WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 УДК 621.315.592 Электронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 27 сентября 1996 г. Принята к печати 25 октября 1996 г.) Исследованы гальваномагнитные явления и фотопроводимость в разьединенных гетеропереходах II типа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора донорной (Te) или акцепторной (Zn) примесями. Установлено, что на гетерогранице в таких структурах имеется электронный канал, который определяет гальваномагнитные эффекты в широком диапазоне уровней легирования. Обнаружено резкое уменьшение холловской подвижности в исследуемых гетероструктурах при высоком уровне легирования эпитаксиального слоя акцепторной примесью. Наблюдаемый эффект обусловлен истощением электронного канала за счет локализации носителей тока в ямах потенциального рельефа на гетерогранице.

Четырехкомпонентные твердые растворы в системе также из нелегированных навесок GaSb и InAs с конценGa–In–As–Sb представляют значительный интерес для трацией носителей p = 5 · 1016 см-3 и n = 2 · 1016 см-3 создания оптоэлектронных приборов (лазеров [1–3] и соответственно. Для легирования эпитаксиальных слоев фотодиодов [4,5]) для спектрального диапазона 25мкм, акцепторными примесями в раствор–расплав добавляли актуального для задач газового анализа и охраны окру- цинк в количествах до 0.01 ат%, а в качестве доноржающей среды [6]. Данная работа является продолже- ной примеси использовали теллур в количествах до нием цикла наших исследований электрических и фото- 0.001 ат% в виде соединения n-GaSb : Te с концентрацией электрических свойств твердых растворов GaInAsSb и электронов n = 5 · 1017 см-3, а свыше 0.001 ат% — в гетеропереходов на основе эпитаксиальных слоев, изо- чистом виде.

периодных с подложками GaSb и InAs [7,8].

Толщины эпитаксиальных слоев были в интервале В изотипных одиночных гетероструктурах 1.8 2.3 мкм. Рассогласование с подложкой составляло p-Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/p-InAs с нелегированными a/a < +4 · 10-4 при T = 300 K. Образцы для слоями твердого раствора нами была обнаружена высо- исследования гальваномагнитных эффектов вырезались кая подвижность носителей тока µH = 65000 см2/В · с из эпитаксиальных структур в форме прямоугольника.

при T = 77 K [9] и было установлено существование Шесть индиевых контактов (2 токовых и 4 потенциальэлектронного канала на гетерогранице со стороны ных) наносились на поверхность эпитаксиальных слоев узкозонного материала [10]. Ранее в работе [11] нами GaInAsSb. К слоям твердого раствора n-типа контакты была определена зонная диаграмма гетероструктуры наносились из сплава In : Te, а к слоям p-типа — In : Zn.

p-Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/p-InAs и было показано, Компенсационным зондовым методом измерялось падечто такой гетеропереход является разъединенным ние напряжения на потенциальных зондах V и эдс Холла гетеропереходом II типа. VH в интервале температур T = 77 200 K в магнитных Параметры самосогласованных квантовых ям, образо- полях напряженностью до 16 кЭ при токе через образец ванных на гетерогранице в разъединенных гетеропере- I < 100 мкА (в области выполнения закона Ома). Из ходах II типа, и свойства электронного канала должны этих данных рассчитывались электропроводность, в значительной степени зависеть от уровня легирова- коэффициент Холла RH, рассчитанные на единицу плония составляющих его полупроводников. Поэтому нам щади, и холловская подвижность µH = RH. На представлялось важным изучить влияние легирования спектрометре ИКС-12 с использованием призм NaCl и широкозонного твердого раствора Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78 LiF и системы синхронного детектирования проводились (Eg = 630 мэВ при T = 77 K) донорными (Te) и исследования фотопроводимости. Постоянное электриакцепторными (Zn) примесями на магнитотранспорт- ческое поле напряжением не более 510 В/см, прикладыные и оптические свойства одиночных гетероструктур валось вдоль гетерограницы. При этом регистрировался GaInAsSb/p-InAs с твердым раствором как p-, так и сигнал, полученный на модулированном световом потоке n-типа. от глобара.

Слои твердого раствора выращивались методом жид- Основные параметры исследуемых образцов приведекофазной эпитаксии на полуизолирующих подлож- ны в таблице. Знак эдс Холла для всех исследуемых ках p-InAs с ориентацией (100) (p = 1016 см-3, образцов всегда указывал на электронный характер про = 0.1Ом-1 см-1 при T = 77 K). Для выращивания водимости независимо от типа и количества легирующей эпитаксиальных слоев раствор–расплав приготовляли из примеси, вводимой в расплав при концентрациях Te чистых компонентов In (99.99999%) и Sb (99.9999%), а до 0.01 ат% и Zn до 0.008 ат%. В то же время знак 1 898 Т.И.

Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев Введенная примесь Знак носителей тока RH, 106 см2/Кл µH, 103 см2/В · c № Вид Концентр., По термоэдс По эдс Холла образца H = 2кЭ H = 10 кЭ H = 2кЭ H = 10 кЭ примеси ат% в твердом растворе в структуре 1 - - p n 4.5 4.3 65.0 64.2 Te 1 · 10-4 p n 4.45 3.85 57.4 55.3 Te 2 · 10-4 p n 4.0 3.35 52.8 44.4 Te 4 · 10-4 p n 4.1 3.0 46.6 34.5 Te 1 · 10-3 p n 3.25 1.6 45.0 18.6 Te 5.8 · 10-3 n n 0.19 0.1 11.4 6.7 Te 1.2 · 10-2 n n 0.1 0.05 11.8 5.8 Zn 3 · 10-3 p n 4.9 3.35 49.0 33.9 Zn 4 · 10-3 p n 2.7 2.4 24.4 19.10 Zn 8 · 10-3 p n 0.27 0.03 2.1 0.носителей тока по термоэдс, измеренной с помощью выращенных на подложках GaSb. В таких структурах термозонда со стороны поверхности твердого раствора, наблюдается ступенчатый переход II типа, на границе указывал на дырочный характер проводимости во всех которого нет электронного канала [12]. Измеряемая образцах, за исключением сильно легированных теллу- подвижность для таких гетероструктур характеризует ром (образцы 6 и 7). Этот результат свидетельствует о свойства самого эпитаксиального слоя твердого раствора том, что проводимость гетероструктур GaInAsSb/p-InAs GaInAsSb. Исходные нелегированные образцы твердого с разным уровнем легирования твердого раствора донорными и акцепторными примесями так же, как и гетероструктур с нелегированным твердым раствором определяется главным образом проводимостью электронного канала на гетерогранице [10]. Величина холловской подвижности, наблюдаемая в гетероструктурах при слабом легировании слоев твердого раствора как донорной (Te < 0.001 ат%), так и акцепторной (Zn < 0.004 ат%) примесями (образцы 2–5, 8, 9 в таблице), оставалась такой же высокой, как и в гетероструктурах с нелегированными слоями твердых растворов (образец 1). При более сильном легировании твердого раствора примесями Te и Zn наблюдалось уменьшение подвижности. Схематически энергетические структуры систем GaInAsSb/p-InAs для слабо легированных и сильно легированных теллуром и цинком твердых растворов представлены на рис. 1.

На рис. 2, a, b (сплошные линии) представлена зависимость холловской подвижности от количества вводимой в расплав примеси для гетероструктур GaInAsSb/p-InAs.

Для гетероструктур со слабо легированными слоями твердого раствора (Te < 0.001 ат%, Zn < 0.004 ат%) подвижность практически не изменяется. При значительном уровне легирования твердого раствора теллуром (Te > 0.001 ат%) абсолютное значение холловской подвижности уменьшается в 4–5 раз до значений µH = 10000 см2/В · с при H = 2кЭ. При сильном легировании цинком (Zn > 0.004 ат%) наблюдается резкое падение холловской подвижности: величина ее падает более чем на порядок (до 2000 см2/В · c при H = 2кЭ) по сравнению с ее значениями в гетероструктурах с нелегированными слоями твердого раствора.

Рис. 1. Энергетические схемы структуры На этом же рисунке (штриховые линии) для сравнения Ga0.83In0.,17As0.22Sb0.78/ p-InAs для твердых растворов:

приведены зависимости подвижности от концентрации a — нелегированного, b — сильно легированного цинком, примеси для твердых растворов такого же состава, но c — сильно легированного теллуром.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Электронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs... (n) ( Рис. 2. Зависимость холловской подвижности электронов µH и дырок µHp) от уровня легирования твердого раствора:

a — теллуром, b —цинком, T =77 K. Сплошные линии — GaInAsSb/p-InAs, штриховые — GaInAsSb.

Рис. 3. Коэффициент Холла RH в зависимости от напряженности магнитного поля H для образцов, легированных: a — теллуром, b — цинком. Номера у кривых соответствуют номерам образцов в таблице.

раствора GaInAsSb имели p-тип проводимости с кон- При легировании твердого раствора цинком концентрацентрацией дырок p = 1016 см-3 и с подвижностью ция акцепторов увеличивалась, подвижность падала изµH = 2000 см2/В·с. При легировании твердого раствора за роста рассеяния на ионах примеси, а при высоких теллуром происходила перекомпенсация акцепторов и концентрациях цинка (Zn > 0.004 ат%) подвижность при концентрации Te > 0.001 ат% материал становился сохраняла постоянное значение (µH = 200 см2/В · с), n-типа с подвижностью µH = 4000 5000 см2/В · с. что указывает на вырождение дырочного газа [13].

1 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 900 Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев Как видно на рис. 2, подвижность в гетероструктурах GaInAsSb/p-InAs начинает уменьшаться именно там, где в твердом растворе при легировании Te наблюдается переход к n-типу проводимости (уровень Ферми находится в зоне проводимости), а при легировании Zn — там, где наступает вырождение дырочного газа (уровень Ферми — в валентной зоне).

