WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

слабых полях объясняется значительным рассеянием на Light absorption and refraction due to несовершенствах интерфейса, когда электроны локалиintersubband transitions of hot electrons зованы в первой, относительно узкой КЯ. С ростом поля in coupled GaAs / AlGaAs quantum wells происходит заполнение состояний 2 подзоны, электроны L.E. Vorobjev, I.E. Titkov, A.A.Toropov, частично локализуются во второй, более широкой яме, в V.N. Tulupenko†, D.A.Firsov, V.A. Shalygin, которой рассеяние на интерфейсе относительно слабее, и T.V. Shubina, E. Toweподвижность начинает расти. В сильных полях вступают в действие описанные выше механизмы обратного оттока St.Petersburg State Technical University, электронов в первую подзону, и подвижность начинает 195251 St.Petersburg, Russia уменьшаться.

A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Отметим, что электрон-электронное рассеяние между Russian Academy of Sciences, подзонами 1 и 2 сильно ослаблено из-за простран194021 St.Petersburg, Russia † ственного разделения электронов этих подзон. Поэтому Donbass State Engineering Academy, средние энергии и функции распределения электронов 343913 Kramatorsk, Ukraine на этих уровнях (подзонах) могут быть различными. University of Virginia, Thornton Hall, Charlottesville, VA 22903-2442, USA Заключение

Abstract

The change of absorption coefficient and refraction В настоящей работе исследованы оптические свойства index under longitudinal electric field in the tunnel-coupled туннельно-связанных квантовых ям, определяемые меж- GaAs / AlGaAs quantum wells is found and investigated in the подзонными переходами электронов в продольном элек- spectral region corresponding to intersubband electron transitions.

The observed phenomena are explained by electron heating in трическом поле. Обнаружена модуляция коэффициента electric field and electron transfer in real space. The equilibrium поглощения и показателя преломления в электрическом absorption spectra are measured at lattice temperatures 80 and поле, которая объясняется на основе модели разогрева и 295 K.

пространственного переноса электронов.

E-mail: dmfir@phsc2.stu.neva.ru Работа частично поддеражана РФФИ, грант 96-0217404; РФФИ–INTAS, грант 00615i96; МНТРФ, грант 96-1029; Государственной целевой программой ”Интеграция”, проект № 75; НАТО, грант HTECH LG 960931.

Список литературы [1] B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993).

[2] J.Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science, 264, 533 (1994).

[3] O. Gauthier-Lafaye, S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien, R. Prazeres, F. Glotin, J.-M. Ortega, V. Thierry-Mieg, R. Planel, J.-P. Leburton, V. Berger. Appl. Phys. Lett., 70, 3197 (1997).

[4] E. Dupont, D. Delacourt, V. Berger, N. Vodjdani, M. Papuchon.

Appl. Phys. Lett., 62, 1907 (1993).

[5] Л.Е. Воробьев, Е.А. Зибик, Ю.В. Кочегаров, С.Н. Данилов, Д.А. Фирсов, E. Towe, D. Sun, А.А. Торопов, Т.В. Шибина.

ФТП, 29, 1136 (1995).

[6] E. Towe, D. Sun, L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, D.A. Firsov, E.A. Zibik. Superlat. Microstruct., 17, № 2, 129 (1995).

[7] Л.Е. Воробьев, И.И. Сайдашев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин.

Письма ЖЭТФ, 65, 525 (1997).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.