WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

можно считать, что определяющий вклад в фотопро[10] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моводимость данного образца вносят рекомбинационные исеев, С.А. Обухов, А.В. Аникундинов, А.Н. Титков, процессы в электронном канале. Отметим, что ОФП, Ю.П. Яковлев. Тез. докл. 2-Рос. конф. по физике обусловленная наличием двух сортов электронов с раз- полупроводников (СПб., 1996), т. 2. С. 158.

ной подвижностью, наблюдалась ранее на гетероперехо- [11] М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1995).

дах GaAlAs/GaAs [15]. Полученные результаты по ис[12] A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Roследованию фотоэлектрических свойств разъединенных gachev, Yu.P. Yakovlev. Superlat. Microstruct., 8, 375 (1990).

гетеропереходов GaInAsSb/InAs дополняют данные галь[13] Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, Ю.П. Якованомагнитных исследований и согласуются с нашими влев. ФТП, 25, 283 (1991).

представлениями о существенном влиянии электронного [14] C.A. Hoffman, J.R. Meyer, E.R. Youngdall, F.J. Bartoli, канала с высокой подвижностью на свойства исследуеR.H. Miles, L.R. Ram Mohan. Sol. St. Electron., 37, мых гетероструктур.

(1994).

Таким образом, при исследовании электронного транс- [15] И.М. Гродненский, К.В. Старостин, Д.В. Галченков. Письма порта в гетероструктурах GaInAsSb/p-InAs было устано- ЖЭТФ, 43, 54 (1986).

влено, что при выращивании широкозонных твердых расРедактор Т.А. Полянская творов GaInAsSb на подложках p-InAs на гетерогранице образуется электронный канал, который сохраняется в Electron transport in type II широком диапазоне уровней легирования эпитаксиальGaInAsSb/p-InAs heterojunction with ного слоя как донорной (Te), так и акцепторной (Zn) various doping level of quaternary layer примесями. Показано, что в одиночной гетероструктуре Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/p-InAs при высоком уровне легиT.I. Voronina, T.S. Lagunova, M.P. Mikhailova, рования твердого раствора донорной примесью гальваK.D. Moiseev, M.A. Sipovskaia, Yu.P. Yakovlev номагнитные эффекты обусловлены суммарным вкладом A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, электронного канала на гетерогранице и эпитаксиальRussian Academy of Sciences, ного слоя. Резкое падение подвижности, наблюдаемое 194021 St.Petersburg, Russia при сильном легировании четверного твердого раствора акцепторной примесью, обусловлено как истощением электронного канала на гетерогранице за счет локализа-

Abstract

Magneto-transport phenomena and photoconductivity ции носителей в ямах потенциального рельефа на гете- have been studied as a function of various doping levels of layer by the donor (Te) or acceptor (Zn) impurities. An existence of рогранице, так и взаимным компенсирующим влиянием an electron channel at the interface in the structures under study электронов и дырок в самом гетеропереходе.

was established, that dominates magneto-transport phenomena in Авторы благодарят А.М. Монахова за полезные обсуa wide range of doping level. Drastic drop of Hall mobility was ждения и ценные замечания.

found in GaInAsSb/p-InAs heterostructures under heavy acceptor doping of quaternary layer. The effect under study takes place Работа частично поддержана Российским фондом фунdue to electron channel depletion by mobile carrier localization by даментальных исследований, грант N 96-02 17841a.

random potential at the heterointerface.

Список литературы [1] А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986).

[2] H.K. Choi, S.L. Eglash, G.W. Turner. Appl. Phys. Lett., 64, 2474 (1994).

[3] М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, О.Г. Ергаков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 21, 83 (1995).

[4] Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova.

SPIE, 1510, 120 (1991).

[5] И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 50 (1992).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.