WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

усилен фактором, равным обратному квадрату частоты Нанонеоднородности обнаруживают себя и в экспеколебаний. В результате, как показано в [20], в риментах по токопереносу. Обычно температурная застеклах наличие избыточной низкоэнергетической висимость проводимости имеет вид плавной кривой с ПКС, которая интегрально составляет величину 10%, уменьшающейся при понижении температуры величиной увеличивает амплитуду тепловых колебаний на 30–40% энергии активации. Как правило, это интерпретируетпо сравнению с соответствующими кристаллами при ся несколькими экспоненциальными участками, соответтой же температуре. В точке стеклования амплитуда ствующими известным механизмам переноса заряда: по тепловых колебаний оказывается весьма близкой зоне делокализованных состояний; по локализованным к ее значению в соответствующих кристаллах при состояниям вблизи уровня Ферми и по состояниям выше температуре плавления. Найденное в [20] с учетом уровня Ферми материала. Однако приведенный нами критерия Линдемана соотношение между температурами анализ многочисленных экспериментальных результатов стеклования и плавления в материале одного и того показал, что в целом ряде случаев температурная зависиже химического состава определяется параметрами мость проводимости материала может быть представлеизбыточной низкоэнергетической ПКС: ее амплитудой, на не суммой двух, трех или более экспонент с разными положением максимума, а также универсальным энергиями активации, а совсем иначе, в виде обратного значением дисперсии логарифмически нормального закона Аррениуса.

распределения по частоте избыточной ПКС. Отношение Феноменологически обратный закон Аррениуса для Tg/Tm оказалось весьма близким к 2/3 — известному температурной зависимости проводимости может быть эмпирическому правилу. В таких материалах, как получен, если учесть флуктуации потенциала и проаморфный кремний и германий, нет избыточной ПКС странственные флуктуации подвижности. Тогда, рассмов низкоэнергетической области спектра: бозонный трев задачу о проводимости сильно неоднородной среды пик фактически сливается с линией TA-моды. в рамках теории протекания, получим, что в проводиСоответственно, эти материалы не стеклуются, при мости эффективно участвуют лишь носители, располоохлаждении ниже температуры плавления происходит женные в узком энергетическом интервале kT вблизи их быстрая кристаллизация в соответствии с тем, что в уровня протекания Ec, соответствующего возникновених в отличие от стекол амплитуда тепловых колебаний нию критического проводящего кластера. Необходимые близка к значению в кристаллическом состоянии. вычисления были выполнены в [22].

В аморфных телах и стеклах физика релаксации возбу- Заметим, что обратный закон Аррениуса давно изждений кардинально меняется по сравнению с кристал- вестен для температурной зависимости интенсивности Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 808 В.К. Малиновский фотолюминесценции в неупорядоченных материалах, в частности для аморфного кремния и халькогенидов [23].

Объясняют этот закон конкуренцией излучательного и безызлучательного каналов рекомбинации. В [24] мы показали, что перенос заряженных носителей и их рекомбинация в неупорядоченных твердых телах тесно связаны между собой.

Таким образом, несмотря на хаос, с которым обычно ассоциируется структура разупорядоченных материалов, в них есть универсальный пространственный масштаб, параметр порядка, характерный для аморфных тел и стекол различной природы (полупроводниковых, диэлектрических, металлических). Размерные эффекты определяют наблюдаемые в экспериментах особенности в колебательных свойствах, релаксации электронного возбуждения, переносе зарядов. Континуальное описание для аморфных тел и стекол применимо только на масштабах, превышающих характерные корреляционные длины.

Список литературы [1] В.Г. Карпов, М.И. Клингер, Ф.Н. Игнатьев. ЖЭТФ 84, (1983).

[2] P.W. Anderson, B.I. Halperin, C.M. Varma. Phil. Mag. 2, (1972).

[3] W.A. Phillips. J. Temp. Phys. 7, 351 (1972).

[4] А.И. Губанов. Квантово-электронная теория аморфных проводников. Изд-во АН СССР, М-Л. (1963). 250 с.

[5] S. Alexander. Physics Reports 296, 65 (1998).

[6] В.К. Малиновский. Автометрия 1, 25 (1985).

[7] В.К. Малиновский, В.Н. Новиков, А.П. Соколов. ФХС 15, 3, 31 (1989).

[8] А.А. Лебедев. В кн.: Стеклообразное состояние. Тр. III Всесоюзн. совещания. АН СССР, Л., (1960). С. 7.

[9] M. Kleman, J.F. Sadoc. J. Physique Lett. 40, 6, L569 (1979).

[10] M. Kleman. J. Physique 43, 3, 1389 (1982).

[11] В.А. Лихачев, А.Е. Волков, В.Е. Шудегов. Континуальная теория дефектов. ЛГУ, Л., (1986). 420 с.

[12] N. Rivier, D.M. Duffy. J. Physique 43, 2, 293 (1982).

[13] J.P. Sethna. J. Phys. Rev. Lett. 51, 24, 2198 (1983).

[14] D.R. Nelson. Phys. Rev. B28, 12, 5515 (1983).

[15] В.Г. Жданов, В.К. Малиновский. Письма в ЖТФ 3, 18, (1977).

[16] V.G. Zhdanov, B.T. Kolomietz, V.M. Lyubin, V.K. Malinovsky.

Phys. Stat. Sol. (a) 52, 621 (1979).

[17] В.К. Малиновский, В.Н. Новиков, А.П. Соколов. УФН 163, 5, 119 (1993).

[18] V.K. Malinovsky, V.N. Novikov, A.P. Sokolov, V.G. Dodonov.

Solid Stat. Commun. 67, 725 (1988).

[19] C.Yu. Clar, J.J. Freeman. Phys. Rev. B36, 7620 (1987).

[20] V.K. Malinovsky, V.N. Novikov. J. Phys.: Cond. Matt. 4, L(1992).

[21] V.K. Malinovsky, V.G. Zhdanov. J. of Non-Cryst. Sol. 51, (1982).

[22] O.A. Gudaev, V.K. Malinovsky, E.E. Paul. Solid Stat. Commun.

74, 55 (1990).

[23] Amorphous semiconductors / Ed. by M.H. Brodsky. Springer Verlag, Berlin–Heidelberg–N.Y. (1979). 420.

[24] О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФТТ 37, 1, 79 (1995).

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.