WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 || 3 |

Раздельное перемагничивание слоев FeNi указывает на то, что коэрцитивная сила пленки FeNi, прилегающей к SiC, изменилась (уменьшилась), что можно связать лишь с возникновением магнитного взаимодействия между слоем FeNi и немагнитным полупроводниковым слоем SiC.

Нами установлено также, что величина магнитного взаимодействия между слоями FeNi и SiC зависит не только от толщины слоев полупроводника, но и от величины внешнего перемагничивающего поля. Для образцов с максимальной dTi = 50 перемагничивание происходит следующим образом. С увеличением амплитуды H от нуля примерно до 10 Oe наблюдается одиночный сигнал перемагничивания с положением Рис. 3. Осциллограммы сигналов перемагничивания пика при Ht = 2.6Oe (рис. 4, a). Это указывает на наноструктур FeNi(20 )/Ti(dTi)/FeNi(20 )/SiC(21 ) при совместное перемагничивание обоих слоев FeNi и отсутdTi = 15 (a), 25 (b), 50 (c).

ствие какого-либо влияния SiC на магнитные параметры ферромагнитных пленок. При увеличении амплитуды перемагничивающего поля происходит уменьшение амплитуды этого сигнала и по обе стороны от него появтолщине магнитных слоев dm = 20. Однако изменеляются и нарастают два других сигнала с положением ние толщины магнитных слоев меньше сказывается пиков 2.0 и 4.3 Oe (рис. 4, b), что свидетельствует о на магнитных свойствах ферромагнитных наноструктур начале раздельного перемагничивания слоев FeNi из-за FeNi/SiC/FeNi, чем изменение толщины полупроводнивозрастающего воздействия слоя SiC на прилегающий к ковой прослойки.

нему слой FeNi. При дальнейшем увеличении амплитуды В структуре FeNi/SiC/FeNi из-за симметричного располя H начальный сигнал исчезает (рис. 4, c) ислоиFeNi положения слоев FeNi относительно SiC полупроводперемагничиваются независимо, что свидетельствует о никовый слой взаимодействует одинаковым образом с сильном магнитном взаимодействии между немагнитобоими слоями ферромагнетика. Для выяснения влияния ным полупроводником SiC и соседним ферромагнитным полупроводникового слоя на характер взаимодействия слоем FeNi.

7 Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 868 В.Е. Буравцова, Е.А. Ганьшина, В.С. Гущин, С.И. Касаткин, А.М. Муравьёв, Н.В. Плотникова...

Рис. 4. Осциллограммы сигналов считывания одной полярности для образца FeNi(20 )/Ti(50 )/FeNi(20 )/SiC(21 ), полученные при значениях амплитуды перемагничивающего Рис. 5. Дисперсия ЭЭК наногетероструктур.

поля 8 (a), 12 (b) и 20 Oe (c).

a) 1 —FeNi(60 )SiC(18 )FeNi(60 ), 2 —FeNi(30 )SiC(18 )FeNi(30 ), 3 —FeNi(20 )SiC(18 )FeNi(20 ). На вставке приведены изоэнергетические (h, eV: 4 — 3.45, 5 — 2.5, 6 —1.61) зависимости ЭЭК как функции толщины слоя пермаллоя.

Эти результаты показывают, что между ферромагb) 1 —FeNi(20 )SiC(15 )FeNi(20 ), нитными (FeNi) и полупроводниковым (SiC) слоями 2 —FeNi(20 )SiC(18 )FeNi(20 ), существует взаимодействие, зависящее от величины 3 —FeNi(20 )SiC(21 )FeNi(20 ), внешнего магнитного поля. Можно попытаться объ4 —FeNi(20 )SiC(23 )FeNi(20 ), яснить наблюдаемую полевую зависимость процессов 5 —FeNi(20 )SiC(27 )FeNi(20 ). На вставке приведены перемагничивания следующим образом. Благодаря вза- изоэнергетические (h, eV: 6 —3.45, 7 —2.5, 8 —1.61) завиимной диффузии слоев полупроводника и ферромагне- симости ЭЭК как функции толщины слоя карбида кремния.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Магнитные и магнитооптические свойства многослойных наноструктур ферромагнетик–полупроводник тика образуется тонкий (порядка одного-двух атомных FeNi/SiC/FeNi от толщины прослойки карбида кремния, слоев) интерфейс с намагниченностью, возрастающей выявляются нелинейные изменения ЭЭК с характерным при увеличении амплитуды намагничивающего поля.

