WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором и марганцем, стимулированное электрическим полем и светом © М.К. Баxадырханов¶, О.Э. Саттаров, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, Туэрди Умайер Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, 700095 Ташкент, Узбекистан (Получена 15 ноября 2004 г. Принята к печати 9 декабря 2004 г.) Экспериментально установлен эффект стимулирования светом отрицательного магнитосопротивления, наблюдаемого в сильном электрическом поле, в кремнии, легированном бором и марганцем. Определены оптимальные условия — электрическое поле, температура, освещение, а также удельное сопротивление материала — для наблюдения максимального отрицательного магнитосопротивления с таком материале. Установлена зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации компенсирующей примеси.

Эффект отрицательного магнитосопротивления в раствор добавлялся аммиак, гипофосфит натрия, и (ОМС) в полупроводниковых материалах при сильных опускались образцы. Время никелирования составляло электрических полях был исследован в работе [1] и 40 ± 20 с. После никелирования поверхность никеля бырассмотрен в книге [2]. ОМС в сильном электрическом ла светло-желтого цвета и однородно покрыта никеполе в основном наблюдается при 77 K и достигает лем. Омичность никелевого покрытия проверялась по своего максимального значения ( 28%) при напряжен- вольт-амперным характеристикам образцов. Качественности электрического поля около 500 В/см. В отличие от ными считались те образцы, у которых ВАХ была линейэтих результатов, нами было обнаружено ОМС в p-Si, на в исследуемой области электрического поля. После легированном бором и марганцем при комнатной темпе- никелирования образцы лудились для последующей пайратуре и при относительно низких электрических полях.

ки выводов с использованием канифолевого флюса. Для В связи с этим цель данной работы заключается в опре- лужения использовались припои с относительно малой делении оптимальных условий существования ОМС.

температурой плавления Tm: ПОСК 50 (Tm 150C) Компенсированный кремний, легированный марган- и ПОСК61 (Tm 180C).

цем, был получен с помощью диффузии марганца При измерении магнитосопротивления / значение в кремний из газовой фазы по разработанной нами напряженности магнитного поля H изменялось в предетехнологии [3]. В качестве исходного материала был лах 0-2 Тл. Направление поля было перпендикулярно использован монокристаллический p-Si с удельным сонаправлению тока и плоскости 111 (грань образцов противлением st = 1-10 Ом · см и соответственно с 0.4 0.05 см2). Изменение направления напряженности концентрацией бора NB 2 · 1015-2 · 1016 см-3. Конценмагнитного поля на 180 не изменяет величину /, а трация кислорода в этих материалах была практически изменение знака электрического поля изменяет величиодинаковой и составляла NO (5-7) · 1017 см-3.

ну / примерно на 4-5%. Эти значения усреднялись Температура и время диффузии выбирались с таким при вычислении магнитосопротивления.

расчетом, чтобы получить однородно легированный марКак показали результаты эксперимента, значение и ганцем компенсированный (p-Si B,Mn ) и перекомпенхарактер изменения ОМС существенно зависит от присированный (n-Si B,Mn ) материалы с удельным сопроложенного к образцу электрического поля. Поэтому тивлением 102-105 Ом · см при комнатной темперанами исследована зависимость ОМС от электрического туре. Во всех экспериментах размеры образцов были поля в образцах p-Si B,Mn c 6.2 · 103 Ом · см при одинаковы и составляли 0.4 0.2 0.05 см, контакты комнатной температуре и H = 1.5Тл (рис. 1). Как видно наносились на торцевые поверхности образцов (грань из рис. 1, значение ОМС с ростом электрического поля 0.2 0.05 см2).

растет и достигает своего максимального значения при Для создания омических контактов в образцах Emax = 90-100 В/см, а при дальнейшем увеличении E p-Si B,Mn использовалось химическое осаждение никезначение ОМС уменьшается и при E 200 В/см практиля. Для улучшения адгезии никеля образцы перед нически стремится к нулю. Область существования ОМС келированием шлифовались микропорошком M-9 и обв этих образцах имеет место при E < 200 В/см.

рабатывались в растворе плавиковой кислоты (HF : H2O В перекомпенсированных образцах n-Si B,Mn незав соотношении 1 : 3) для снятия оксида. Электролит висимо от их удельного сопротивления всегда имеет для никелирования приготовлялся согласно работе [4].

место небольшое положительное магнитосопротивление При этом электролит нагревался до 86-90C, затем (ПМС), значение которого увеличивается с ростом ¶ удельного сопротивления образцов. Следует отметить, E-mail: tstu@uzpak.uz что, хотя характер изменения ПМС в этих материалах 824 М.К. Баxадырханов, О.Э. Саттаров, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, Туэрди Умайер Интересные результаты были обнаружены при исследовании магнитосопротивления образцов p-Si B,Mn, освещенных интегральным светом. Образцы освещались с двух противоположных сторон равномерно; интенсивность освещения регулировалась с помощью калиброванной сетки. Направление падения света совпадало с направлением магнитного поля. Установлено, что освещение существенно стимулирует ОМС p-Si B,Mn. На рис. 3 представлены зависимости ОМС от магнитного поля для образцов p-Si B,Mn с 6.2 · 103 Ом · см, освещенных светом различной интенсивности. Как видно из рисунка, значение ОМС увеличивается с ростом Рис. 1. Зависимость магнитосопротивления от электрическо- интенсивности освещения и достигает максимума при го поля в образце p-Si B,Mn с удельным сопротивлением L = 150 лк. При дальнейшем увеличении интенсивно = 6.2 · 103 Ом · см в темноте, при комнатной температуре и сти освещения значение ОМС уменьшается. Результаты постоянном магнитном поле H = 1.5Тл.

