WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

22. (22) r+ + r- При этом МЧ резко падает, а ВАХ p-i-n-структуры становится линейной (i u). Эту тенденцию подавления МЧ при сильных полях можно проследить на расчетных ВАХ, представленных на рис. 4, где продемонстрировано влияние МДПЭ вблизи боковых поверхностей симметричной p-i-n-структуры (S+ = S-, p p S+ = S-) на магнитодиодный эффект. Уменьшение МЧ Рис. 6. Зависимости эффективного времени жизни НЗ от при сильных полях обусловливает, в частности, появлеэлектрического поля для p-i-n-структуры, ВАХ которой ние максимума токовой МЧ p-i-n-структуры (на рис. представлены на рис. 5. (Обозначения и параметры те же, что этот максимум приходится на u 3 · 103). и на рис. 5).

6 Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 852 А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый ного времени жизни НЗ от электрического поля. При Список литературы B > 0 поперечный поток НЗ, обусловленный силой Ло[1] Э.И. Рашба, З.С. Грибников, В.Я. Кравченко. УФН, 119, ренца, направлен к поверхности y = -d, а поперечный (1976).

поток НЗ, обусловленный МДПЭ, направлен к поверх[2] А.Ф. Кравченко, В.В. Митин, Э.М. Скок. Явления переноности y =+d (так как на этой поверхности мала скоса в полупроводниковых пленках (Новосибирск, Наука, рость поверхностной междолинной релаксации). Поэто1979).

му у рассматриваемой на рис. 5 и 6 p-i-n-структуры от[3] Z.S. Gribnikov, G.I. Lomova, V.A. Romanov. Phys. St. Sol., 28, клонение НЗ магнитным полем в некотором интервале 815 (1968).

напряжений при сильных электрических полях приводит [4] А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. ФТП, 18, 2046 (1984).

к увеличению эффективного времени жизни носителей [5] Э.И. Рашба. ЖЭТФ, 48, 1427 (1965).

заряда |B>0 по сравнению с |B=0 и соответствен- [6] З.С. Грибников. ФТП, 3, 1821 (1969).

но к положительной токовой МЧ. При еще больших [7] K. Miyazaki, J. Yamaguchi. Jap. J. Appl. Phys., 7, (1968).

электрических полях, когда параметр начинает силь[8] Л.С. Гасанов. ФТП, 15, 2416 (1981).

но уменьшаться, время жизни снова начинает падать, [9] П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., МЧ проходит через максимум, уменьшается и снова 1975).

становится отрицательной (эта область ВАХ на рис. [10] А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., не представлена). Эффект появления полярной МЧ при Наука, 1978).

сильных полях у асимметричных Si-p-i-n-структур при [11] А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. Изв. вузов. Электроника, азотных и гелиевых температурах экспериментально №6, 41 (2000).

обнаружен в работе [8]. При комнатных температурах, [12] А.А. Абрамов, А.У. Фаттахдинов. ФТП, 13, 2144 (1979).

как видно из рис. 3 и как это имело место в эксперимен[13] Т. Ямада. Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников, тах [13], полярная МЧ p-i-n-структур может наблю2, 711 (1968).

даться при слабых электрических полях, а при переходе [14] H. Pfleiderer. Sol. St. Electron., 15, 335 (1972).

[15] А.А. Акопян, З.С. Грибников. ФТП, 14, 740 (1980).

к большим полям токовая МЧ при обоих направлениях [16] А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. Тез. докл. XII совещ. по магнитного поля становится отрицательной, и поляртеории полупроводников (Ташкент, 1985) Киев, ч. 1, ность исчезает. В экспериментах [8] также наблюдались (1985).

максимумы МЧ, теоретическая интерпретация которых дана выше. В то же время в экспериментах [7,8] с Ge- Редактор Л.В. Беляков и Si-магнитодиодами в ряде случаев получались ВАХ, на которых имелись участки с отрицательной дифференMagnetodiode effect features peculiar циальной проводимостью (ОДП) и гистерезисом.

to many-valley semiconductors at low Как показано в работах [15,16], реализация ВАХ N-тиtemperatures па возможна в относительно коротких образцах с контактами, имеющими высокую эмиссионную способность, A.A. Abramov, I.N. Gorbatii при достаточно крутой падающей зависимости (E) Moskow Institute of Electron Technology, при снижении эффективности биполярной диффузии как 103498 Moscow, Russia процесса доставки НЗ от контактов в глубь полупроводникового образца. При этом зависимость p от x ста

Abstract

The magnetodiode effect in a flat p-i-n diode новится резко неоднородной с пологой центральной обstructure is considered theoretically for the case when intervalley ластью и крутыми приконтактными „крыльями“. В дрейredistribution of electrons near its Hall surfaces and surface фовом же приближении при использовании идеализироrecombination of carriers take place. It is shown that reванного граничного условия Ex = 0 на инжектирующем garding the superposition of transeverse carriers flows caused переходе (x = 0) ВАХ p-i-n-структуры получаются by the Lorents force and intervalley redistribution allows us to однозначными по напряжению при сколь угодно крутой explain some features of current-voltage characteristics of Ge- and падающей зависимости (E) [16]. Таким образом, более Si-p-i-n-structures that have been observed in experiments at полная теория магнитодиодного эффекта в многодолинlow temperatures: 1) sublinear I-V -characteristics, 2) occurrence ных полупроводниках, описывающая и такие явления of the polar magnetosensitivity at high electric field intensity как ОДП и гистерезис на ВАХ, должна учитывать (at room temperature polar magnetosensitivity disappears, when продольную диффузию НЗ, чего в настоящей работе passing from low to high electric field).

сделано не было. Кроме того, такая полная теория должна принимать во внимание возможность МДПЭ в греющих электрических полях (эффект Сасаки), а также зависимость транспортных и рекомбинационных коэффициентов от напряженности электрического поля.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.