WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпитаксии в вакууме ¶ © Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 17 декабря 2001 г. Принята к печати 18 декабря 2001 г.) Слой SiC выращен методом сублимационной эпитаксии в вакууме на пористом карбиде кремния. Пористый слой SiC толщиной 10 мкм изготовлен электрохимическим травлением разориентированной подложки 6H-SiC. Толщина выращенного эпитаксиального слоя составляла 10 мкм. Кристаллические и оптические свойства исходной подложки, пористого и эпитаксиального слоев исследовались рентгеновскими методами и методами инфракрасного отражения и фотолюминесценции. Показано, что характеристики эпитаксиального слоя SiC, выращенного на подложке с пористым слоем, улучшились по сравнению с характеристиками слоя SiC, выращенного на стандартной подложке.

1. Введение эпитаксиального слоя, полученного методом СЭВ на ПКК, с применением разных методик (рентгеновских, Несмотря на заметный прогресс, достигнутый при инфракрасного отражения, фотолюминесценции).

выращивании подложек карбида кремния (SiC), структурные дефекты подложки, проникающие при после2. Образец дующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики В данной работе представлены результаты исследоприборов. Одним из способов уменьшения этого вливания гомоэпитаксиального слоя, выращенного методом яния является создание между подложкой и эпитаксиСЭВ на подложке 6H-SiC фирмы CREE (концентрация альным слоем пористой прослойки. Не так давно было нескомпенсированных доноров Nd -Na = 4.5·1018 см-3) показано, что при использовании подложек пористого после создания на ней промежуточного пористого слоя.

карбида кремния (ПКК) количество дефектов в слоИсходная подложка с полированными противоположныях, выращенных методом сублимационной эпитаксии ми гранями (Si и C) была разориентирована на 3.5 по в вакууме (СЭВ) [1], уменьшается по сравнению со отношению к кристаллографической оси c.

слоями, выращенными на стандартных подложках. Однако наиболее распространенным методом получения эпитаксиальных пленок SiC является метод газофазной эпитаксии (ГФЭ). Поэтому в последующем в основном приводились результаты исследования эпитаксиальных слоев, выращенных на ПКК именно этим методом [2].

В данном случае наиболее существенным различием этих методов является среда, в которой находится образец во время эпитаксиального роста. Для СЭВ такой средой является вакуум, а для ГФЭ — чаще всего смесь силана с пропаном SiH4 + C3H8 и, что очень важно, водород. Присутствие водорода препятствует образованию на поверхности образца избыточного углерода. При нагреве в вакууме ПКК уже при сравнительно низких температурах мы наблюдали изменение цвета пористого слоя от коричневого до черного. Исследовния методами оже-спектроскопии и инфракрасного (ИК) отражения подтвердили предположение об образовании избыточного графита в ПКК. Кроме того, в работе [3] при исследовании скола образца эпитаксиальный SiC –ПКК– подложка SiC методами рентгеновской микроскопии было обнаружено присутствие избыточного углерода не только в ПКК, но и в области эпитаксиального слоя, распоРис. 1. Рентгеновская топограмма исходного образца размеложенной вблизи границы эпитаксиальный SiC –ПКК.

ром 12 12 мм2. Излучение CuK, отражение (112.12). Видны Поэтому нам представляются важными исследования области с равномерным распределением базисных дислока¶ E-mail: nata.sav@pop.ioffe.rssi.ru ций (A) и с сильными локальными нарушениями (B).

Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке... Экспериментальные значения радиусов кривизны R, напряжений a и FWHM двух- и трехкристальных кривых дифракции FWHM (ДКД) FWHM (ТКД) Образец R, м/ a, ГПа (0006) (00012) (0006) (00012) -2 -Подложка +70/0 22 25 10 11 11 Пористый слой +13/ - 0.06 30 2 пика 13 13 18 2 пика Эпитаксиальный слой -72/ + 0.028 23 42 15 12 15 Примечание. Значения FWHM приведены в угл. сек.

После предварительного рентгенотопографического мер, [5]) дает значение a = 0.14 · 10-6 ГПа. При расисследования подложки для дальнейших экспериментов чете напряжений с использованием упругих констант был выбран кусок размером 12 12 мм2. Рентгеновская из [6] учитывалась анизотропия упругих свойств SiC.

топограмма подложки представлена на рис. 1. На то- Напряжения в приповерхностном слое на Si-грани в пограмме четко видны области с разной структурой. исследуемом образце являются сжимающими и увеличиВобласти A дислокации распределены равномерно, в то ваются после создания пористого слоя, на что указывает время как в области B наблюдаются сильные локальные уменьшение радиуса кривизны образца. Рассчитанные нарушения.

