WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Рис. 5. Спектры фотолюминесценции для структуры со слоем В нашем случае при низком уровне возбуждения такой GaAs толщиной 1.2 МС. Мощность накачки и оценка темперапик в спектрах ФЛ отсутствовал. Однако с увеличением туры образца за счет нагрева его излучением по сдвигу линий, мощности накачки спектр ФЛ трансформируется. Соотсоответствующих GaSb: a —70 Вт/см2, 20 K; b — 300 Вт/см2, ветствующие спектры ФЛ образца с одиночной вставкой 80 K; c — 400 Вт/см2, 90 K. Стрелками отмечены особенности толщиной 1.2 МС показаны на рис. 5. Очевидный эф- в спектрах.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. GaAs в GaSb — напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного... 4. Заключение GaAs in GaSb — the strained nanostructures for mid-infrared В работе представлены результаты структурных и опoptoelectronics тических исследований нового типа гетероструктур, соV.A. Solov’ev, A.A. Toropov, B.Ya. Meltser, держащих ультратонкие напряженные слои GaAs в матYa.V. Terent’ev, R.N. Kyutt, A.A. Sitnikova, рице GaSb. Предложенные структуры характеризуются A.N. Semenov, S.V. Ivanov, Motlan†, E.M. Goldys†, разрывом зон типа II на гетеропереходах GaAs/GaSb и P.S. Kop’ev интенсивной фотолюминесценцией в спектральном диапазоне 1.7–2.3 мкм, в зависимости от номинальной толIoffe Physicotechnical Institute, щины GaAs-вставки. Установлено, что в процессе эпи- Russian Academy of Sciences, таксиального роста данных структур слой GaAs транс- 194021 St. Petersburg, Russia формируется в слой тройного соединения GaAsSb с St. Petersburg State Electrotechnical University LETI“, ” образованием КТ при номинальной толщине слоя GaAs 197376 St. Petersburg, Russia † 1.5 МС и более. Division of Information and Communication Sciences, Macquarie University, North Ryde, Работа была поддержана грантом РФФИ (№ 01-02NSW 2109 Australia 17933а), программой Министерства науки „Физика твердотельных наноструктур“ (№ 1035 и № 2014), а также

Abstract

We report for the first time on the molecular beam грантом (№ CRDF RPI-2265).

epitaxial growth as well as X-ray diffraction, transmission electron microscopy and photoluminescence studies of novel GaAs/GaSb heterostructures with ultrathin (0.8-3 monolayers) GaAs layers Список литературы embedded within unstrained GaSb. In such structures the GaAs layer is subjected to a tensile stress because of 7% lattice mismatch [1] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982).

with respect to GaSb, in contrast to the situation of usually [2] A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, A. Konkar. Appl. Phys. Lett., observed self-organized growth of compressively strained quantum 64, 2727 (1994).

dots. The structures display an intensive photoluminescence in [3] F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bhrer, F. Heinthe 2 µm wavelength range at low temperatures. The formation richsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werof quantum-size islands in the structures takes place at a nominal ner, U. Gsele, J. Heydenreich, U. Richter, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., thickness of a GaAs layer above 1.5 monolayers. The GaAs/GaSb 67, 656 (1995). structures are shown to possess a type II band alignment.

[4] E.R. Glaser, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Appl.

Phys. Lett., 68, 3614 (1996).

[5] H. Marchand, P. Desjardins, S. Guillon, J.-E. Paultre, Z. Bougrioua, R.Y.-F. Yip, R.A. Masut. Appl. Phys. Lett., 71, 527 (1997).

[6] N. Carlsson, W. Seifert, A. Petersson, P. Castrillo, M.E. Pistol, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 65, 3093 (1994).

[7] G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, (1995).

[8] E.R. Glaser, T.A. Kennedy, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook.

Phys. Rev. B, 59, 2240 (1999).

[9] R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, (1999).

[10] R.N. Kyutt, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Surf. Sci., 166, (2000).

[11] E. Bithnel, W. Stobbs. Phil. Mag. A, 60, 39 (1989).

[12] C.G. van der Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.