WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

задач в данной области [26]. В этом плане понятие При создании гетероструктуры с применением муль„спинтроника“ терминологически заменяет собой прежтислойной (пленочной) технологии часть названных вынее понятие и опирается на новые физические знания ше технологических трудностей можно избежать, однако и успехи технологии. Главное, на наш взгляд, отличие остается задача подготовки поверхности подложки (криработы [26] от предшествующих работ состоит в том, сталла) для напыления Ф-слоя. При этом необходимо, что структуры спинтроники, имея в своем составе чтобы магнитные характеристики Ф-пленки не особо ферромагнитный полупроводник, позволяют управлять отличались от магнитных параметров массивного обих свойствами не только наложением внешнего магразца и сохраняли способность к повышенной степени нитного поля, но и транспортным током, протекающим спиновой поляризации электронов за счет остаточной через гетероструктуру, в силу осуществления электроннамагниченности, в том числе и при повышенных магнонного взаимодействия между подвижными носитемпературах. Использование напылительной техники в телями спина и намагниченностью ФП. Поскольку с создании мультислоев ФП/П включает в себя отработку ростом температуры вклад решеточных колебаний в режимов напыления соответствующих материалов ФП спиновый перенос может оказаться определяющим, заили Ф из исходных и предварительно синтезированных дача достижения комнатных температур спиновой инсоединений.

жекции даже в структурах, построенных из „высокоРешение перечисленных выше задач опирается на уже температурных“ ФП, может оказаться проблематичной.

имеющийся опыт создания и исследования ФП/П-гетероМы надеемся, что ее решению могут способствовать структур, его дальнейшего совершенствования и примеисследования процессов магнитопоглощения в создаванения новых технологических подходов в их создании, емых структурах спинтроники. При этом необходимо, использовании новых материалов, экспериментальных видимо, осуществить поиск такой пары ФП и П, которая методик, вычислительной техники и компьютерного мохарактеризовалась бы близостью величин своих удельделирования.

ных электронных проводимостей, почти 100% спиновой Проблема спинового транспорта в твердотельных поляризацией носителей в ФП и большой степенью структурах многогранна. И хотя физические механизмы зеемановского расщепления электронных уровней полуего осуществления более или менее ясны, практическая проводника (с величиной g-фактора более 50). Продолреализация спиновой инжекции в реально существуюжающиеся в настоящее время попытки использования щих структурах сталкивается как с технологическими структур ФМ/П в спинтронных устройствах, в силу трудностями их создания, так и с ограниченным пока названных выше ограничений и как показывают оценнабором материалов, позволяющим осуществлять переки [27], по меньшей мере малопродуктивны ввиду прененос спинов только при низких температурах. В настобрежимо малой вероятности осуществления заметного ящем сообщении авторы преследовали цель обратить по величине спинового транспорта из ФМ в П.

внимание на ту из возможностей этого явления, которая обусловливает освоение нового диапазона высокочастотных исследований твердого тела — миллиметрового Список литературы и субмиллиметрового, открывающего дополнительные практические возможности. В частности, создание твер[1] G.A. Prinz. Physics Today 48, 4, 353 (1995).

дотельного лазера соответствующего диапазона, появ[2] R. Flederling R., M. Kelm, G. Reuseher, W. Ossan, ление в этом диапазоне спектроскопии твердого теG. Schmidt, A. Waag, L.W. Molenkamp. Nature 402, ла. Хотя и направленность исследований спинового (1999).

транспорта, связанная с наблюдением специфики про[3] Y. Ohno, K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, явления оптических характеристик гетероструктур или D.D. Awshalom. Ibid. 402, 790 (1999).

магниторезистивного эффекта в них, также представляет [4] А.С. Борухович. УФН 169, 7, 737 (1999).

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. Спин-поляризованный транспорт и субмиллиметровая спектроскопия твердого тела [5] L. Esaki, P.J. Stiles, S. von Molnar. Phys. Rev. Lett. 19, (1967).

[6] И. Кесслер. Поляризованные электроны. Мир, М. (1988).

[7] В.М. Свистунов, Ю.В. Медведев, В.Ю. Таренков, А.И. Дьяченко, И. Хатта, К. Мукаса, Р. Аоки, Г. Шимчак, С. Левандовский, Я. Лещинский. ЖЭТФ 118, 3(9), 629 (2000).

[8] В.Л. Агранович, А.В. Гламаздин, В.Г. Горбенко, В.П. Ефимов, И.Н. Карнаухов. Источники поляризованных электронов. ЦНИИатоминформ, М. (1984).

[9] E. Kisker, G. Baum, A.N. Mahau, W. Raith, R. Reihl. Phys.

Rev., B18, 2256 (1978).

[10] M.I. Auslender, V.Yu. Irkhin. Solid State Commun. 50, (1984).

[11] А.С. Борухович, В.Г. Бамбуров, Л.В. Ефимова, В.И. Фомин, Г.П. Швейкин. А.с. № 1267983 (СССР).

[12] В.П. Бужор. Тез. докл. конф. „Тройные полупроводники и их применение“. Штиинца, Кишинев (1983). С. 87.

[13] В.В. Осипов, В.И. Михайлов, А.А. Самохвалов, Н.М. Чеботаев. ФТТ 31, 37 (1989).

[14] В.А. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977).

[15] А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус. ФТТ 10, 1177 (1976).

[16] N.A. Viglin, V.V. Osipov, A.A. Samokhvalov. Phys. Low-Dim.

Struct. 9/10, 89 (1996).

[17] N.A. Viglin, V.V. Osipov, A.A. Samokhvalov, O.G. Reznitskikh. Ibid. 1/2, 89 (1997).

[18] V.V. Osipov, N.A. Viglin, A.A. Samokhvalov. Phys. Lett. A247, 353 (1998).

[19] N.A. Viglin, V.V. Osipov, A.A. Samokhvalov, A.S. Borukhovich, S.A. Naumov, O.F. Denisov. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 29 (2000).

[20] В.Ю. Ирхин, М.И. Кацнельсон. УФН 164, 7, 705 (1994).

[21] А.С. Борухович. Сб. тр. 17-й Межд. школы-семинара „Новые магнитные материалы микроэлектроники“. МГУ, М. (2000). С. 648.

[22] V.V. Osipov, N.A. Viglin, A.A. Samokhvalov, A.S. Borukhovich, S.A. Naumov. Proc. of the 1st Intern. Symp. on the spintronics. FRG (2000). P. 18.

[23] U. Gozele. Solid State Phenomena 47–48, 33 (1996).

[24] J. Haisma. Applied Optics 33, 1154 (1994).

[25] Ю.М. Яковлев, А.И. Меркулов. Магнитные полупроводники для устройств функциональной электроники. Обзоры по электронной технике. Сер. материалы. Электроника, М. (1983). Вып. 9.

[26] В.Г. Бамбуров, А.С. Борухович, А.А. Самохвалов. Введение в физикохимию ферромагнитных полупроводников.

Металлургия, М. (1988). 206 с.

[27] G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp, A.T. Filip, B.J. van Wees. Phys. Rev. B62, 8, 4790 (2000).

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.