WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

экспериментальной зависимости относительного шума Среди образцов типа 3 были обнаружены образцы с от магнитной индукции со всей определенностью укаобоими типами поведения. В некоторых образцах зоназывает на флуктуации числа носителей как на источник зонная подсветка при 300 K приводила к подавлению наблюдаемого низкочастотного шума. С другой сторошума на низких частотах и преобразованию шумового ны, не наблюдается никакого увеличения относительной 1.спектра вида 1/ f в спектр вида 1/ f аналогично спектральной плотности, что свидетельствует в пользу образцам типа 1. В других образцах влияние зонаобъемного характера наблюдаемого шума.

зонной подсветки приводило к увеличению шума на Таким образом, полученные результаты показывают, всех частотах, аналогично образцам типа 2. Однако что в условиях сильной зона-зонной подсветки, когда увеличение шума было не столь значительным (рис. 4).

известный механизм низкочастотного шума — флукДля всех образцов была измерена зависимость отнотуации заполнения уровней хвоста плотности состосительной спектральной плотности шума в магнитном яний — оказывается подавленным, экспериментально поле в условиях сильного геометрического магнетосонаблюдаемый фликкер-шум обусловлен флуктуациями противления. Измерения проводились как в темноте, так числа носителей в объеме образца. Микроскопическая и в условиях зона-зонной подсветки.

природа наблюдавшихся в таких условиях флуктуаций Типичная зависимость для образцов типа 1 показана числа носителей не ясна.

на рис. 5, где экспериментальная зависимость 1 сравниКак отмечалось, для образцов типа 2 зона-зонная подсветка не только не подавляет шум, но, напротив, приводит к увеличению шума во всем диапазоне частот анализа.

Для образцов типа 2 в темноте магнитное поле B = 2 Тл увеличивало относительную спектральную плотность шума на величину SI 1.5 дБ на всех частотах анализа. Наблюдаемое увеличение заметно меньше, чем ожидаемое в магнитном поле в случае чисто поверхностной природы шума. Из выражения (4) легко установить, что при µ0 = 0.43 м2/В ·с шумпри B=2Тл должен был бы возрасти на SI 4.8дБ.

Наблюдаемое расхождение может объясняться либо тем, что в темновой шум поверхностный и объемный шумы вносят приблизительно равные вклады, либо тем, что условие RV RS в данных структурах не выполняется.

В условиях зона-зонной подсветки магнитное поле Рис. 4. Частотные зависимости спектральной плотности не влияет на относительную спектральную плотность шума (SI/I2) для образцов типа 3 в темноте (1) и в услошума в образцах типа 2. Таким образом, следует виях зона-зонной подсветки с максимальной интенсивностью предположить, что очень сильное увеличение шума под J/J0 = 1 (2). T = 300 K.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 862 Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, F. Pascal, С.Л. Румянцев 4. Заключение Исследования в условиях сильного геометрического магнетосопротивления шума типа 1/ f, возникающего в условиях, когда обычно наблюдаемый низкочастотный шум подавлен зона-зонной подсветкой, показывают, что он имеет объемный характер и обусловлен флуктуациями числа носителей в образце. Природа этих флуктуаций в настоящее время не ясна.

В ряде образцов наблюдается не подавление, а увеличение шума в условиях зона-зонной подсветки.

Впервые наблюдалось очень значительное (до 30 дБ) увеличение низкочастотного шума в сильно легированном (n0 2 · 1017 см-3) n-GaAs.

Наблюдающийся в условиях подсветки шум является объемным. По своей природе наблюдаемый эффект, поРис. 6. Частотные зависимости спектральной плотности шума (SI/I2) для образцов типа 3 в темноте (сплошные кривые) и в видимому, аналогичен эффекту увеличения шума в услоусловиях зона-зонной подсветки (штриховые). B, T : 1, 2 —0;

виях подсветки, наблюдавшемуся ранее в работе [18] для 1, 2 —2. T =300 K.

слабо легированного (n0 1015 см-3) n-GaAs.

В некоторых образцах зона-зонная подсветка вызывает относительно небольшое ( 5дБ) увеличение шума, одинаковое на всех частотах анализа в диапазоне влиянием света обусловлено уменьшением заселенности 20 Гц 20 кГц. В таких образцах шум, наблюдавшийся в объемных глубоких уровней. Совершенно очевидно, что условиях подсветки, имеет чисто поверхностную приромощность имевшегося в нашем распоряжении источника ду.

