WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Efficiency of a charge carriers transport in облучении протонами [8].

SiC-detectors after an irradiation by 8 MeV protons at a fluence Для эффективности переноса заряда получено значе- of 1014 cm-2 was investigated. On number of primarily created defects the mode of an irradiation is equivalent to expected breach ние, близкое к 0.55 при толщине пленки 55 мкм. Ранее of SiC-detectors lattice at use in experiments on SLHC collider в [9] исследовались детекторы на базе также 4H-SiC (CERN).

n-типа пленок, но полученных методом вакуумной субThe techniques of nuclear spectrometry with testing detectors лимации. После дозы протонов 2 · 10-14 см-2 эффекby -particles with energy 5.4 MeV was used. In view of deep тивность для лучшей группы образцов составила 0.9.

compensation of conductivity SiC which have occured during С учетом меньшей толщины пленок (30 мкм) это дает an irradiation it is proposed to switch structure in a forward примерно двухкратное превышение радиационной стойdirection. In this mode the distribution of electric field strength кости сравнительно с полученным нами результатом.

on detectors coordinate appears more homogeneous. For data Большая стойкость сублимационных пленок относи- processing experiment the simple model of carriers transport is proposed.

тельно CVD-метода наблюдалась также при облучении электронами с энергией 1 МэВ [10].

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.