эксперимента показали, что при интенсивности освещения L 1000 лк магнитосопротивление изменяет знак, т. е. от ОМС переходит к ПМС. Таким образом, установлено, что на исследованных образцах ОМС, стимулированное светом, наблюдается в области интенсивности освещения O < L < 1000 лк, а максимальное значение имеет место при L = 150-180 лк.

Нами исследована также зависимость магнитосопротивления образцов p-типа с = 6.3 · 103 Ом · см от магнитного поля при различных температурах (рис. 4).

Результаты эксперимента показывают, что в этих материалах при T = 77 K в исследуемой области магнитного поля всегда имеется только небольшое ПМС, значение которого растет с ростом H по закону / H(кривая 1). С повышением температуры значение ПМС Рис. 2. Зависимости магнитосопротивления от магнитного поля при различных значениях удельного сопротивления образцов p-Si B,Mn (в темноте, при комнатной температуре, при E = 100 В/см), Ом· см: 1 — 2.5 · 102, 2 — 6.2 · 102, 3 —6.3 · 103, 4 —1.5 · 104, 5 —6.5 · 104, 6 —2 · 105.

существенно не отличается от ПМС некомпенсированных (без марганца) образцов Si B с таким же удельным сопротивлением, значение ПМС в n-Si B,Mn немного меньше, чем в некомпенсированных образцах.

На рис. 2 приведено относительное изменение удельного сопротивления образцов компенсированного кремния (p-Si B,Mn ) с различным удельным сопротивлением при комнатной температуре в зависимости от напряженности магнитного поля в темноте (при E = 100 В/см). Результаты исследования показали, что в образцах с 5 · 102 Ом · см всегда имеет место небольшое ПМС. С ростом удельного сопротивления Рис. 3. Зависимости магнитосопротивления от напряженности образцов p-Si B,Mn знак магнитосопротивления измемагнитного поля в образцах p-Si B,Mn с удельным сопроняется и появляется ОМС, значение которого растет тивлением 6.2 · 103 Ом · см при комнатной температуре, с увеличением и достигает своего максимального постоянном электрическом поле E = 100 В/см и различной значения для образцов с =(6-7) · 103 Ом · см. Дальинтенсивности освещения L, лк: 1 — 8, 2 — 32, 3 — 80, нейшее увеличение удельного сопротивления образ4, 7 — 150, 5 — 320, 6 — 450. Зависимости 1–6 получены для цов приводит к уменьшению ОМС, а для образцов образцов, изготовленных из исходного p-Si B с = 10 Ом · см с (5-6) · 104 Ом · см магнитосопротивление опять (марки КДБ-10); зависимость 7 — из исходного p-Si B изменяет знак и становится положительным. с = 1Ом· см (марки КДБ-1).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором и марганцем... [3] Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов и др. Компенсированный кремний (Л., Наука, 1972) с. 12–24.

[4] М. Шалкаускас, А. Вашкями. Химическая металлизация пластмасс (М., Химия, 1977) с. 133–134.

Редактор Т.А. Полянская Electric potential and light stimulation of a negative magnetic resistance in silicon doped with manganese M.K. Bahadyrkhanov, O.E. Sattarov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Tuerdi Wumaier Рис. 4. Зависимости магнитосопротивления от напряженности The Tashkent State Technical University, магнитного поля в образцах p-Si B,Mn с удельным сопртив700095 Tashkent, Uzbekistan лением = 6.3 · 103 Ом · см в темноте при E = 100 В/см и температуре T, K: 1 — 77, 2 — 135, 3 — 290, 4 — 320.

уменьшается, а при T = 130-140 K появляется небольшое ОМС. Значение ОМС увеличивается с ростом температуры и достигает максимума при T = 290-300 K.

Дальнейшее увеличение температуры приводит к уменьшению ОМС.

На рис. 3 кривой 7 представлена зависимость ОМС от магнитного поля для образца p-Si B,Mn с удельным сопротивлением 6.2 · 103 Ом · см, но изготовленного на основе исходного кремния с удельным сопротивлением = 1Ом· см. В этом образце концентрация электроактивных атомов Mn составляет NMn 2.1 · 1016 см-3 — больше, чем в образцах, данные для которых представлены кривыми 1–6. Как видно из рисунка, с увеличением концентрации атомов компенсирующей примеси, при одинаковых условиях (L, E, T, ), значение ОМС увеличивается более чем в 2 раза. Эти данные демонстрируют возможность управлять значением ОМС в p-Si B, варьируя концентрацию Mn диффузионным методом. Ограничение концентрации марганца NMn 2.1 · 1016 см-3 связано с растворимостью атомов Mn в кремнии.

Таким образом, в результате проведенных исследований показано, что для наблюдения максимального ОМС в кремнии, легированном бором и марганцем, должны осуществляться оптимальные условия: исходный материал — p-Si B с удельным сопротивлением st = 1-10 Ом · см. После диффузии марганца образец должен оставаться дырочного типа проводимости с удельным сопротивлением =(6-7) · 103 Ом · см, электрическое поле должно быть E = 80-100 В/см, интенсивность интегрального освещения L = 130-150 лк, оптимальная температура T = 290-300 K.

Список литературы [1] М. Аше, Ю.Г. Завьялов, О.Г. Сарбей. Письма ЖЭТФ, 13, 401 (1971).

[2] К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.