из R по формуле Стоуни [7] биаксиальные сжимаюПористый слой был образован на Si-грани исходной щие напряжения в ПКК равны a = -0.06 ГПа. Можно подложки методом электролитического анодного травле- предположить, что источником напряжений являются ния образца в растворе HF : H2O: C2H5OH = 1:1:2 при силы элекростатического отталкивания, связанные с плотности тока 20 мА / см2 и при освещении поверхно- неполным удалением электролита из пор. Для проверки сти источником ультрафиолетового излучения. Толщина этого предположения были проведены измерения криполученного слоя ПКК составляла 10 мкм.

визны ПКК на подобном образце, как непосредственно Эпитаксиальный слой SiC толщиной 10 мкм был после его получения (R =+13 м), так и после прогрева выращен методом СЭВ в вертикальном водоохлажда- образца в течение 1 ч в вакууме при 700C. В результате емом кварцевом реакторе при температуре подлож- такой термообработки изгиб ПКК исчез (размер пор не ки 1800C. Концентрация Nd-Na в эпитаксиальном изменился). Помещение образца в раствор электролита слое, определенная из вольт-фарадных характеристик, на 15 мин вновь привело к изгибу образца до R =+59 м, равнялась 2 · 1016 см-3.

что доказывает правомерность предположения о влиянии электролита в порах исходного ПКК на его изгиб.

Высокотемпературный рост эпитаксиального слоя 3. Результаты и их обсуждение приводит к изменению знака изгиба на противоположный. Эпитаксиальный слой на ПКК вогнут, но растя3.1. Рентгеновские измерения гивающие напряжения в нем малы (a = +0.027 ГПа).

Оценка величины напряжений проводилась без учета Рентгеновские измерения исходной подложки, порислоя ПКК между эпитаксиальным слоем и подложкой.

стого слоя и эпитаксиального слоя проводились на двухВ работе [8] было обнаружено уменьшение кривизны и трехкристальном дифрактометрах (ДКД и ТКД) с образцов при росте тонких (2мкм) эпитаксиальных использованием излучения CuK1. Оценка макронапряслоев на ПКК (образцы распрямлялись, оставаясь выжений проводилась по измеренным на ДКД радиусам пуклыми). В данной работе толщина ЭС на ПКК была изгиба образцов (R). Измерения R заключались в регив 5 раз выше, что и привело к изменению знака изгиба.

страции углового смещения пика отражения от образца Следует отметить, что процесс развития и релаксации при его линейном сканировании в пучке рентгеновских термонапряжений при остывании образца до комнатной лучей [4]. Структурное совершенство слоев контролитемпературы имеет сложный характер, а упругие свойровалось по угловой ширине дифракционной кривой ства и коэффициент температурного расширения ПКК на половине максимума (FWHM) для симметричных неизвестны. Поэтому количественная оценка эволюции брэгговских отражений 0006 и 00012. При измерениях макронапряжений, возникающих при получении эпитакна ТКД использовались - и (-2)-моды сканирования.

сиального SiC на ПКК, затруднена.

Значения радиусов кривизны R и рассчитанных из них биаксиальных напряжений a для исходной подложки, В таблице также приводятся значения FWHM, поПКК и эпитаксиального слоя (ЭС), выращенного на нем, лученные с учетом кривизны образца и ненулевой представлены в таблице. Изгиб исходного образца свя- дисперсии в рентгенооптической схеме дифрактометзан с разностью напряжений на противоположных гра- ра. Исходный образец SiC имеет высокую плотность нях, возникших при их механической полировке. Оценка неравномерно распределенных дислокаций, приводящих разности в напряжениях на гранях SiC (см., напри- к наличию в освещаемой рентгеновским пучком облаФизика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 814 Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова цией в области границы ПКК– эпитаксиальный слой.

Из измеренных биаксиальных напряжений при изгибе композиции эпитаксиальный слой –ПКК–подложка и с использованием соотношения между напряжениями в базисной плоскости для кристалла гексагональной сингонии a и деформацией c (см., например, [9]) было рассчитано значение средней деформации в эпитаксиальном слое: c = -0.08 · 10-4.

Исходя из анализа полученных данных можно сделать следующий вывод: несмотря на то что значения FWHM пиков несколько выше для всех отражений по сравнению с исходным образцом, наблюдаемая однородность кривых по площади эпитаксиального слоя и низкие значения биаксиальных напряжений в эпитаксиальном слое выгодно отличают его от исходной подложки SiC.

3.2. Инфракрасная спектроскопия Рис. 2. (-2)-кривые отражения (00012) от исходной подложки SiC (1), пористого слоя por SiС (2) и эпитаксиального Измерения спектров отражения в инфракрасной обласлоя epi SiC (3), полученные на трехкристальном дифрактости проводились с помощью спектрофотометра ИКС-метре.

