WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В образцах с оловом в эксперименте видны, как отме- 5. Заключение чалось, более поздние стадии релаксации. Длительный гиперболический спад (рис. 3, кривые 1–3), слабая Примесь олова, введенная в ХСП в процессе термизависимость от интенсивности генерации и достаточно ческого синтеза, оказывает заметно большее влияние сильная зависимость от температуры (рис. 4) указывает на нестационарные характеристики фотопроводимости, на то, что в образцах с оловом доминирует захват на чем на равновесные параметры. В основе этого влияния глубокие состояния. Демаркационная энергия, глубже лежит усиление роли захвата на глубокие локализованкоторой лежат эти состояния [9,10] ные состояния, которые, по-видимому, возникают как следствие введения олова. Усиление захвата, который E(t) =kT ln[(Nc/Nt)(t/0)], (2) определяет специфические для ХСП медленные начальможет быть приближено оценена по точкам изломов ные стадии релаксации, приводит к отсрочке начала кривых 1–3 (рис. 4). Если считать, что время захвата на рекомбинации в легированных образцах и увеличению все ловушки 0 10-12 с, то из формулы (2) следует, = времени жизни фотвозбужденного состояния после вычто демаркационная энергия находится вблизи уровня ключения света. Поскольку реальные времена начала Ферми (около 0.85 эВ), а плотность состояний весьма интенсивной рекомбинации достигают единиц и десятков высока [(Nc/Nt) 102].

= секунд, эффект легирования оказывается полезным с точТочки излома соответствуют моментам t начала инки зрения повышения светочувствительности усторойств тенсивной рекомбинации; как видно эти времена в зарядовой записи оптической информации на основе образцах с оловом в несколько раз больше, чем в пленочных структур из ХСП.

нелегированных образцах (t = 25 с при E = 290 K).

Авторы благодарны В.И. Архипову за интерес к данС увеличением температуры эти времена ускоряются.

ной работе.

Зависимость от температуры, помимо показателя 1/, в (1) включает также и температурную зависимость дрейфовой подвижности [8]. Отсрочка рекомбинации Список литературы при введении 1.0 aт% олова в As2Se3 наблюдалась также в опытах по измерению времени пролета [5]; были [1] B.T. Kolomiets, V.L. Averyanov. In: Phys. of Disordered получены близкие значения для моментов времени, соMaterials (N.Y.–Londonm 1985) p. 663.

ответствующих началу интенсивной рекомбинации (2.[2] Н.П. Калмыкова, Т.Ф. Мазец, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэни 11.8 с для As2Se3 и As2Se3Sn соответственно). дин. ФТП, 28, 297 (1989).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 840 М.С. Иову, Е.П. Коломейко, С.Д. Шутов [3] О.Я. Коршак, Л.М. Панасюк, В.К. Ротарь, В.И. Фулга. В сб.:

Электрография-88 (М., 1988) ч. 2. с. 51.

[4] A.I. Buzdugan, M.S. Iovu, A.A. Popescu, P.G. Gerbari. Balcan Phys. Lett., 1, 7 (1993).

[5] M.S. Iovu, S.D. Shutov, L. Toth. Phys. St. Sol. (b) 195, (1996).

[6] V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phil. Mag., B45, 189 (1982).

[7] A.I. Rudenko, V.I. Arkhipov. Phil. Mag., B45, 209 (1982).

[8] J. Crenstein, M.A. Kastner, V. Vaninov. Phil. Mag., B46, (1982).

[9] A.M. Andriesh, V.I. Arkhipov, M.S. Iovu, A.I. Rudenko, S.D. Shutov. Sol. St. Commun., 48, 1041 (1983).

[10] В.И. Архипов, М.С. Иову, А.И. Руденко, С.Д. Шутов. ФТП, 19, 101 (1985).

[11] A.M. Andriesh, V.S. Gerasimenko, Yu.N. Ivascheko, M.A. Iovu, M.S. Iovu, A.V. Mironos, V.L. Smirnov, M.R. Chernii,, S.D. Shutov. J. de Physique, 42, Col. C4, (1981).

[12] П.П. Серегин, П.В. Нистирюк. Применение эффекта Мессбауэра и фотоэлектронной спектроскопии в физике аморфных полупроводников (Кишинев, Штиинца, 1991).

Редактор В.В. Чалдышев Effect of Sn impurity on photocurrent transients in thin amorphous films of arsenic selenide M.S. Iovu, E.P. Colomeyko, S.D. Shutov Insttitute of Applied Physics, MD-20028 Chisinau, Moldova

Abstract

In thermally evaported films of As2Se3 and As2Se3+1 at.% Sn significant effect of tin impurity on photocurrents has been observed under step–like optical excitation. Addition of Sn quenches a ”flash” on the increasing portion of the transient, removes the excitation dependence of the decay and leads to a temperature–dependent delay of recombination. The impurity effect is bound to the enhancement of trapping into deep localized states generated by tin additions.

Fax: (0422) 73 81 E-mail: iovu.@optoel.moldova.su Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.