WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

отрицательной корреляционной энергией). ВсильномнаРедактор В.В. Чалдышев магничивающем поле может возникнуть неравновесное перераспределение дырок по зарядовым состояниям акцепторов A0 и A+ в пользу последних. Такое избыточное Hysteresis of magnetoresistence of the заселение состояний A+ статистически неравновесно.

neutron transmutation doped Ge : Ga in the В этом случае наблюдаемое в эксперименте скачкообразregime of variable range hopping via the ное падение сопротивления может быть объяснено как Coulomb gap states нагрев при переходе от статистически наравновесного состояния с избытком A+-центров к равновесному. Такой A.G. Andreev, S.V. Egorov, A.G. Zabrodskii, переход сопровождается нагревом материала, поскольку R.V. Parfeniev, A.V. Chernyaev избыточная часть A+-центров должна перейти в соIoffe Physicotechnical Institute, стояние A0. Это сопровождается выделением тепла, Russian Academy of Sciences, так как энергия связи A+-центра больше энергии свя194021 St. Petersburg, Russia зи A0-центра.

Еще одним возможным объяснением, которое хоте

Abstract

Hysteresis of the hopping magnetoresistance is obлось бы упомянуть, является ферромагнетизм, возниserved for the neutron transmutation doped Ge : Ga at temperaкающий в системе с плотностью состояний, имеющей tures below 1 K. It has been detected at the insulator side of максимумы с обеих сторон уровня Ферми [8]. В нашем the metal–insulator transition taking place at Ga concentration случае такая плотность состояний реализуется в примесof 1.85 · 1017 cm-3. The effect is accompanied by a rapid drop in ной зоне с кулоновской щелью на уровне Ферми.

resistivity under magnetic field equal to approximately 800 Oe after the premagnetization of the sample in the field larger than 1 kOe.

The relative value of the drop grows as temperature decreases.

5. Основные результаты и выводы The basic features of the phenomenon were investigated, and the possible explanations were presented.

Обнаружен гестерезис магнитосопротивления в режиме VRH по состояниям кулоновской щели НЛ Ge : Ga. Он проявляется при перемагничивании образца в скачкообразном уменьшении сопротивления в поле 700 Э с последующей его релаксацией к равновесным значениям.

Величина скачка возрастает с понижением температуры и наблюдается в ограниченной области уровней легирования на изоляторной стороне перехода МИ.

Предложено несколько гипотетических объяснений наблюдаемого явления, они основываются на тепловой природе скачка, подтвержденной экспериментально.

Авторы благодарят Н.С. Аверкиева за полезное обсуждение результатов.

Работа поддержана проектом Российского фонда фундаментальных исследований № 98-02-17353.

Список литературы [1] A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. St. Sol., 205, 61 (1998).

[2] А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП, 26, 431 (1992).

[3] А.Г. Забродский, А.Г. Андреев. Письма ЖЭТФ, 58, (1993).

[4] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 218.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.