WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

трудностей, возникающих при создании твердотельных люминесцентных структур на пористом кремнии. В больРедактор Л.В. Шаронова шинстве известных твердотельных структур типа диода Шоттки, создаваемых на основе пористого кремния, протекание тока не обеспечивает достаточной инжекции Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах Mechanism of electroluminescence of porous silicon in electrolytes D.N. Goryachev, O.M. Sreseli, L.V. Belyakov A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

A general model of visible and infrared electroluminescence of porous silicon in contact with an oxidizing electrolyte is proposed. According to the model, visible electroluminescense arises due to bipolar injection of both holes and electrons from the electrolyte into electrically isolated quantum-sized silicon microcrystallites, while infrared electroluminescence is a result of the hole monopolar injection from the electrolyte into macrocrystals. Mechanism of electron injection into microcrystallites from electrolyte is suggested. A conclusion is drawn that properties of the visible electroluminescence are not to depend on either the magnitude or even on the type of conductivity of the silicon substrate.

E-mail:dng@olgas.ioffe.rssi.ru Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.