для многоcлойных структур чередованием максимумов Получить новую информацию о магнитных свойствах и минимумов эффекта. Этот факт, так же как и индукциизучаемых наноструктур ферромагнетик–полупроводник онные магнитометрические измерения, указывает на сунам удалось с помощью МО-исследований. Динамичеществование обменного взаимодействия между слоями ские МО-методы, обладающие высокой чувствительноферромагнетика через полупроводниковую прослойку.

стью и большой информативностью, хорошо зарекоменПри объяснении толщинной зависимости МО-эффектов довали себя при изучении тонкопленочных магнитных слоистых структур [18–20]. На рис. 5 для некоторых наноструктур FeNi/SiC/FeNi приведены спектры частотной зависимости ЭЭК, которые в основном подобны спектрам массивных сплавов пермаллоя [21,22]. Можно отметить, что в области ближнего ИК-диапазона — начала видимого излучения (0.7-2.0eV) — большая величина || наблюдается в образцах с наименьшими толщинами ферромагнетика. На краю высокоэнергетического диапазона световых квантов h >2.0eV зависимость ЭЭК от толщины ферромагнитных слоев нормальная: с ростом dFeNi значения увеличиваются, хотя упорядоченного изменения дисперсии и величины ЭЭК не наблюдается.

Отмеченные особенности в спектрах () можно объяснить следующим образом. Известно [23], что спектральные особенности эффектов Керра низкоразмерных структур определяются как дисперсией диагональных и недиагональных компонент тензора диэлектрической проницаемости [] ферромагнитных составляющих и их толщиной, так и дисперсией диагональных компонент тензора [] и толщиной немагнитного слоя. На вставке к рис. 5 приведены концентрационные (толщинные) зависимости ЭЭК для нескольких значений энергий из разных спектральных диапазонов. Из рис. 5, a видно, что во всем исследуемом частотном диапазоне с ростом толщины слоя ферромагнетика значения увеличиваются практически линейно, причем меньшим dFeNi соответствуют большие абсолютные значения ЭЭК. Этот результат находится в хорошем согласии с формулой FeNi dFeNi dSiC dFeNi xy p = A1 + B1 + C1 sin, FeNi полученной в приближении Друде для описания МО-свойств двухслойных структур, толщина которых меньше глубины скин-слоя [8]. В нашем случае общая толщина слоистой структуры dFeNi + dSiC + dFeNi много меньше и длины световой волны, и глубины скин-слоя.

Кажущийся рост ЭЭК наноструктур при уменьшении толщины слоев ферромагнетика при h <2eV можно объяснить, если предположить, что коэффициенты A1 и C1 имеют одинаковый знак, противоположный знаку B1. Заметим, что подобные изменения знака и величины ЭЭК в ближнем ИК-диапазоне наблюдались при исследованиях дисперсии () ряда нанокомпозитов Рис. 6. a) Полярные диаграммы ЭЭК наноструктуры ферромагнитный металл-диэлектрик [24].

FeNi(20 )/SiC(9 )/FeNi(20 ). H, Oe: 1 —2, 2 —4, 3 —5, На вставке, приведенной на рис. 5, b, где пока4 — 10, 5 — 20, 6 — 1300. h = 2.5eV. b) Полевая заны зависимости значений ЭЭК наногетероструктур зависимость ЭЭК. 1 —ОЛН, 2 —ОТН. h = 2.5eV.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 870 В.Е. Буравцова, Е.А. Ганьшина, В.С. Гущин, С.И. Касаткин, А.М. Муравьёв, Н.В. Плотникова...

совпадает с осью 0-180; значения полей и энергий световых квантов, при которых измерялся ЭЭК, указаны на соответствующих рисунках.

