WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/(Si)-GaAs © И.Н. Котельников¶, С.Е. Дижур, М.Н. Фейгинов+, Н.А. Мордовец Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия + Technische Universitt Darmstadt, D-64283 Darmstadt, Deutschland (Получена 5 декабря 2005 г. Принята к печати 19 декабря 2005 г.) Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном -легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы -слоя. При энергиях фотонов h больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При h

PACS: 72.40.+w, 73.21.Fg, 73.23.Ra, 73.30.+y, 73.40.Gk, 73.63.–b.

1. Введение объеме полупроводника, туннельно-прозрачный барьер позволяет контролировать изменение как заполненных, Полупроводниковые структуры с -легированным сло- так и пустых подзон через туннельный ток, что невозем активно изучаются и интерес к ним подогревается можно в магнитотранспортных измерениях. Благодаря технике туннельной спектроскопии в работе [7] был возможностью их использования в высокоэффективных электронных устройствах [1,2]. Одно из явлений, на- обнаружен неожиданный эффект: после засветки в течение времени t видимым светом при 4.2 K пустые блюдаемых в таких системах, а именно замороженуровни Ei размерного квантования в -слое „сгущались“ ная (persistent) фотопроводимость (ЗФП), несмотря на к основному, заполненному, состоянию E0, которое в многочисленные исследования, до сих пор не имеет свою очередь менялось слабо. Изменения электронной удовлетворительной модели. Замороженная фотопровоконцентрации, однако, были заметны и составляли окодимость проявляется в -легированных структурах на ло 10%. При дальнейшей засветке t > tS уровни не сдвиоснове GaAs как изменение проводимости двумерной гались — эффект достигал насыщения. Мы назвали этот электронной системы (ДЭС) после облучения светом эффект „замороженная туннельная фотопроводимость“ видимого или ближнего инфракрасного диапазонов.

(ЗТФП) и связывали его с уширением потенциальной В ряде работ [3–7] предлагались разные объяснения ямы -слоя в сторону объема GaAs из-за уменьшения этого эффекта: влияние DX-центров, накопление заряда заряда акцепторов в эпитаксиальном слое. Как показали на поверхности, влияние глубоких центров и примесдальнейшие эксперименты, предлагавшаяся в [7] картина ных уровней. Причем в GaAs ЗФП наблюдалась и нуждается в уточнении.

при умеренных уровнях -легирования — менее или В данной работе мы изучили влияние засветки с порядка 3 · 1012 см-2 (см., например, [6]), когда влияэнергиями квантов h больше и меньше ширины запрение DX-центров на ЗФП должно было бы быть мало.

щенной зоны Eg в GaAs на величину эффекта ЗТФП Подавляющее большинство работ было выполнено с в структурах Al/-GaAs. Показано, что ЗТФП при помощью магнитотранспортных измерений, не позволяh >Eg зависит от геометрии туннельных затворов ющих получить информацию о незаполненных подзонах в условиях их малой прозрачности. Была определена и проследить за изменением потенциального профиля критическая температура, при которой эффект перестает структур вне области проводящих каналов.

быть заметным. Проведено сравнение экспериментальМы начали изучение эффекта замороженной фотоных туннельных спектров, полученных при темперапроводимости на туннельных переходах Al/(Si)-GaAs туре 4.2 K, с результатами самосогласованного расчев [7]. Применение структур с одиночным приповерхта туннельных вольт-амперных характеристик (ВАХ).

ностным -легированным слоем имеет ряд преимуществ Обсуждаются возможные причины ЗТФП.

перед системами с глубокими -слоями, системами с несколькими ямами, с квантовыми точками и пр. В тун2. Образцы и методика изменений нельной системе Al/-GaAs практически монослойная легирующая примесь кремния создает потенциальную В экспериментах использовались туннельные структуяму в однородном (от границы с металлом до подложки) ры Al/-GaAs, выращенные на полуизолирующей под¶ E-mail: igor@cplire.ru ложке GaAs(100) методом молекулярно-лучевой эпитак840 И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, М.Н. Фейгинов, Н.А. Мордовец сигналом и отклик снимался двумя синхронными детекторами. В этом случае и d/dU оказывались пропорциональными первой и второй гармоникам модулированного сигнала. В качестве туннельного спектра из экспериментальных данных вычислялась зависимость логарифмической производной d ln 1 d S(U) = dU dU туннельнoй проводимости от U. Это позволило приводить характеристики туннельных переходов с разными величинами к единому масштабу.

