WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

о длине диффузионного смещения фотоносителей на [7] S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, поверхности Ls.

(1957).

Причиной Ids может быть и разброс значений x и p в [8] В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 11, Лазерная техника пределах n+-p-переходов диаметром 300 мкм, размеров, и оптоэлектроника, 1, 88 (1984).

сравнимых с толщиной пластин, а также произволь[9] J.C. Inkson. Sol. St. Electon., 13, 1167 (1970).

ная (связанная с предысторией изготовления пластин [10] M. Cutler, H.M. Bath. Proc. IRE, 45, 39 (1957).

CdxHg1-x Te) неконтролируемая ориентация поверхно- [11] H. Statz, G.A. De Mars, H. Devis, A. Adams. Phys. Rev., 101, 1272 (1956).

сти пластины относительно кристаллографических плос[12] В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ электроника, костей. Последние причины приводят к искажению про2, 14 (1992).

филя легирования по глубине. Реальная площадь пере[13] S.P. Tobin, S. Iwasa, T.J. Tredwell. IEEE Trans. Electron. Dev., хода в этом случае значительно отличается от площади, ED-27, 43 (1980).

задаваемой фотошаблоном, а ОПЗ представляет собой [14] Е.Б. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 56, 31 (1992).

изрезанную область с искаженным электрическим полем [15] В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ электроника, и избыточными токами. Это подтверждают исследо8, 3 (1990).

вания профиля чувствительности n+-p-переходов при Редактор Л.В. Шаронова сканировании лучом лазера (рис. 4, фотодиоды 2 и 7).

На поверхностный характер тока утечки фотодиода Investigaion of the surface CdHgTe указывает и сдвиг в сторону больше номинального rпика фотопроводимости при увеличении U на фотодиоде photodiodes leakages (рис. 4). При положительном смещении и небольших P.V. Birulin, V.I. Turinov, E.B. Yakimov отрицательных U положение этого пика точно совпадает с границей r0 по фотошаблону n+-p-перехода (диаметр State Research & Production Corporation Istok“, ” 300 мкм), а при дальнейшем увеличении отрицательных 141190 Fryazino, Russia U эффективный размер перехода, точнее размер ОПЗ, Institute of Microelectronics Technologies, выходящей на поверхность, увеличивается. На это же Russian Academy of Sciences, указывают и спектральные характеристики фотодиода 142432 Chernogolovka, Russia (рис. 6), смещающиеся в коротковолновую область спектра при увеличении U, что свидетельствует о „расползании“ ОПЗ перехода по поверхности, вследствие Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.