WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

нарастания внешнего напряжения, что обусловлено, по b — пленка Pb0.95La0.05Zr0.2Ti0.8O3 толщиной 250 нм, напылена лазером при T = 670C. мнению авторов, влиянием медленно релаксирующих Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 894 И.Е. Титков, И.П. Пронин, Д.В. Машовец, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук, И.В. Грехов зарядов на границе полупроводник-сегнетоэлектрик. Ferroelectric field effect transistor based Высокая концентрация миграционных зарядов, обусловon a Pb(ZrxTi1-x)O3 / SnO2 heterostructure ленная отклонением состава PZT от стехиометрии, I.E. Titkov, I.P. Pronin, D.V. Mashovets, L.A. Delimova, отрицательно влияет на продолжительность хранения I.A. Liniichuk, I.V. Grekhov информации при использовании транзистора в качестве элемента памяти, однако мы считаем, что эта проблема Ioffe Physicotechnical Institute, не является принципиальной и может быть решена с поRussian Academy of Sciences, мощью усовершенствования технологических режимов 194021 St. Petersburg, Russia напыления пленок PZT.

Abstract

The possibility of fabricating a ferroelectric FET based Авторы выражают искреннюю благодарность М. Ягоon PZT / SnO2 heterostructure is investigated. A Sb-doped epitaxial вкиной (ФТИ) за измерения дифракционных рентгеновSnO2 / Al2O3 thin film deposited by YAG laser ablation of a metal ских спектров, Т. Поповой (ФТИ) за выполнение рентtarget has been applied as a transistor channel. The highest геноструктурного микроанализа и И. Петрову (лицей obtained electron mobility in the channel is 25 cm2/(V · s) at the ФТШ) за измерения AFM-топографии.

electron density of 8 · 1019 cm-3. The possibility of growing PZT Работа выполнена при поддержке грантов ОФН, преdirectly on SnO2 film by two different techniques, laser ablation зидиума РАН и РФФИ НШ758.2003.2.

and magnetron sputtering is demonstrated. Au / PZT / SnOcapacitor heterostructures have been produced by both techniques. The capacitance of these cells, with the top electrode Список литературы of 250 250 µm in size, is 1000 pF at 10 V bias; the highest obtained remnant polarization is 16 µC/ cm2. A ferroelectric FET [1] Shu-Yau Wu. IEEE Trans. Electron. Dev., Ed-21 (8), structure Au / PZT / SnO2 / Al2O3 has been fabricated. The current (1974).

modulation of 94% has been obtained. The difference in the [2] T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa, H. Takasu. IEEE ISSCC (San Francisco, 1955) p. 68. channel current at positive and negative remnant polarization of [3] H. Ishiwara, T. Shimamura, E. Tokumitsu. Jap. J. Appl. Phys., the undergate ferroelectric is 37%.

36 (3B), 1655 (1997).

[4] Yil Suk Yang, In-kyu You, Won Jae Lee, Byoung Gon Yu, Kyong-Ik Cho. J. Korean Phys. Soc., 40 (4), 701 (2002).

[5] Ali Sheikholeslami, P. Glenn Gulak. Proc. IEEE, 88 (5), (2000).

[6] Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66 (14), 1770 (1995).

[7] И.А. Веселовский, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук. Письма ЖТФ, 27 (1), 39 (2001).

[8] I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Veselovsky. Integrated Ferroelectrics, 43, 175 (2002).

[9] Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. Appl. Phys. Lett., 79 (5), (2001).

[10] Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. J. Appl. Phys., 86, (полный текст статьи доступен в Internet по адресу:

http://www.mse.engin.umich.edu/research/centers/caem/mrsec/ publications/SnO2 fPLD JAP0 1/SnO2 Epitaxy JAP01.pdf) [11] H.L.M. Chang, H. Zhang, Z. Shen, Q. Wang. J. Mater. Res., 9 (12), 3108 (1996).

[12] M.W.J. Prins, S.E. Zinnemers, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers.

Appl. Phys. Lett., 70 (4), 458 (1997).

[13] M.W.J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, G. Muller, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers, R.P. Weening, R.M. Wolf. Appl. Phys. Lett., 68 (25), 3650 (1996).

[14] M.W.J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, J.F.M. Cillessen, L.F. Feiner.

J. Appl. Phys., 83 (2), 888 (1998).

[15] Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. Appl. Phys. Lett., 8 (27), (2002).

[16] W.P. Li, R. Zhang, J. Shen, Y.M. Liu, B. Shen, P. Chen, Y.G. Zhou, J. Li, X.L. Yuan, Z.Z. Chen, Y. Shi, Z.G. Liu, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett. 77 (4), 24 (2000).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.