WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Пики отдельных переходов в СВЛ, лежащие в преде- Методом спектроскопии возбуждения ФЛ исследован лах „второго эффективного возбужденного состояния“, спектр энергетических состояния КТ. При росте содерразрешаются значительно хуже. Это может быть связано жания InAs в материале матрицы наблюдается уменьс большим количеством таких близко расположенных шение энергии локализации квантовых точек (разности переходов, а также их более высоким неоднородным энергий основного состояния квантовых точек и ширины уширением. Кроме того, вследствие возможной флукту- запрещенной зоны матрицы), а также уменьшение ации формы КТ одному основному состоянию могут, во- разности энергий основного и возбужденных состояний.

обще говоря, соответствовать несколько возбужденных Работа выполнена в рамках совместного проекта ФТИ состояний.

им. А.Ф. Иоффе РАН и NSC-Nanosemiconductor-GmbH Необходимо отметить, что при интерпретации пиков в (Германия). Н.В. Крыжановская благодарит программу СВЛ следует учитывать процессы релаксации носителей INTAS „Joung Scientist Fellowship“ за поддержку.

заряда [13]. Высокая относительная интенсивность пиков некоторых возбужденных состояний связана с тем, что их энергия отстоит от энергии основного состояния Список литературы на кратное количество энергии продольных оптических (LO) фононов, тем самым облегчая релаксацию [1] D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot носителей из данного возбужденного состояния [14].

heterostructures (John Wiley and Sons, 1999).

В нашем случае на СВЛ также наблюдается пик, связан- [2] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of ный с фононной релаксацией и отстоящий от энергии Nanostructures (Springer, Berlin, 2003).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу... [3] В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Г. Гладышев, Optical and structural properties of InAs Н.В. Крыжановская, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. ФТП, в quantum dot arrays grown in an InGaAs печати.

matrix on the GaAs substrate [4] А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Н.В. Крыжановская, А.Г. ГлаN.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyschev, S.A. Blokhin, дышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Yu.G. Musikhin, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37 (9), 1143 (2003).

N.D. Zakharov, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov, [5] А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, P. Werner, F. Guffart, D. Bimberg Е.С. Семенова, А.Ю. Егоров, В.А. Одноблюдов, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Глады- Ioffe Physicotechnical Institute, шев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, Russian Academy of Sciences, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37 (12), 1461 (2003).

194021 St. Petersburg, Russia [6] N.N. Ledentsov, F.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, Max-Planck Institut fr Mikrostructurphysik, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil’ev, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, Halle, Deutschland N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron.

Institut fr Festkrperphysik, Lett., 39, 1126 (2003).

Technische Universitt Berlin, Deutschland [7] N.N. Ledentsov. USA. Patent № 6653166 „Semiconductor device and method of making same“.

Abstract

Srtructural and optical properties of InAs quantum [8] L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (3), 418 dots (QDs) embedded in a thick InGaAs metamorphic layer grown (2001).

on GaAs substrate have been studied. Both the density and lateral [9] F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N.N. Ledentsov, size of such QDs increase as compared to the case of QDs grown A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 64 (15), on GaAs layer. The increase on In content in the InGaAs layer 85 305 (2001).

results in a redshift of the photoluminescence line. The wavelength [10] Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоof QD emission is 1.55 µm for the In concentration 30 at% in the ров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. МакInGaAs matrix. The energy spectrum of the quantum dots has симов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, been studied by the photoluminescence excitation.

В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999).

[11] M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, R.Heitz, V.A. Shchukin, W. Neumann, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 671 (2000).

[12] O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59 (8), 5688 (1999).

[13] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen, R. Heitz, J. Bhrer, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gsele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev and Zh.I. Alferov. Proc. 22nd Int. Conf. on Phys. of Semicond.

(Vancouver, Canada, 1994), ed by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995) v. 3, p. 1855.

[14] R. Heitz, O. Stier, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (16), 11 017 (2000).

[15] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bhrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gsele, J. Heydenreich. Proc. 7th Int. Conf. Modulated Semicond. Struct. (Madrid, July, 1995).

[Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)].

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.