В гетероструктурах GaInAsSb/p-InAs с высоким уровнем легирования твердого раствора наблюдается сильная зависимость подвижности и коэффициента Холла от напряженности магнитного поля, причем различная для образцов, легированных Te и Zn (см.

таблицу).

На рис. 3 представлены значения коэффициента Холла RH в зависимости от напряженности магнитного поля H в структурах GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования твердого раствора. В образцах с нелегированными и слабо легированными Te и Zn слоями твердого раствора (образцы 1–3, 8) коэффициент ХолРис. 4. Спектральные зависимости фотопроводимости в струкла практически не меняется с ростом напряженности турах GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования магнитного поля. При сильном легировании Te (образ- твердого раствора теллуром. Номера у кривых соответствуют номерам образцов в таблице.

цы 6, 7) коэффициент Холла при малых H падает с ростом магнитного поля, а при H > 5 кЭ перестает зависеть от напряженности магнитного поля. При этом значения подвижности µH 5000 см2/В · с становятся фотопроводимости = f (h) при T = 77 K для сравнимыми с подвижностью эпитаксиального слоя твердвух образцов, которые отличались уровнем легирования дого раствора (см. рис. 3, a). Это свидетельствует о том, твердого раствора теллуром. Картина фотоответа, как что в образцах с сильно легированным Te эпитаксиальвидно из рис. 4, существенно меняется в зависимости от ным слоем проводимость осуществляется двумя сортами уровня легирования. При слабом легировании теллуром носителей тока — высокоподвижными электронами в эпитаксиального слоя GaInAsSb (образец 3) мы наблю(n) канале (µH > 10000 см2/В·с), который проявляется при даем наряду с положительным значением фотопровослабых магнитных полях, и электронами с более низкой димости появление и отрицательной фотопроводимости (n) подвижностью (µH 5000 см2/В · с) в эпитаксиальном при h > 0.66 эВ. С увеличением уровня легирования слое твердого раствора. теллуром до 0.005 ат% (образец 6) наблюдалась только положительная фотопроводимость. При этом спад В случае сильного легирования твердого раствора длинноволнового края во всех случаях соответствовал GaInAsSb цинком (концентрация Zn > 0.005 ат%, обраэнергии фотона, равной ширине запрещенной зоны InAs зец 10) падение RH настолько сильное, что при опрепри T = 77 K (h(1/2) max = 0.40 0.41 эВ). Поделенных значениях магнитного поля (H 15 кЭ) лученные спектральные зависимости фотопроводимости наблюдалась смена знака коэффициента Холла. Такой ход отражают вклад в суммарный сигнал высокопроводящего зависимости RH от поля во всем интервале легирования электронного канала на гетерогранице. При поглощении слоев твердого раствора также характерен для одноврекристаллом света с энергией кванта h > Ec - EF, менного участия в проводимости гетероструктуры двух где Ec — положение дна зоны проводимости твердого сортов носителей заряда, но отличающихся не только раствора GaInAsSb, а EF — уровень Ферми, электровеличиной подвижности, но и знаком. Дырочный тип ны возбуждаются из электронного канала и перехопроводимости связан, по нашему мнению, не с сильным дят в широкозонный слой, в котором их подвижность ростом проводимости эпитаксиального слоя, в котором существенно ниже. В результате переноса электронов подвижность очень низка (200 см/В·с), а с уменьшением в слой широкозонного полупроводника GaInAsSb его подвижности в электронном канале. По-видимому, спад проводимость увеличивается и общая фотопроводимость подвижности в случае сильного легирования цинком определяется следующим выражением:

может быть связан с истощением электронного канала за счет локализации подвижных носителей в ямах по = -eµf nf + eµ2d(nf +n2d), тенциального рельефа на гетерогранице [14].

Наличие электронного канала на гетерогранице разъ- где µ2d и µf — подвижности электронов в канале и единенного гетероперехода и двух сортов электронов в слое GaInAsSb, n2d — изменение концентрации с разной подвижностью в структурах GaInAsSb/p-InAs электронов в канале при освещении, nf — изменение должно проявляться также и в фотоэлектрических свой- концентрации электронов в широкозонном слое твердоствах. На рис. 4 представлены спектральные зависимости го раствора при энергии фотона h, соответствующей Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Электронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs... межзонным переходам в широкозонном слое GaInAsSb. [6] A.M. Prokhorov, A.I. Nadezinskiy. SPIE, 1724, 2 (1992).

В зависимости от соотношения вкладов от обоих чле- [7] M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, (1994).

нов в данном выражении можно наблюдать либо воз[8] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, М.А. Сирастание, либо спад сигнала фотопроводимости вплоть повская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, до появления отрицательной фотопроводимости (ОФП).

(1991).

Поскольку в образце 3 ОФП наблюдается во всем [9] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моиисследуемом спектральном интервале h > 0.66 эВ, сеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.