WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The -radiation influence on electrophysical characterРезультаты исследований статических (вольт-ампер- istics of MIS structures with rare earth thin film as an insulator has ные, вольт-фарадные) и динамических (время переход- been studied. We have investigated current–voltage characteristics, ного процесса, колебательные режимы) характеристик voltage-capacitance characteristics, impulse characteristics and diМДП структур с однородно и неоднородно легирован- agrams of oscillation regimes before and after irradiation with a ной подложкой согласуются между собой и позволяют total dose of D = 104-106 rad. Results indicate that -radiation считать, что наблюдаемые радиационные изменения в dose of D = 106 rad cannot induce sufficient degradation of this МДП структурах с окислами редкоземельных элементов structures. Radiation induced changes in structures in questiou are не противоречат традиционным данным, известным для in good agreement with date on radiation stress in SiO2 films.

структур с SiO2 в качестве диэлектрика [13]. Кроме того показано, что анализ колебательных режимов может быть использован для оценки качества границы раздела кремний– окислы редкоземельных элементов в силу своей наглядности и информативности.

Список литературы [1] Vinita Vasudevan, J. Vasin. IEEE Trans. ED, 41, 383 (1994).

[2] G.Q. Lo, A.B. Joshi, D.L. Kwong. IEEE Trans. ED, 40, (1993).

[3] Kusi-Shu, Chang Jiao, Jenu-Gwo. IEEE Trans. ED, 41, (1994).

[4] В.А. Гуртов, А.И. Назаров, И.В. Травков. ФТП, 24, (1990).

[5] В.А. Гуртов, П.А. Райкерус. Микроэлектроника, 16, (1987).

[6] Wei Shin Lu, Kuan-Chin. IEEE Trans. ED, 40, 1598 (1993).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.