с приставкой ИПО-22, позволявшей получать спектры от локальных областей размером 2.5 2.5мм2. На рис. приведены спектры отражения вблизи области решеточного резонанса, границы которого соответствуют сти кристалла угловых разориентаций кристаллической энергиям поперечного оптического (TO) и продольного решетки. Это вызывает значительные трудности при оптического (LO) фононов (788 и 970 см-1 соответанализе рентгеновской дифракции таких образцов изственно). Кривая 1 соответствует спектру исходного за постоянно меняющейся формы кривой отражения образца в малодефектной области (точка A топогрампри сканировании рентгеновским пучком по образцу.

мы). В сильнодефектной области B вершина спектра Поэтому критерием при выборе рабочей области для была на 2% ниже. Кривая 2 соответствует спектру последующих измерений была симметричная форма поотражения пористого слоя в области точки B. Спектр лучаемой на ТКД -кривой отражений (0006) и (00012) пористого слоя в районе точки A лежит несколько исходного образца, указывающая на отсутствие угловых выше кривой 2 (не приведен); при этом разница между разориентаций кристаллической решетки.

спектрами в точках A и B для пористого слоя больше, Для пористого слоя наблюдается возрастание значений ширины дифракционных кривых (FWHM) и существенное изменение их формы. На кривой отражения (0006), получаемой с помощью ДКД, появляется интенсивное диффузное рассеяние у основания узкого динамического пика. Для отражения (00012) из измерений на ТКД на (-2)-кривой видны два пика с угловым расстоянием = 32 угл. сек (рис. 2, кривая 2). Так как это отражение дает информацию о приповерхностном слое толщиной 17 мкм, а толщина слоя ПКК в данном образце 10 мкм, дифракционный пик при меньших углах связан с отражением от ПКК, а при больших углах — c отражением от подложки.

Максимум FWHM пика от ПКК на 1 / 3 выше, чем от подложки, расположенной под ним. Оценка деформации решетки вдоль главной кристаллографической оси c дает значение c =(dpor - dSiC)/dSiC = ctg =+2 · 10-4, где dpor и dSiC — межплоскостные расстояния для ПКК и SiC, — угол Брэгга. Дифракционные кривые для ЭС на ПКК вновь состоят из одного пика, и ( - 2)-кривая имеет асимметричную форму (рис. 2, Рис. 3. Спектры инфракрасного отражения исходной подкривая 3). В последнем случае дополнительная интен- ложки в области A (1), пористого слоя в области B (2), сивность, вероятно, связана с неоднородной деформа- эпитаксиального слоя в области A (3).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке... чем для исходного образца. Кривая 3 соответствует спектру ЭС на ПКК.

Спектр ПКК имеет характерное снижение отражения в окрестности частоты LO-фонона, что впервые отмечалось в работе [10]. Такое изменение формы спектра авторы связывают с тем, что полоса TO-фононов обусловлена в основном ближним порядком, тогда как LO-фононная полоса зависит от промежуточного и дальнего порядков, которые сильнее нарушаются при формировании пористой структуры. Как видно из рисунка, в спектре ЭС на ПКК (кривая 3) в области LO-фонона отражение заметно выше, чем у исходного образца, что свидетельствует о более высоком структурном совершенстве. Следует отметить, что хотя в спектре эпитакРис. 4. Спектры время-разрешенной фотолюминесценции в сиального слоя, выращенного на контрольной подложке, максимуме регистрируемого импульса при энергии возбужде(не приводится) отражение в основной полосе выше, чем ния 3.68 эВ, температуре 90 K для исходной подложки (1) и у исходного образца, однако полоса имеет менее плосЭС на ПКК (2) в области B.

кую вершину по сравнению с кривой 3. Кроме того, в спектре отражения для ЭС на ПКК наблюдалась четкая интерференционная картина в области 4000-1000 см-(частично показана на рис. 3), что свидетельствует о плоскопараллельности эпитаксиального слоя и позволяет определить его толщину неразрушающим методом. В данном образце толщина эпитаксиального слоя составила 10 мкм. В спектре эпитаксиального слоя на контрольном образце интерференция была очень слабо выражена.

Таким образом, данные ИК спектроскопии свидетельствуют о структурном совершенстве эпитаксиального слоя, выращенного на ПКК.

3.3. Фотолюминесценция Измерения время-разрешенной фотолюминесценции (ФЛ) проводились в максимуме регистрируемого имРис. 5. Спектры время-разрешенной фотолюминесценции в пульса при 90 K как на исходной подложке, так и на максимуме регистрируемого импульса при энергии возбуждеэпитаксиальном слое, выращенном на ней после форния 3.68 эВ, температуре 90 K для ЭС на ПКК в области A (1) мирования промежуточного пористого слоя, в точках A и для контрольного эпитаксиального слоя, выращенного непои B, отмеченных на топограмме (рис. 1). Возбуждесредственно на подложке, (2). На вставке — экситонная часть ние осуществлялось излучением импульсного азотноспектра 1 в увеличенном масштабе.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.