зона-зонного света была недостаточна для того, чтобы Заметим, что, как ясно из приведенных результатов, полностью опустошить уровни, ответственные за наблюизмерения в магнитном поле в условиях зона-зонной даемый низкочастотный шум. Дальнейшее увеличение подсветки позволяют достаточно надежно отличать поинтенсивности зона-зонной подсветки должно было бы верхностный шум от объемного. Важно, что такой метод привести к подавлению шума, и, возможно, к выявлению является неразрушающим и может быть применен для того же механизма фликкер-шума, который преобладает очень широкого класса полупроводниковых приборов, в образцах типа 1 при сильной подсветке.

поскольку для большинства современных приборов услоВ образцах типа 3 влияние магнитного поля на шум вие L/d 1 очень хорошо выполняется.

различно в зависимости от реакции шума на зона-зонную подсветку. В тех образцах, где наблюдалось подавление Авторы признательны И.А. Хребтову за помощь в шума подсветкой (аналогично образцам типа 1), магнитработе.

ное поле не оказывало никакого влияния на относительРабота поддержана Российским фондом фундаменную спектральную плотность шума.

тальных исследований (грант N 96-02-18563).

В тех образцах, где подсветка приводила к увеличению шума (рис. 4), наблюдалось значительное (до 5 дБ) увеличение относительной спектральной плотности шума в Список литературы магнитном поле.

На рис. 6 показаны частотные зависимости спектраль[1] J. Graffeuil, J. Caminade. Electron. Lett., 10, 266 (1974).

ной плотности шума в темноте (сплошные линии) и в [2] C.H. Suh, A. van der Ziel, R.P. Jindal. Sol. St. Electron., 24, условиях зонной подсветки (штриховые) без магнитного 217 (1981).

поля (кривые 1 и 1) и в поперечном магнитном поле [3] J.R. Hellum, L.M. Rucker. Sol. St. Electron., 28, 549 (1985).

B = 2Тл (кривые 1 и 2 ). Видно, что и в темноте, и при [4] M. Pouysegur, J. Graffeuil, J.L. Cazoux. IEEE Trans. Electron.

Dev., 34, 2178 (1987).

подсветке магнитное поле вызывает возрастание шума [5] М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. Письма ЖТФ, 19, на всех частотах анализа. Шум возрастает на 2.5дБ в (1993).

темноте и на 5 дБ в условиях зона-зонной подсветки.

[6] M. Takano. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 2060 (1993).

При µ0 = 0.52 м2/В · с ожидаемое в магнитном поле [7] M. Chertouk, A. Chovet. IEEE Trans. Electron. Dev., 43, B = 2 Тл увеличение шума в соответствии с форму(1996).

лой (4) должно было бы составить 6.3дБ. Исходя [8] Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, из результатов, показанных на рис. 6, можно заключить, 25, 2065 (1991).

что в темноте вклады в общий шум поверхностной и объ[9] Sh. Kogan. Electronics noise and fluctations in solids емной компонент соизмеримы. В условиях зона-зонной (Cambridge Univ. Press, 1996) p. 354.

подсветки поверхностная компонента шума становится [10] Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн. ФТП, 23, 283 (1989).

преобладающей. [11] М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 17, 1830 (1983).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Шум 1/ f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки [12] M.H. Song, H.S. Min. J. Appl. Phys., 58, 4221 (1985).

[13] T.G.M. Kleinpenning, P.P.J. Huinen. Abstracts of 9th Int.

Conf. on Noise in Phys. Systems (Montreal, Canada, 1987) p. 136.

[14] M.H. Song, A.N. Burdas, A. van der Ziel, A.D. van Rheenen.

J. Appl. Phys., 64, 727 (1988).

[15] T.R. Jervis. E.F. Jonson. Sol. St. Electron., 13, 181 (1970).

[16] D.L. Rode. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and A.C. Beer (Academic Press, N.Y., 1975).

[17] N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev. Semicond. Sci. Technol., 10, 1126 (1995).

[18] J. Copeland. IEEE Trans. Electron. Dev., 18, 50 (1971).

Редактор Л.В. Шаронова A 1/ f noise in a high-doped n-GaAs under band-to-band illumination N.V. D’yakonova, M.E. Levinshtein, F. Paskal, S.L. Rumyantsev A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia Centre d’Electronique et de Micro-optoelectronique de Montpellier, CNRS-Universite UMR 5507, 34095 U.M. II, Montpellier Cedex, France

Abstract

Using low frequency noise measurements under conditions of strong geometrical magnetoresistance, the nature of a new type 1/ f noise has been investigated. This 1/ f noise appears in a high-doped (n0 1017 см-3) n-GaAs under bandto-band ilumination. It has been shown that the 1/ f noise under investigation has the bulk nature and appears as a result of fluctuations of the carrier number (not the mobility fluctuations). The possibility to discriminate between the bulk and the surface noise using the measurements under conditions of strong geometrical magnetoresistance was demonstrated for the first time.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.