WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

ка), описывающих состояние центра в основном и [12] Т.Г. Керимова, Р.Х. Нани, В.К. Салаев, В.Я. Штейншрайвозбужденном состояниях в конфигурационных коорбер, А.А. Алиев. ФТТ, 21, 1899 (1979).

динатах, с последующим многофононным переходом в [13] В.Ф. Житарь, А.И. Мачуга, С.И. Радауцан. Опт. и спектр., минимум адиабатической кривой, описывающей центр 51, 948 (1981).

в основном состоянии [39]. Скорее всего измеренная [14] Е.А. Сальков, М.К. Шейнкман. ФТТ, 5, 397 (1963).

нами энергия активации температурного тушения по[15] И.Б. Ермолович, М.К. Шейнкман. УФЖ, 9, 1153 (1964).

лосы hm = 0.971 эВ, равная 0.56 эВ, есть энергети[16] М.К. Шейнкман, И.Б. Ермолович, Г.Л. Беленький. ФТТ, 10, ческая координата точки A относительно минимума 2628 (1968).

адиабатической кривой, описывающей центр в возбу- [17] S.I. Radautsan, V.S. Donu, V.F. Zhitar, E.E. Strumban. Phys.

жденном состоянии (энергия E), а энергия активации, St. Sol. (a), 57, K79 (1980).

[18] A.N. Georgobiani, S.I. Radautsan, I.M. Tiginyanu. Phys. St.

равная 0.12 эВ, характеризует процессы туннелирования Sol. (a), 69, 513 (1982).

через потенциальный барьер, разделяющий эти кривые.

[19] А.Н. Георгобиани, Ю.О. Дерид, С.И. Радауцан, И.М. ТиДля рекомбинационной люминесценции зависимость гиняну. Кр. сообщ. по физике ФИ АН СССР, № 8, интенсивности ФЛ от интенсивности возбуждения при (1983).

температуре из области ее термического тушения долж[20] A.N. Georgobiani, A.N. Gruzintsev, S.I. Radautsan, I.M. Tiна быть сверхлинейной [16,38], а измеренная энергия акginyanu. Phys. St. Sol. (a), 80, K45 (1983).

тивации в таком случае есть глубина соответствующего [21] Ю.О. Озеров, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТТ, 23, акцепторного уровня относительно потолка валентной (1981).

зоны.

[22] И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, Схема уровней дефектов решетки и излучательных М.К. Шейнкман. УФЖ, 18, 729 (1973).

электронных переходов между ними, которая реализу- [23] Н.А. Власенко, И.Б. Ермолович, Ф.Ф. Коджеспиров, Н.К. Коновец, Л.А. Можаровский, М.К. Шейнкман. Изв.

ется в исследованных кристаллах тиогаллата кадмия АН СССР. Сер. физ., 35, 1433 (1971).

типа B, приведена на рис. 6, b.

[24] M. Shlaak, A. Weiss. Zs. Naturforch., 27a, 1624 (1972).

Авторы приносят благодарность С.В. Беляеву за [25] F.E. Williams. Phys. St. Sol., 25, 493 (1968).

предоставление образцов кристаллов тиогаллата кадмия [26] Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969).

типов A и B, а также С.А. Васильковскому за измерения [27] И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. ФТП, 2, спектров комбинационного рассеяния.

1639 (1968).

Работа выполнена при финансовой поддержке Фон[28] A.N. Georgobiani, A.N. Gruzintsev, S.I. Radautsan. Phys. St.

да фундаментальных исследований Министерства науки Sol. (a), 80, K45 (1983).

Украины, (грант № 2/840). [29] I.B. Ermolovich, V.V. Gorbunov, I.D. Konozenko. Rad. Eff., 17, 161 (1978).

[30] И.Б. Ермолович, Н.К. Коновец. УФЖ, 18, 803 (1973).

