WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

E -центры, связанные с избыточным кремнием в окисной При приложении положительного смещения на струкматрице, сечение захвата = 10-14 см2; 2) ловушки, туру протоны под действием поля перемещаются с возникшие в результате загрязнения во время импланта- границы отсеченный слой кремния /окисел на границу ции кислорода, = 10-16 см2; 3) ловушки, связанные с окисел/подложка. Более того, проявление отрицательводой (обычно присутствующие в термических окислах), ного заряда на первой границе связано скорее всего с = 10-17 см2 [8]. Именно с наличием ловушек и связы- распадом нейтральных центров, содержащих водород, вают накопление заряда в скрытом диэлектрике [8,13,14]. и дрейфом протонов на другую границу. Снятие наРассмотрим, чем окисел в Dele-Cut-структурах отли- пряжения приводит к возникновению обратного потока чается от скрытого окисла в различных типах КНИ протонов за счет внутреннего поля и возвращению их структур, где используются имплантация и отжиг, и от в исходное положение на границу отсеченный слой исходного термического окисла. В процессе создания кремния /окисел.

КНИ структур по технологии SIMOX применяются Отрицательная полярность приложенного напряжения имплантация больших доз ионов кислорода и высоко- должна привести к аналогичным эффектам, если на температурный отжиг, после которых в окисле остается границе окисел/подложка или в объеме окисла присутдостаточно большое количество дефектов, являющихся ствуют протоны. Однако отсутствие существенного смеловушками с глубокими урвонями, ответственными за щения центроида и изменения зарядов Qs и Q означает, f накопление и сохранение заряда. В Smart-Cut-структурах что на данной границе, как и в объеме, подвижных имплантация водорода проводится через окисел, что протонов нет. По-видимому, заряд на данной границе также является причиной нарушения пространственной связан только с неподвижными центрами. Это могут структуры окисла и образования радиационных дефек- быть и щелочные металлы, и водород, закрепленный на тов. В процессе создания Dele-Cut-структур окисел оста- дефектах, и другие положительно заряженные дефекты.

ется ненарушенным, поскольку не подвергается ника- Главное, что этот заряд неподвижен при комнатной ким внешним воздействиям, за исключением процесса температуре.

склейки пластин и последующего высокотемпературно- Отсутствие накопления заряда в окисле объясняется, го отжига. Однако в процессе изготовления Dele-Cut- по-видимому, взаимодействием водорода с ловушками, Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях присутствующими в окисле, и пассивацией последних. Investigation of charge behaviour Другими словами, происходит трансформация дефектов in buried oxide of silicon-on-insulator в окисле в результате взаимодействия с водородом.

structures in electric field D.V. Nikolaev, I.V. Antonova, O.V. Naumova, 5. Заключение V.P. Popov, S.A. Smagulova Institute of Semiconductor Physics, Исследовано поведение заряда в скрытом окисле Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, КНИ структур, полученных по технологии Dele-Cut, 630090 Novosibirsk, Russia методом выдержки при напряженности электрического поля 2–5.5 МВ/см. Обнаружено перемещение положительного заряда в окисле и его последующая релаксация (возврат к исходному местоположению) после снятия напряжения. Ожидаемого накопления заряда в окисле не обнаружено. Наблюдаемые эффекты, по нашему предположению, обусловлены влиянием остаточного водорода, присутствующего в высокой концентрации в окисле в процессе изготовления КНИ структур, в результате чего происходит пассивация ловушек в скрытом диэлектрике и вводится подвижный при комнатной температуре заряд.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 01-02-16986) и частичной поддержке МНТЦ (грант № 563).

Список литературы [1] M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969).

[2] M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985).

[3] Y. Lu, C.-T. Sah. J. Appl. Phys., 76, 4724 (1994).

[4] D.J. DiMaria, E. Cartier, D.A. Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996).

[5] K. Kobayashi, A. Teramoto, H. Miyoshi. IEEE Trans.

Electron. Dev., 46, 947 (1999).

[6] M.V. Fisсhetti. Phys., Rev. B, 31, 2099 (1985).

[7] S. Mayo, J.S. Suehle, P. Roitman. J. Appl. Phys., 47, (1993).

[8] C.S. Ngwa, S. Hall. Semicond. Sci. Technol., 9, 1069 (1994).

[9] A.N. Nazarov, V.I. Kilchytska, I.P. Barchuk, A.S. Tkachenko, S. Ashok. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1254 (2000).

[10] В.П. Попов, И.В. Антонова, В.Ф. Стусь, Л.В. Миронова.

Патент № 2164719 от 28.09.1999.

[11] K. Nagai, T. Sekigawa, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, (1985).

[12] F.T. Brady, S.S. Li, D.E. Burk. Appl. Phys. Lett., 52, (1988).

[13] А.А. Лебедев, В. Экке. ФТП, 19, 1087 (1985).

[14] L.P. Reilly, T. Robertson. Phys. Rev. B, 47, 3780 (1983).

[15] I.A. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectronic Engineering, 48, 383 (1999).

[16] E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36, 1664 (1965).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.