WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

считаем, что кластеры могут быть центрами зарождения [3] Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов. Способ получения полупроводтого или иного политипа [8]. Вероятность образования никового карбида кремния. А. с. № 403275 (1970); Patents поверхностного кластера слабо зависит от величины UK: N 1458445 (1977); Germany: N 2409005 (1977); USA N 414572 (1979).

пересыщения. Поэтому такой механизм роста наиболее [4] Ю.А. Водаков, М.И. Карклина, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, четко проявляется при малых пересыщениях при росте Неорган. материалы 16, 537 (1980).

на сингулярной поверхности, на которой отсутствуют [5] Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, структурные и морфологические дефекты, способствуYu.N. Makarov. Phys. Stat. Sol. 202, 177, (1997).

ющие сохранению политипа подложки [13]. При от[6] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, сутствии внешних факторов, способствующих возникноP.G. Baranov. J. Cryst. Growth 183, 10 (1998).

вению определенного политипа, на такой поверхности [7] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov.

возникают и растут зародыши различных политипов, что Springer Proc. Phys. 56, 329 (1992).

приводит к эффету политипной неустойчивости [13]. В [8] Е.Н. Мохов. Автореф. докт. дис. СПб (1998).

то же время структура возникающего зародыша поли[9] Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин.

типа зависит от соотношения Si : C в паровой фазе [10].

Письма в ЖТФ 5, 367 (1979).

Например, при избытке Si высока вероятность обра[10] Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ 24, зования зародыша кубического политипа (3C), а при (1982).

относительном избытке углерода (или в парах изова[11] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Point Defects in Silicon лентных примесей 1Vb группы) образуются зародыши Carbide. Inst. Phys. Conf. Ser. N 137, Сh. 3, 197 (1994).

гексагонального политипа 4H [14].

[12] E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155, Таким образом, наиболее важной специфической осо- Ch. 3, 177 (1997).

бенностью широкозонных материалов с большой энер- [13] G.V. Saparin, S.K. Obyden, P.V. Ivannikov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Scanning 19, 269 (1997).

гией связи является то, что релаксационные процессы [14] E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, G.V. Saparin, S.K. Obyden.

с участием собственных дефектов и примесных атомов Scanning 18, 67 (1996).

протекают в них чрезвычайно медленно, что затрудняет достижение равновесия в твердой фазе даже при высоких (технологических) температурах, при которых проводится рост, диффузия или ионная имплантация.

В результате, выращенные кристаллы могут содержать неравновесные метастабильные состояния, включающие собственные дефекты и примеси, что делает свойства кристаллов зависимыми от температуры и других условий их получения. Эти специфические особенности материала оказываются чрезвычайно устойчивыми. Полное их устранение требует предельно высоких температур отжига.

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.