WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

го лазера (энергия фотонов h = 3.68 эВ) с диаметром пятна 0.2 мм. Спектры ФЛ регистрировались в диапазоне энергий h = 3.10-1.75 эВ с помощью спектрометра ДФС-12 и фотоэлектронного умножителя Во всех полученных спектрах наблюдались полосы ФЭУ-79. На рис. 4 приведены спектры ФЛ исходной с энергиями 2.99, 2.94, 2.83 и 2.4 эВ. Классификация подложки (кривая 1) и ЭСна ПКК (кривая 2), снятые в и обозначение линий проводились в работах [11,12].

сильнодефектной области B исходной подложки. Спектр Полосу с энергией 2.99 эВ авторы идентифицируют с ФЛ для ЭС на ПКК, снятый в малодефектной области A бесфононной рекомбинацией экситона, связанного на исходной подложки, и более подробная часть спектра нейтральном доноре — азоте, находящегося в кубичев экситонной области приведены на рис. 5 (кривая 1 и ском окружении (полоса SoRo, энергия 2.992 эВ). Полоса вставка). Спектр ФЛ исходной подложки в области A 2.94 эВ образуется из линий аннигиляции свободного (не приводится) был подобен спектру на рис. 4, но имел экситона с фононами TA (2.982 эВ), LA (2.954 эВ), TO меньшую интенсивность в диапазоне h = 1.8-2.4эВ.

(2.933 эВ), LO (2.924 эВ). Полоса 2.83 эВ также наблюДля сравнения на этом же рисунке приведен спектр ФЛ дается всегда, и мы ее связываем с 2LO-повторением контрольного эпитаксиального слоя, выращенного на исходной подложке без создания промежуточного порис- линии свободного экситона. Полосу при h 2.4эВ того слоя (кривая 2). связывают с люминесценцией дефектов.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 816 Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова Сравнивая спектры ФЛ, полученные на ЭС на ПКК [3] L.M. Sorokin, J.L. Hutchison, J. Sloan, G.N. Mosina, N.S. Savkina, V.B. Shuman, A.A. Lebedev. Technical Digest и ЭС, можно сделать следующие выводы: 1) интенсивof 1 Conf. on SiC and Related Materials — ICSCRMность „дефектной“ полосы в обоих спектрах примерно (Tsukuba, Japan, 2001) p. 408.

одинакова, но меньше, чем в спектре исходной подлож[4] G. Rozgoniy, P. Petroff, M. Panish. J. Cryst. Growth, 27, ки; 2) интенсивность экситонного пика на ЭС на ПКК (1974).

более чем в 5 раз превышает интенсивность пика в [5] A.-J. Schell-Sorokin, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 64 (9), спектре исходной подложки, в 2.5 раза — интенсивность 1039 (1990).

пика в спектре эпитаксиального слоя; 3) интенсивность [6] Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, экситонных пиков в спектре ЭС на ПКК мало зависит InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Ruот дефектности подложки (области A и B).

myantsev and M.S. Shur (A. Wiley-Interscience Publication, J. Wiley & Sons Inc., 2001).

[7] G. Stoney. Proc. Royal Soc. (London), Ser. A82, 172 (1925).

4. Заключение [8] Н.С. Савкина, В.В. Ратников, В.Б. Шуман. ФТП, 35 (2), 159 (2001).

Показано, что наличие пористой прослойки между [9] C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J.W. Ager III, подложкой и эпитаксиальным слоем не является преE. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E.R. Weber, пятствием для получения качественных слоев. РентгеM.D. Bremser, R.F. Davis. Phys. Rev. B, 54 (24), 17 новские измерения и данные ИК спектроскопии четко (1996).

свидетельствуют o более высоком структурном совер- [10] А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Ивашенстве эпитаксиального слоя, выращенного на ПКК, по нов. ФТП, 29 (12), 2122 (1995).

сравнению с эпитаксиальным слоем, выращенным непо- [11] M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979).

средственно на подложке. Рентгеновские топограммы, [12] А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев. ФТП, 30 (1), 17 (1996).

снятые от ЭС на ПКК при разных отражениях (в данной работе не приводятся), также указывают на улучшение Редактор Л.В. Шаронова структуры слоя. Наличие более крупных пор вблизи границы ПКК– эпитаксиальный слой [3] не является Structure and properties of silicon препятствием для получения четкой интерференционной carbide, grown on porous substrate картины в спектре отражения, которая свидетельствует by vacuum sublimation epitaxy о плоскопараллельности ЭС на ПКК и позволяет определить его толщину неразрушающим методом. Сравнение N.S. Savkina, B.B. Ratnikov, A.Yu. Rogachev, спектров ФЛ, полученных на ЭСна ПККи контрольном V.B. Shuman, A.S. Tregubova, A.A. Volkova эпитаксиальном слое, показало, что „дефектная“ полоса Ioffe Physicotechnical Institute, присутствует в обоих спектрах и примерно одинакова Russian Academy of Sciences, по интенсивности, но меньше, чем в спектре исходной 194021 St. Petersburg, Russia подложки. Существенным их различием является то, что интенсивность экситонного пика ЭС на ПКК более

Abstract

A homoepitaxial SiC layer was grown by the vacчем в 5 раз превышает интенсивность пика исходной uum sublimation epitaxy on porous silicon carbide. A thick подложки и в 2.5 раза интенсивность пика контрольного (about 10 µm) porous SiC layer was fabricated by electrochemical эпитаксиального слоя. В заключение следует отметить, etching the off-axis 6H-SiC substrate. The thickness of epitaxial что необходимы дальнейшие исследования не только по layer was about 10 µm. Initial substrate, porous and epitaxial оптимизации параметров ПКК, но и всего процесса СЭВ layers were investigated by X-ray, infrared reflection and photoна пористом слое.

luminescence methods. It was shown that the characteristics of Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты SiC epitaxial layer grown of porous substrate had improved as №№ 01-02-17907 и 00-02-16760).

compared to those of SiC layer grown on standard substrate.

Авторы выражают благодарность проф. R. Madar за предоставление подложки и А.М. Данишевскому за полезные обсуждения.

Список литературы [1] M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev. Mater. Res. Soc. Symp. (2000) v. 587(C), p. 08.6.1.

[2] M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kuznetsov, M. Mynbaev, V. Dmitriev. Appl. Pphys. Lett., 78 (1), 117 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.