WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[8] Смайт В. Электростатика и электродинамика (М., жения 1954).

(2) [9] V.V. Mitin, V.A. Kochelap, M.A. Stroscio. Quantum HeteroL, R1, F, En,m, мэВ structures, Microelectronics and Optoelectronics (Cambridge нм нм В/см n = 1, m = University Press, 1999).

5 15 1.2 · 103 43.2 · 10-[10] A. Mews, A.V. Kadavanich, U. Banin, A.P. Alivisatos. Phys.

10 30 1.4 · 102 9.7 · 10-Rev. B, 53, 13 242 (1996).

[11] Таблицы физических величин. Справочник, под ред.

И.К. Кикоина (М., Наука, 1976).

[12] D.A.B. Miller, S. Schmitt-Rink, D.S. Chemia. Adv. Phys., 38, квантового числа m. При m = 0 переходы (30) носят 89 (1989).

чисто „пленочный“ характер [12], и наличие поля на Редактор Л.В. Беляков величине поглощения не сказывается. Однако в каждой из серий (28), (29), (32) наличие поля приводит Optical transitions in a quantized к эффективному изменению ширины запрещенной зоg ны, которое определяется величиной внешнего поля cylindrical layer under the presence i,k и геометрическими размерами образца — эффективным of homogeneous electric field ротационным радиусом при m = 0 и толщиной слоя при V.A. Harutyunyan, S.L. Harutyunyan, G.H. Demirjian, m = 0. Этими же величинами определяются и пороговые H.Sh. Petrosyan частоты для внутризонных переходов (33)–(40).

Отметим, что для диагональных по радиальному State Engineering University числу внутризонных переходов внешнее поле привоof Armenia, Gyumree Branch, дит к сдвигу частот поглощения–излучения относи377503 Gyumree, Armenia (2) тельно друг друга на величину = En,m+1(FR0, µ) Artsakh State University, (2) 374430 Stepanakert, Republic Nagorno Karabakh + En,m-1(FR0, µ), в то время как в отсутствие поля наблюдалось бы результирующее поглощение на часто m

Abstract

In the single-electron approximation variations of the тах m =. Кроме того, как при межзонных, так и 2µRcharge carrier energy spectrum under the influence of a transverse при внутризонных переходах наличие поля приводит к electric field in a cylindrical semiconductor layer are observed.

явной зависимости поглощения от эффективной массы The explicit dependence of the Stark shift on the intensity of носителей заряда каждой из зон.

the external field and geometrical sizes of sample are obtained Резюмируя вышеизложенное, можем заключить, что as well as the absorption coefficients and the selection rules both результаты работы дают возможность путем варьироfor interband and in-band optical transitions in the presence of the вания величиной внешнего поля и геометрическими electric field.

размерами образца регулируемым образом менять оптические энергетические характеристики слоя, а явная зависимость параметров поглощения от эффективной массы носителей может быть использована для экспериментального определения значений „оптической“ эффективной массы.

Работа выполнена в рамках целевой программы Республики Армения „Полупроводниковая наноэлектроника“.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.