WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

поведении мелких доноров, образуемых атомами Te и S при замещении ими атома As в AlGaAs [10]. Согласно расчетам, проведенным в [10], стабильным состоянием атома S, замещающего As в AlGaAs, при увеличении В то же время разделение на две компоненты анасодержания Al становится не состояние тригональной логичных спектров при P [111] оказалось невозможсимметрии (DX-центр), как для TeAs, а состояние мононым, что и следовало ожидать для спектров излучения клинной симметрии с двумя оборванными связями и димоноклинных центров с плоскостью симметрии {011}, мером Ga–Ga, ось которого перпендикулярна плоскости расщепляющихся в этом случае на 3 компоненты [7].

симметрии дефекта (DBB-состояние). Причиной этого различия является разница в энергиях валентных s- и p-электронов атомов Te и S [10]. Если предположить, что соседство с вакансией галлия делает DX-центр для 4. Обсуждение результатов TeAs и DBB-состояние для SAs (а не состояния мелких и заключение доноров) стабильными и в GaAs, отмеченные выше различия комплексов VGaSAs и VGaTeAs могут быть качеДля определения возможных направлений ственно объяснены. Однако окончательное заключение о оси излучающего диполя комплекса обозначим причинах и природе этих различий может быть сделано I1 max( )/I1 max() = и учтем, что для рассматриваемо- на основании детальных расчетов самих комплексов.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ... Список литературы [1] E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y.–London, Academic Press, 1972) v. 8, p. 321.

[2] A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov.

Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Sendai, Japan, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida.

[Mater. Sci. Forum, 196–201, pt 1, 231 (1995)].

[3] A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovskij. Proc.

Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995).

[4] С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Жуков. ЖЭТФ, 116, 1027 (1998).

[5] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34, (2000).

[6] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992).

[7] A.A. Kaplyanskii. J. de Phys., 28 Suppl. N 8–9, 4 (1967).

[8] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 37, 287 (2003).

[9] А.А. Гуткин, А.В. Ермакова. ФТП, 37, 908 (2003).

[10] D.J. Chadi, C.H. Park. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Sendai, Japan, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida [Mater. Sci. Forum, 196–201, pt 1, (1995)].

Редактор Л.В. Шаронова Piezospectroscopic research of the radiation band with a maximum near 1.2 eV in n-GaAs : S A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Investigated is the influence of uniaxial pressure as high as 8 kbar along the [111] and [001] crystallographic directions on spectra and polarization of a wide band of a photoluminescence with a maximum at the photon energy of 1.2 eV in nGaAs : S, connected with capture of electrons by VGaSAs complexes.

Dependences of polarization of radiation in this band on the energy of photons and temperature testify that initially trigonal symmetry of the complex is lowered and can be monoclinic with the {011} plane of symmetry. At that distortions of the complex can not be reoriented, and the axis of complex radiating optical dipole is approximately equally rejected from 111 and directions, laying in a plane of symmetry. Separating components of radiation band splitted at uniaxial pressure, based on use of the laws of the piezospectroscopic behaviour of radiation of anisotropic centers, confirms the specified model of a complex and shows, that the contribution of a rotator to its radiation is small.

Results are compared to the data for similar VGaTeAs complex and show essential change of properties of vacancy — shallow donor complexes at replacement of one donor of VI group with another.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.