WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

террасы (см. рис. 5). В этом приближении мы моде[7] J. Oshinowo, M. Nishioka, S. Ishida, Y. Arakawa. Jap. J. Appl.

лировали движение адатомов методом Монте–Карло и Phys., 33, L1634 (1994).

определяли количество адатомов v, начавших движение [8] M. Kasu, N. Kobayashi. Jap. J. Appl. Phys., 33, 712 (1994).

на краю первой квантовой точки и достигших края [9] D.H. Ploog, L. Daweritz. Mater. Sci. Techn., 11, 820 (1995).

соседней за единицу времени. Очевидно, что определя- [10] Y. Tokura, H. Saito, T. Fukui. J. Cryst. Growth, 94, 46 (1989).

емое таким образом значение v является максимальной [11] T. Ide, A. Yamashita, T. Mizutani. Phys. Rev. B, 46, (1992).

скоростью переноса вещества от одной КТ к другой и, [12] N. Ikoma, S. Ohkouchi. Jap. J. Appl. Phys., 34, L724 (1995).

соответственно, максимальной скоростью коалесценции.

[13] A.Yu. Kaminski, R.A. Suris. Sol. St. Commun., 8, 609 (1994).

Такой односторонний характер переноса соответствует ситуации, когда радиус первой точки R1 много меньше Редактор Т.А. Полянская радиуса второй точки R2. На рис. 6 представлена зависимость отношения максимальной скорости коалесценции vd (для террас с шириной ворот d) к максимальной скорости коалесценции vd0 (для террас без сужения) от относительной величины ворот d/d0 (d0 — диаметр КТ).

Увеличение сужения приводит к замедлению процесса коалесценции и при величине d/d0 = 0.5 максимальная скорость коалесценции снижается примерно вдвое. Линейный характер зависимости для этой модели по сути отражает тот факт, что величина диффузионного потока Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001)... Characteristics of the InAs quantum dots growth on the vicinal GaAs (001) surfaces misoriented to the [010] direction V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, A.N. Titkov, A. Nakamura, M. Ichida A.F. Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia CIRSE, Nagoya University, 464-01 Nagoya, Japan

Abstract

We present AFM studies of the InAs quantum dots (QDs) MBE grown of the vicinal GaAs (001) surfaces misoriented to the direction [010] by 1, 2, 4 and 6 degrees. For the chosen misorientation direction the vicinal surfaces are covered with the net of stepwise terraces. Condensation of the terraces with the increase of the misorientation angle leads to suppression of the adatom surface diffusion and permits to achieve higher densities and better homogeneity of the InAs QDs, which simultaneously decreases probability of the QDs coalescence.

E-mail: evt@mbe.ioffe.rssi.ru 7 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.