

Данная работа выполнена при частичной поддерж- [21] Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, Г.Э. Цырлин.

ПТЭ, №3, 167 (1996).

ке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 95-02-05084-а), фонда INTAS (грант Редактор В.В. Чалдышев № 94-1028) и научной программы ”Физика твердотельных наноструктур”.

Список литературы [1] В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981).

[2] Y.-W. Mo, B.S. Swartzentruber, R. Kariotis, M.B. Webb, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 63, 2393 (1989).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления... InGaAs/GaAs nanostructures obtained by submonolayer molecular beams deposition techniques G.E. Cirlin, V.N. Petrov, V.G. Dubrovskii, N.K. Polyakov, S.Ya. Tipissev, A.O. Golubok, N.N. Ledentsov Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St.Petersburg, Russia A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Morphological characteristics of InGaAs/GaAs nanoobjects are investigated using scanning tunnelling microscopy.

These nanostructures were obtained on singular and vicinal GaAs (100) surfaces by several modifications of molecular beam epitaxy. It is found that there is a strong influence of growth kinetics and surface misorientation of the surface morphology arrangement.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.