WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Типичные зависимости фототоков ip и is от угла падения ЛПИ для одного из ТСЭ представлены на рис. (кривые 1 и 2). Видно, что при = 0 значения ip и is совпадают, а различие между ними возникает только при > 0. Полученные для ТСЭ угловые зависимости обнаруживают новую особенность по отношению к результатам исследований наведенного фотоплеохроизма [11–15]. Действительно, как видно из рис. (кривые 1 и 2), фототоки ip и is обнаруживают сходное поведение. Вначале они увеличиваются с ростом, достигают при определенных для каждой из поляризаций углах падения своего максимального значения и только после этого наступает их быстрое падение. Согласно соотношениям Френеля, для амплитудных коэффициентов прохождения световой волной границы раздела двух сред воздух–проводник такое поведение должно наблюдаться только для ip, тогда как фототок is должен монотонно падать с ростом > 0 [16,17]. Выполненные ранее исследования для случая совершенной фотоприемной Рис. 4. Спектральные зависимости относительной кванплоскости структур согласуются с этой моделью [11–15].

товой эффективности фотопреобразования p (1), s (2) Ухудшение качества поверхности полупроводника обычи коэффициента наведенного фотоплеохроизма (3) ТСЭ но приводило к тому, что обе зависимости ip() и is() ZnO/CdS/CIGSe/Mo ( = 70).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 810 Т. Вальтер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок рис. 4. Видно, что при наклонном падении ЛПИ на [4] R.R. Potter. Solar. Cells., 16, 521 (1986).

приемную плоскость ZnO ТСЭ широкополосный ха- [5] T. Yamaguchi, M. Suzuki, Y. Yamamoto, Y. Demizu, T. Tanaka, A. Yoshida. Cryst. Res. Technol., 31, 481 (1996).

рактер фотовольтаического эффекта наблюдается для [6] Yu.V. Rud’. Jpn. J. Appl. Phys., 32–3, 512 (1986).

обеих поляризаций излучения, причем во всем диапазоне [7] А.А. Абдурахимов, Ю.В. Рудь. ФТП, 16, 959 (1982).

фоточувствительности сохраняется соотношение ip > is, [8] А.А. Абдурахимов, Б.Х. Байрамов, А. Гейнрик, Ю.В. Рудь.

в результате чего поляризационная разность i имеФТТ, 24, 2495 (1982).

ет положительный знак. Аналогичные закономерности [9] И.В. Боднар, А.А. Вайполин, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, обнаруживаются в изученном диапазоне углов падения Ю.В. Рудь. ФТП, 28, 1763 (1994).

0 < < 90. С ростом спектральные кривые i [10] И.В. Боднар, А.А. Вайполин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, сближаются с ip( ).

28, 1322 (1994).

В соответствии с [15] коэффициент наведенного фо[11] Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, 68 (1986).

топлеохроизма помимо угла падения определяется еще [12] S.G. Konnikov, V.Yu. Rud’, Yu.V. Rud’, D. Melebaev, и показателем преломления n. По этой причине фо- A. Berkeliev, M. Serginov, S. Tilevov. Jpn. J. Appl. Phys., 32–3, 515 (1993).

топлеохроизм ТСЭ ZnO/CdS/CIGSe оказывается более [13] Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Фенизким, чем для CdS/CISe [19]. Сделанная на основании доров. ФТП, 28, 1820 (1994).

максимального значения PI = 17-20% для ТСЭ при [14] D. Melebaev, V.Yu. Rud’, Yu.V. Rud’. Cryst. Res. Technol., 31, = 1.3эВ и =70 оценка показателя преломления 481 (1981).

дает величину n = 1.5-1.7, которая из-за просветле[15] G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud’. Phys. St. Sol. (a), 67, ния оказывается несколько ниже известного значения (1981).

n = 2.0 для ZnO [20]. Последнее может быть связано [16] Г.С. Ландсберг. Оптика (М., 1976).

с тем, что в [15] интерференция в учет не принималась [17] R.H. Azzam, N.M. Bashara. Ellipsometry and Polarized вовсе.

Light (North-Holland, Amsterdam, 1977).

Спектральная зависимость коэффициента наведенного [18] V.Yu. Rud’, Yu.V. Rud’. 3th Workshop. Expert evaluation and фотоплеохроизма ТСЭ (рис. 4, кривая 3) обнаруживает control of compound semicond. (Freiburg, Germany, 1996) четкие осцилляции, сопутствующие интерференционным p. 31.

эффектам. Видно, что зависимость коэффициента фо- [19] В.Ю. Рудь. Автореф. канд. дис. (ФТИ РАН, СПб., 1995).

[20] Физико-химические свойства полупроводниковых матоплеохрозма от энергии фотонов оказывается сущетериалов (М., Наука, 1978).

ственно сильнее и поэтому проявляется более ярко, чем для фототоков (рис. 4, кривые 1 и 2). Если в Редактор В.В. Чалдышев отсутствие интерференции наведенный фотоплеохроизм неселективен и сохраняется практически постоянным Photosensitivity of thin film во всем диапазоне фоточувствительности [12,13], то ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 solar cells как только возникают условия для интерференции в T. Walter, V.Yu. Rud’, Yu.V. Rud’+, H.W. Schock спектральной зависимости фотоплеохроизма возникают яркие осцилляции.

Institut fr Physikalishe Elektronik, Таким образом, в результате применения мето- Universitat Stuttgart, да поляризационной спектроскопии фотоактивного по- D-70569 Stuttgart, Germany глощения к тонкопленочным солнечным элементам State Technical University, ZnO/CdS/CIGSe (a) установлена возможность их приме- St.Petersburg 195251, Russia + нения в новой для этих приборов функции — широкопоA.F. Ioffe Physicotechnical Institute Russian лосных фотоанализаторов ЛПИ, а также (б) обнаружена Academy of Sciences, чувствительность фотоплеохроизма к оптическому каче194021 St.Petersburg, Russia ству широкозонного окна гетероструктуры. Необходимое для обеспечения высокой эффективности фотопреобра

Abstract

Photoelectrical properties of thin film зования в ТСЭ просветление вызывает подавление навеZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 solar cells are studies by the polarization денного фотоплеохроизма, что может найти применение photoabsorption spectroscopy. It was shown that the thin film при развитии технологии создания высокоэффективных solar cells are highly efficient in relation to the intensity of солнечных элементов.

nonpolarized radiation in the range of the photon energy from 1.to 2.5 eV. The induced photopleochroism coefficient PI increased Работа поддержана грантом INTAS No 94-3998.

with the increas of the angle of the oblique in accordance with the law PI 2 and at 70 it reached 17-20% at 1.3 eV.

Список литературы Oscillation were also observed for the photopleochroism. The results are discussed in terms of the anti–reflection effect. The [1] L. Stolt, J. Hedstrom, J. Kessler, M. Ruckh, K.O. Velthevs, results obtained open the possibility of using this heterostructures H.W. Schock. Appl. Phys. Lett., 62, 597 (1993).

as broadband linearly polarized radiation photosensors and for [2] N. Kohara, T. Negami, M. Nishitani, T. Wada. Jpn. J. Appl.

controlling the obtaining of making thin film solar cells on the Phys., 34, L 1141 (1995).

basis of ternary semiconductors compounds.

[3] Ch. Goradia, M. Ghalla-Goradia. Solar. Cells., 16, 611 (1986).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.