Проводимость примерно пропорциональна сумме плотностей состояний подзон, умноженных на соответствующую вероятность туннелирования в каждую из них. Поскольку двумерная (2D) плотность состояний подзон имеет форму ступеньки, на зависимости d/dU от U появляются „провалы“, когда уровень Ферми в алюминии пересекает донья подзон. С довольно высокой точностью положения минимумов Ui на этой кривой соответствуют энергетическим положениям доньев подзон Ei/e в -слое. Для повышения точности значения Ui определялись путем аппроксимации туннельных спектров в области „провалов“ полиномом 3–5 степени.

В экспериментах с облучением образца светом видиРис. 1. Результаты расчета зонной структуры туннельного перехода Al/(Si)-GaAs при нулевом смещении. Расчетные па- мого (красный свет) и ближнего инфракрасного (ИК) раметры структуры приведены в тексте статьи. Концентрация диапазонов образец сначала охлаждался в темноте до электронов в канале при этих параметрах равна 1.1 · 1012 см-2.

температуры 4.2 K. После измерения контрольного темШтриховкой отмечены заполненные состояния в Al и канале.

нового туннельного спектра образец засвечивался свеОбедненная область уходит в глубь GaAs на 500 нм. Показатодиодом, расположенным в непосредственной близости ны положения заполненной, трех пустых подзон и волновые от его поверхности. Чтобы избежать нагрева образца, функции в них. На вставке — схематическое изображение засветка производилась короткими импульсами длительобразцов с разной геометрией туннельных затворов: черным ностью от 1 до 100 мс. После засветки снова измерялся цветом изображены туннельные переходы, а серым — контактуннельный спектр и облучение повторялось. Такая ты к каналу и металлу туннельных переходов.

процедура позволяла получить зависимости положений доньев подзон Ei от суммарного времени засветки t.

Плотность мощности излучения светодиодов на образце сии (МЛЭ) в ИРЭ РАН. Был сформирован -легиросоставляла около 0.1мВт/см2.

ванный слой с концентрацией атомов кремния (номиПри исследовании температурной зависимости эфнально) NSi 5 · 1012 cм-2 на расстоянии около 20 нм от фекта ЗТФП образец засвечивался при 4.2 K в сосуде границы Al/GaAs. Нанесение алюминия толщиной 80 нм Дьюара до насыщения, затем поднимался над уровнем из ячейки Кнудсена проводилось непосредственно в жидкого гелия и после стабилизации температуры изкамере МЛЭ, что позволило сделать границу разде- мерялся туннельный спектр. Для получения следующей ла металл–полупроводник максимально качественной.

температурной точки образец приподнимался в новое В экспериментах использовались туннельные переходы положение.

с тремя различными геометриями алюминиевых затво- Для исследования влияния излучения CO2-лазера с ров: восьмиугольники размером (диаметрами вписанных длиной волны 9.6 мкм (h 130 мэВ) использовалась окружностей) 0.7 и 0.2 мм (образцы типов A и B соответ- оптическая схема, включающая короткофокусную линзу ственно) и полоски шириной 10 мкм и длиной 1 мм (C), с f = 40 мм и диаметром сфокусированного пятна от 0.см. вставку на рис. 1. до 0.05 мм, ослабители (пластинки GaAs под углом Образцы исследовались с помощью метода туннель- к оптической оси) и оптический гелиевый криостат ной спектроскопии [7]. При этом одновременно изме- без промежуточной рубашки с окном из KBr. Темрялись, в зависимости от напряжения смещения U, пература самого образца поддерживалась на уровне туннельный ток I, дифференциальная проводимость 15 K. Камера с образцом содержала дополнительное = dI/dU и производная дифференциальной проводи- холодное окно из Si для обрезания видимого излучемости d/dU. Для измерения и d/dU напряжение ния. Мощность лазера на образце составляла около на образце модулировалось слабым синусоидальным 50 мВт.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости... 3. Расчеты Высота барьера Шоттки определялась по методике [9] из туннельных характеристик специально выращенных Самосогласованные расчеты потенциального профиметодом МЛЭ образцов Al/n+-GaAs. Профиль легиля, энергий двумерных подзон, волновых функций и тунрования задавался параметрами роста. Концентрация нельного тока были выполнены в приближении Хартри.