Как видно из этих рисунков, значение поля насыщения Hs существенно зависит от толщины полупроводникового слоя: максимальные значения Hs получены для структур с толщинами слоя полупроводника ds = и 18 и составляют в первом образце 600 Oe, а во втором — 180 Oe. В образцах с большими толщинами полупроводниковой прослойки значения поля насыщения существенно ниже: в случае образцов с ds = и 30 Hs = 100 и 40 Oe соответственно. Для этих образцов направление ОЛН практически совпадает с направлением постоянного магнитного поля H=, а для образцов с меньшими ds направление ОЛН отклонено от направления 0-180. Обращает на себя внимание факт существования в области малых полей „ступенек“ на кривых (H), а также причудливая форма ориентационных зависимостей (), например, для образца FeNi(20 )/SiC(27 )/FeNi(20 ) (рис. 8, a). Для этого же образца на рис. 8, b приведена кривая намагничивания (H) атипичного вида, для которой наблюдается уменьшение значений (H) с ростом амплитуды внешнего Рис. 7. a) Полярные диаграммы ЭЭК наноструктуры FeNi(60 )/SiC(18 )/FeNi(60 ). H, Oe: 1 — 3.7, 2 — 7.5, 3 — 18.7, 4 — 750. h = 3.05 eV.b) Полевая зависимость ЭЭК.

1 —ОЛН, 2 —ОТН. h = 3.05 eV.

следует также иметь в виду, что из-за малой толщины слоев в слоистых структурах, подобных исследуемым, существенное влияние на величину МО-эффектов, частотную зависимость МО-спектров и коэффициентов A1, B1, C1, а также на значения компонент тензоров []FeNi и []SiC могут оказывать квантово-размерные эффекты. Причиной квантово-размерных эффектов является пространственное квантование уровней электронного энергетического спектра (электронной плотности состояний), связанное с изменением граничных условий для фазы волновой функции электрона на каждом интерфейсе многослойной наноструктуры ферромагнетик– полупроводник.

На рис. 6–9 представлены типичные полярные диаграммы (ориентационные зависимости ЭЭК () симметричных наноструктур), полученные в широком диапазоне полей. Здесь же приведены кривые намагничивания, измеренные вдоль направлений в образце, выдеРис. 8. a) Полярные диаграммы ЭЭК наноструктуры ленных относительно направления постоянного магнитFeNi(20 )/SiC(27 )/FeNi(20 ). H, Oe: 1 — 18, 2 — 180.

ного поля H=, приложенного в плоскости образца при h = 3.36 eV. b) Полевая зависимость ЭЭК для ОЛН.

его напылении. На всех диаграммах направление H= h = 3.85 eV.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Магнитные и магнитооптические свойства многослойных наноструктур ферромагнетик–полупроводник магнитного поля H. В целом, магнитная анизотропия в данных структурах имеет одноосный характер. Однако в образце FeNi(20 )SiC(9 )FeNi(20 ) при увеличении намагничивающего поля наблюдается поворот ОЛН от = 60 к 120, что указывает на возможность „подмешивания“ к наведенной одноосной анизотропии анизотропии другого вида (например, обменной). Полученные результаты приводят к заключению, что в образцах с большими толщинами полупроводниковой прослойки слои ферромагнетика не являются обменно-связанными и каждый слой намагничивается внешним полем независимо. При уменьшении толщины прослойки SiC слои FeNi взаимодействуют через полупроводник, т. е. ферромагнитные слои становятся обменно-связанными. Эта связь возрастает с уменьшением толщины слоя полупроводника и при некоторых толщинах полупроводника, возможно, носит антиферромагнитный характер, на что указывают и характер разворота ОЛН и ОТН (рис. 6), и отмеченные выше особенности формы диаграмм () и кривых намагничивания, представленных отношением текущих значений к максимальному S, соответствующему полю H = 1400 Oe. На возможность существования антиферромагнитного взаимодействия указали автоРис. 10. Дисперсия ЭЭК асимметричных наногетероструктур. 1 — FeNi(20 )/Ti(12.5 )/FeNi(20 )/SiC(21 ), 2 —SiC(21 )/FeNi(20 )/Ti(12.5 )/FeNi(20 ).

ры [8], которые наблюдали подобные зависимости () в многослойных периодических структурах Fe/GaAs с различными толщинами полупроводниковой прослойки.

При исследовании асимметричных наноструктур индукционным методом обнаружено влияние слоя полупроводника на характер взаимодействия магнитных слоев. Однако спектры отклика ферромагнетиков на воздействие поля H на структуры с полупроводниковым слоем, находящимся над и под тройным слоем, оказались идентичными по той причине, что индукционный метод дает информацию о магнитных параметрах наноструктуры всего объема образца. В отличие от этого метода магнитооптический может дать информацию о магнитных характеристиках нескольких слоев.

