WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The analysis of impurity-defect system in Cd1-xZnx Te ной температуре. Существенно другая ситуация наблю(0.02 x 0.15) single crystals before and after thermal treatдается в образцах серии b. В частности, в образце 3, ment at temperatures 720–1170 K was carried out. It was found где Ni = 3 · 1017 см-3, имеет место сильная (более that conductance of majority of studied crystals is supervised порядков) необратимость электрических параметров гиby two types of acceptors A1 (EV = 0.03-0.05 eV) and Aстерезисного типа. При нагреве до T 320 K проис(EV = 0.012-0.15 eV). Change of electrical properties of the ходит изотермическое увеличение концентрации дырок crystals after thermal treatment depends on the concentration of и уменьшение удельного сопротивления на несколько unintentional impurities in initial materials and on a degree of порядков, при этом подвижность не релаксирует. По- compensation of A1 acceptor. As a result of two consecutive thermal treatments an increase of resistance and uniformity of the добные релаксации наблюдались для кристаллов CdTe, samples take place.

легированных примесью меди. Не исключено, что и в данном случае причиной сильного загрязнения является именно эта примесь.

В образцах, в которых после термообработки TTпроизошла замена рабочего акцептора A1 на A2, нагрев до 420 K и длительное хранение при комнатной температуре не сопровождается переходом к рабочим акцепторам A1. При низких температурах (T 80 K) такие образцы обладают высоким удельным сопротивлением >106 Ом · см.

Список литературы [1] В.П. Заячковский, М.А. Ковалец, М.И. Кучма, Н.И. Троцюк, И.Н. Плысюк. ПТЭ, вып. 5, 211 (1984).

[2] В.В. Слынько, Е.С. Никонюк, В.В. Матлак. ПТЭ, вып. 3, (1968).

[3] S. Yamada. J. Phys. Soc. Japan, 15, 1940 (1960).

[4] Е.С. Никонюк, В.Л. Шляховий, З.И. Захарук, М.А. Ковалец, Н.И. Кучма. Неорг. матер. 31, 185 (1995).

[5] А.И. Власенко, В.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, С.В. Свечников, И.М. Раренко, З.И. Захарук, Е.С. Никонюк, В.Л. Шляховый. ФТП, 31, 1017 (1997).

[6] K. Zanio. Semicond. Semimet., 13, 235 (1978).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.