электронов в канале, профиль потенциала, волновые Учитывалась непараболичная дисперсия в приближении функции для разных подзон вычислялись с помощью двух зон [8]. Длина экранирования в металле считалась самосогласованной процедуры. Расстояние между Al и пренебрежимо малой. При расчете волновых функций -слоем, уровень легирования в -слое, уровень p-легив -слое граница Al/GaAs искусственно отодвигалась рования в объеме GaAs могли отличаться от номинальдалеко в глубину алюминиевой пленки и там волновые ных значений, задаваемых при МЛЭ, на 10–20%. Эти вефункции занулялись. Туннельный ток из данного 2D личины являлись (в указанных пределах) подгоночными состояния в алюминий предполагался пропорциональпараметрами. Уширения уровней выбирались разными ным величине квадрата волновой функции в том месте, для основных и возбужденных подзон, основываясь на где находится реальная граница Al/GaAs. Полный ток подгонке теоретических кривых к экспериментальным получался суммированием по всем состояниям в -слое, данным.

с соответствующим учетом фермиевской функции расНа рис. 1 приведен расчет зонной структуры в области пределения в металле и полупроводнике. При расчете 2D канала при температуре 4.2 K при нулевом напряжезадавались положения уровней Ферми в Al и в канале.

нии между каналом и затвором, без засветки. Расчетные Уровень Ферми на бесконечности в глубине GaAs (на параметры были следующими: -легированный слой с „обратном затворе“) предполагался:

концентрацией легирующей примеси 4.9 · 1012 см-2 на 1) совпадающим с уровнем Ферми в канале при расстоянии 16 нм от металла и шириной 2.5 нм; эпирасчете структур без засветки, таксиальный слой с p = 2.3 · 1015 см-3; высота барьера 2) варьировался при анализе туннельных спектров с Шоттки 0.86 эВ. Соответствующие этим параметрам засветкой.

результаты расчета туннельного спектра (полуширины подзон принимались равными 10 мэВ для E0 и 4мэВ для остальных) и данные измерений приведены на рис. 2.

Как видно из графиков, рассчитанная кривая хорошо описывает экспериментальные данные.

4. Результаты Изучение влияния энергии кванта излучения на величину эффекта ЗТФП, а также исследование температурной зависимости туннельных спектров позволили выявить ряд особенностей ЗТФП и получить информацию о механизмах возникновения этого эффекта.

4.1. Энергия излучения и геометрия затворов В работе [7] мы исследовали эффект ЗТФП, облучая образец видимым (красным) светом с энергией h 2 эВ. Наличие образцов с близкими параметрами (вырезанных из одной пластины), но с различной геометрией туннельных затворов, позволило выявить дополнительные особенности ЗТФП для этого случая.

Измерения показали, что время tS до насыщения эффекта ЗТФП для образцов типа C с затворами в виде узких полосок шириной 10 мкм на 4-5 порядков Рис. 2. Сравнение расчетных и экспериментальных туннельменьше (см. рис. 3, a), чем для образцов типа A и B, ных спектров до и после засветки. Тонкими линиями показаны где затворы имели форму, близкую к окружности с экспериментально полученные спектры в темноте (кривая 1) характерными размерами 0.7 и 0.2 мм, соответственно.

и после засветки ИК излучением при t = 3с (кривая 3). ЖирПричем времена tS для образцов типа A и B практически ные линии соответствуют расчитанным спектрам с уровнями не различались.

p-легирования 2.3 · 1015 см-3 (кривая 2) и1015 см-3 (кривая 4).

Также в настоящей работе мы исследовали поведение Результат расчета с опусканием дна зоны проводимости в образцов в случае их облучения светодиодом ближнеобъеме GaAs на 0.88 эВ совпадает с кривой 4. Нижние кривые го инфракрасного диапазона с энергией 1.3эВ, что смещены на -50 B-1. Стрелками указаны положения первых трех подзон. меньше ширины запрещенной зоны Eg = 1.52 эВ в GaAs Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 842 И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, М.Н. Фейгинов, Н.А. Мордовец Рис. 3. Зависимости положения подзон от времени засветки t красным (a) и инфракрасным (b) светом для разных геометрий туннельных затворов. Различие в начальных положениях подзон на рис. 3, b связано с неоднородностью подложки, из которой были изготовлены образцы.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.