Как видно из рис. 10, частотные зависимости ЭЭК для образцов SiC(21 )/FeNi(20 )/Ti(12.5 )/FeNi(20 ) и FeNi(20 )/Ti(12.5 )/FeNi(20 )/SiC(21 ) различны.

Различаются также анизотропия и полевые зависимости ЭЭК (рис. 11, 12), т. е. процессы перемагничивания и магнитные параметры асимметричных наногетероструктур зависят от положения слоя полупроводника (ПП) относительно ферромагнитных (Ф) слоев тройного слоя FeNi(20 )Ti(12.5 )FeNi(20 ).

Детальное рассмотрение показывает, что в образцах Рис. 9. a) Полярные диаграммы ЭЭК наноструктуры с порядком следования слоев ПП/Ф/ПМ/Ф (рис. 11), FeNi(30 )/SiC(30 )/FeNi(30 ). H, Oe: 1 — 3.7, 2 — 18.7, где ПМ — переходный металл (титан), обнаруживается 3 — 1500. h = 2.16 eV. b) Полевая зависимость ЭЭК.

1 —ОЛН, 2 —ОТН. h = 2.16 eV. одноосная анизотропия. ОЛН составляет угол = 30 с Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 872 В.Е. Буравцова, Е.А. Ганьшина, В.С. Гущин, С.И. Касаткин, А.М. Муравьёв, Н.В. Плотникова...

ния появляются широкие ступеньки, свидетельствующие о задержках процессов намагничивания при увеличении амплитуды магнитного поля H.

В случае образца с обратным порядком следования слоев Ф/ПМ/Ф/ПП наблюдается сложная эволюция полярных диаграмм () и кривых намагничивания для разных направлений (рис. 12). Характер анизотропии не поддается простому описанию. В малых полях Рис. 11. a) Полярные диаграммы ЭЭК наноструктуры SiC(21 )/FeNi(20 )/Ti(12.5 )/FeNi(20 ). H, Oe: 1 — 2, 2 —3, 3 —5, 4 —8, 5 — 100, 6 — 562. h = 2.5eV. b) Полевая зависимость ЭЭК. 1 —ОЛН, 2 —ОТН. h = 2.5eV.

направлением поля H= и не меняет своего направления с увеличением амплитуды намагничивающего поля H.

Поля насыщения Hs для ОЛН и ОТН резко различаются и составляют соответственно 100 и 560 Oe (рис. 11, b).

Рис. 12. a) Полярные диаграммы ЭЭК наноструктуры Сильное различие кривых (H) наблюдается и для друFeNi(20 )/Ti(12.5 )/FeNi(21 )/SiC(21 ). H, Oe: 1 — 5, гих взаимно перпендикулярных направлений (например, 2 — 10, 3 — 100, 4 — 562. h = 2.5eV. b) Полевая зависидля = 0и90). В ряде случаев на кривых намагничива- мость ЭЭК. 1 —ОЛН, 2 —ОТН. h = 2.5eV.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Магнитные и магнитооптические свойства многослойных наноструктур ферромагнетик–полупроводник (до 5 Oe) ОЛН составляет угол = 30 с направлением и различным порядком их объединения в структуру, 0-180, затем резко (в полях H 5Oe) выявляется указывает на сложный вид их магнитных структур и другое (перпендикулярное этому) направление легкого приводит к выводам о необходимости учета влияния намагничивания = 120. Начиная с 10 Oe, величина немагнитной полупроводниковой прослойки на характер ЭЭК, измеренная для этого направления при увели- взаимодействия ферромагнитных слоев. Нельзя исключении H, изменяется медленно, тогда как для другой, чить также возможность влияния слоев ферромагнетика перпендикулярной, оси ( = 30) ЭЭК быстро нараста- на магнитное состояние полупроводника и образование ет. В поле 200 Oe анизотропия практически исчезает, на интерфейсах выращенных структур тонких переходхотя в обоих направлениях образец намагничен лишь ных слоев, обогащенных атомами обоих слоев, и как на 80%. На кривых (H) в малых полях, так же как и следствие обладающих магнитными свойствами. Можв предыдущем случае, наблюдаются задержки в росте но предположить, что образование такого переходного эффекта.

Pages:     | 1 || 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.