Список литературы [31] R. Parrot, C. Naud, D. Curie, U. Pohe, W. Busse, H.E. Gumljch. J. Luminesc., 31–32, 293 (1984).

[1] H. Hahn, G. Frank, W. Klinger, A. Strger, G. Strger. Zh.

[32] J. Broser, H. Maier, H. Schulz. Phys. Rev., 140, A2135 (1965).

Anorg. Allg. Chem., 279, 241 (1955).

[33] О.Н. Бокша, С.В. Грум-Гржимайло. Исследования опти[2] Н.А. Горюнова. ДАН СССР, 103, 639 (1955).

ческих спектров кристаллов с ионами группы железа [3] Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводпри комнатной и низких температурах (М., Наука, ники (М., Сов. радио, 1968).

1972).

[4] А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, [34] Дж. Маррел, С. Кеттл, Дж. Теддер. Химическая связь (М., 19, 193 (1985).

Мир, 1975).

[5] C.И. Радауцан, Ю.О. Дерид, В.Ф. Житарь, О.П. Дерид, [35] Физика и химия соединений AIIBVI (М., Мир, 1970) [Пер.

Н.К. Троценко, А.Г. Тюлюпа. ДАН СССР, 267, 673 (1982).

с англ.: Phisics and Chemistry of II–VI Compounds, ed.

[6] J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 27, by M. Aven, J.S. Prener (N.Y., North-Holland Publishing (1961).

Company–Amsterdam, 1967)].

[7] В.Б. Абдуллаев, В.Г. Агаев, В.Б. Антонов, Р.Х. Нани, [36] С.И. Курганский, О.В. Фарберович, Э.П. Доманская. ФТП, Э.Ю. Салаев. ФТП, 5, 2132 (1971).

14, 1412 (1980).

[8] Д.В. Гицу, В.Ф. Житарь, В.Я. Райлян, В.С. Дону, Н.С. По- [37] И.Б. Ермолович, И.И. Миленин. ЖПС, 47, 829 (1987).

пович, Е.В. Чебурчан. В кн.: Тр. VI Межд. конф. по [38] I.B. Ermolovich, V.V. Milenin. Phys. St. Sol. (b), 133, аморфным и жидким полупроводникам (Л., 1976) (1986).

с. 287.

[39] Д. Кюри. Люминесценция кристаллов (М., Наука, 1961).

[9] С.В. Беляев, Н.С. Хилимова, В.А. Хвостов, Ю.Г. Синюк.

[Пер. с фр.: D. Curie. Luminescence cristalline (Dunod, Тр. 8 Межд. конф. по тройным и более сложным Paris, 1960)].

соединениям (Кишинев, Штиинца, 1990) с. 11.

Редактор Л.В. Шаронова [10] Л.И. Бергер, В.Д. Прочухан. Тройные алмазоподобные полупроводники (М., Металлургия, 1968).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Влияние состава твердого раствора CdS и Ga2S3 на его свойства и дефектную структуру The effect of composition on the properties and defect structure of CdS and Ga2S3 solid solutions E.F. Venger, I.B. Ermolovich, V.V. Milenin, V.P. Papusha Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine

Abstract

The effect of an abundant CdS content in cadmium thyogallat on the spectrum of defect states in the energy gap has been studied. Comparative investigations have been made based on Raman scattering, photo and cathodoluminescence spectra.

Two types of crystals have been studied: initial crystals (type A) and crystals with CdS excess (type B). The following defects can be regarded as principal ones: both S and Cd vacancies, GaCd donor antisite defects, those due to incorporation of the transporting gas atoms such as IS. In B-crystals alongside with IS defects to principal defects can be also related CdGa — acceptor antisite defects and both Cdi and Si interstitials. Radiative characteristics of crystals under investigation are caused by the interaction of above mentioned defects. A luminescence band of hm = 0.971 eV has been found to be due to infracenter transitions in d-core of CdGa in presence of Si.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.